+1 500 000 výrobků v nabídce
6000 každodenně balíků
+300 000 zákazníků ze 150 zemí
POZOR: Změna bankovního účtu TME Czech Republic s.r.o.
Zde se dozvíte víceInformujeme o změnách v harmonogramu doručování.
Zde se dozvíte víceKontaktujte svého zástupce u TME. Požádejte o schůzku.
Výrobce: Infineon (IRF)
Výrobce | Infineon (IRF) | ||
Typ tranzistoru | N-MOSFET | ||
Technologie | HEXFET® | ||
Polarizace | unipolární | ||
Napětí drain-source | 100V | ||
Proud drainu | 55A | ||
Ztrátový výkon | 3,8W | ||
Kryt | D2PAK | ||
Napětí gate-source | ±16V | ||
Odpor v sepnutém stavu | 26mΩ | ||
Montáž | SMD | ||
Náboj hradla | 93,3nC | ||
Druh kanálu | obohacený | ||
Vlastností polovodičových součástek | logic level |