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Über die Produkte

2020-01-21

MOSFET Transistormodule der Firma DACO

Logo DACO Semiconductor

STE53NC50

Im Angebot von TME sind MOSFET Transistormodule in der Siliciumcarbid-Technologie (silicon carbide, SiC) erschienen, die von der Firma DACO Semiconductor aus Taiwan produziert werden. Sie sind im beliebten und bequemen Gehäuse SOT227 mit isolierter Basis erhältlich.

Dank der Anwendung der SiC-Technologie können die Module bei einer höheren Anschlusstemperatur arbeiten. Sie sind hervorragend für den Einsatz mit erschwerter Wärmeableitung sowie für den Betrieb unter schwierigen thermischen Bedingungen wie auch überall dort, wo eine Einschränkung der Leistungsverluste erforderlich ist, geeignet. Sie finden Einsatz in Gleichrichtern, die mit Photovoltaikpaneelen zusammenarbeiten, in Leistungswandlern, Motorsteuergeräten, Akku-Ladegeräten sowie in Impuls-Netzteilen Anwendung.

Sehen Sie die neuen DACO Module »

Eigenschaften:
Spannung Drain-Source: bis 1200V
Leitungsstrom: bis 125A
Maximale Anschlusstemperatur: 150⁰C
Ausführungstechnologie: SiC
Montage: angeschraubt
Gehäuse: SOT227

Symbol: Beschreibung:
DACMI40N1200-DCO Modul: einzelner Transistor; 1,2kV; 25A; SOT227B; angeschraubt
DACMI80N1200-DCO Modul: einzelner Transistor; 1,2kV; 50A; SOT227B; angeschraubt
DACMI120N1200-DCO Modul: einzelner Transistor; 1,2kV; 76A; SOT227B; angeschraubt
DACMI160N1200-DCO Modul: einzelner Transistor; 1,2kV; 110A; SOT227B; angeschraubt
DACMI200N1200-DCO Modul: einzelner Transistor; 1,2kV; 125A; SOT227B; angeschraubt

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