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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	500V
Drainstrom	37A
Gehäuse	ISOTOP
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	65mΩ
Drainstrom im Impuls	270A
Verlustleistung	540W
Technologie	POWER MOS 8®
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Source Spannung	±30V
Verpackungs-Art	Tube
Mechanische Montage	schraubbar

APT58F50J

Modul; einzelner Transistor; 500V; 37A; ISOTOP; schraubbar; 540W

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke