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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	500V
Drainstrom	43A
Gehäuse	ISOTOP
Topologie	buck chopper
Elektrische Montage	schraubbar
Widerstand im Leitungszustand	65mΩ
Drainstrom im Impuls	270A
Verlustleistung	543W
Technologie	POWER MOS 8®
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APT58M50JU3

Modul; Diode/Transistor; 500V; 43A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 270A

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke