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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 600V | ||
Drainstrom | 70A | ||
Gehäuse | SP1 | ||
Topologie | MOSFET Halbbrücke, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Widerstand im Leitungszustand | 24mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 260A | ||
Verlustleistung | 462W | ||
Technologie | CoolMOS™ | ||
Gate-Source Spannung | ±20V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |