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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung	600V
Drainstrom	29A
Gehäuse	SP1
Topologie	Brücke H, NTC Thermistor
Elektrische Montage	Press-in PCB
Widerstand im Leitungszustand	70mΩ
Drainstrom im Impuls	160A
Verlustleistung	250W
Technologie	CoolMOS™, SJ-MOSFET
Gate-Source Spannung	±20V
Mechanische Montage	schraubbar

APTC60HM70T1G

Modul; Transistor/Transistor; 600V; 29A; SP1; Press-in PCB; 250W

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke