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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung	800V
Drainstrom	11A
Gehäuse	SP3
Topologie	Brücke H, NTC Thermistor
Elektrische Montage	Press-in PCB
Widerstand im Leitungszustand	0,29Ω
Drainstrom im Impuls	60A
Verlustleistung	156W
Technologie	SJ-MOSFET
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTC80H29T3G

Modul; Transistor/Transistor; 800V; 11A; SP3; Press-in PCB; 156W

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke