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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	1kV
Drainstrom	49A
Gehäuse	SP6C
Topologie	Halbbrücke MOSFET + Reihendioden + Paralleldioden
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand	156mΩ
Drainstrom im Impuls	240A
Verlustleistung	1,25kW
Technologie	POWER MOS 7®
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTM100A13SG

Modul; Diode/Transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW; Ugs: ±30V

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke