APTM100H18FG
Modul; Transistor/Transistor; 1kV; 33A; SP6C; Topologie: Brücke H
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM100H18FG
Symbol TME:
APTM100H18FG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1kV | ||
Drainstrom | 33A | ||
Gehäuse | SP6C | ||
Topologie | Brücke H | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 0,21Ω | ||
Drainstrom im Impuls | 172A | ||
Verlustleistung | 780W | ||
Technologie | FREDFET, POWER MOS 7® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
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* APTM100H18FGAnzahl Stück (Vielfache: 4)
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