APTM100H45SCTG
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1kV; 14A; SP4; Idm: 72A; 357W; Ugs: ±30V
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM100H45SCTG
Symbol TME:
APTM100H45SCTG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1kV | ||
Drainstrom | 14A | ||
Gehäuse | SP4 | ||
Topologie | H-Brücke + Paralleldioden, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 0,54Ω | ||
Drainstrom im Impuls | 72A | ||
Verlustleistung | 357W | ||
Technologie | POWER MOS 7®, SiC | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht160 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* APTM100H45SCTGAnzahl Stück (Vielfache: 6)
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Nettopreis für Mengen von 6 st - 164.50 USDBruttopreis für Mengen von 6 st - 164.50 USD
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