APTM100UM65DAG
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 110A; SP6C; Idm: 580A; 3,25kW
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM100UM65DAG
Symbol TME:
APTM100UM65DAG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1kV | ||
Drainstrom | 110A | ||
Gehäuse | SP6C | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 78mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 580A | ||
Verlustleistung | 3,25kW | ||
Technologie | POWER MOS 7® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
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* APTM100UM65DAGAnzahl Stück (Vielfache: 4)
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