APTM10DAM02G
Modul; Diode/Transistor; 100V; 370A; SP6C; Idm: 1900A; 1,25kW
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM10DAM02G
Symbol TME:
APTM10DAM02G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 100V | ||
Drainstrom | 370A | ||
Gehäuse | SP6C | ||
Topologie | boost chopper | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 2,5mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 1900A | ||
Verlustleistung | 1,25kW | ||
Technologie | POWER MOS 5® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
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* APTM10DAM02GAnzahl Stück (Vielfache: 5)
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