APTM10TAM19FPG
Modul; Transistor/Transistor; 100V; 50A; SP6P; Press-in PCB; 208W
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM10TAM19FPG
Symbol TME:
APTM10TAM19FPG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 100V | ||
Drainstrom | 50A | ||
Gehäuse | SP6P | ||
Topologie | MOSFET x3 Halbbrücke | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Widerstand im Leitungszustand | 21mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 300A | ||
Verlustleistung | 208W | ||
Technologie | FREDFET, POWER MOS 5® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht250 g
Zertifikate
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* APTM10TAM19FPGAnzahl Stück (Vielfache: 7)
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