APTM10UM02FAG
Modul; einzelner Transistor; 100V; 429A; SP6C; Idm: 1900A; 1,66kW
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM10UM02FAG
Symbol TME:
APTM10UM02FAG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 100V | ||
Drainstrom | 429A | ||
Gehäuse | SP6C | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 2,5mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 1900A | ||
Verlustleistung | 1,66kW | ||
Technologie | FREDFET, POWER MOS 5® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
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* APTM10UM02FAGAnzahl Stück (Vielfache: 4)
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