APTM120DA30CT1G
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM120DA30CT1G
Symbol TME:
APTM120DA30CT1G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1,2kV | ||
Drainstrom | 23A | ||
Gehäuse | SP1 | ||
Topologie | boost chopper, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Widerstand im Leitungszustand | 0,36Ω | ||
Drainstrom im Impuls | 195A | ||
Verlustleistung | 657W | ||
Technologie | POWER MOS 8®, SiC | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht80 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* APTM120DA30CT1GAnzahl Stück (Vielfache: 12)
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Nettopreis für Mengen von 12 st - 56.33 GBPBruttopreis für Mengen von 12 st - 56.33 GBP
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