APTM120U10SCAVG
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 86A; SP6; schraubbar; Idm: 464A
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM120U10SCAVG
Symbol TME:
APTM120U10SCAVG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1,2kV | ||
Drainstrom | 86A | ||
Gehäuse | SP6 | ||
Topologie | einzelner Transistor + Reihendiode + Paralleldiode | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 0,12Ω | ||
Drainstrom im Impuls | 464A | ||
Verlustleistung | 3,29kW | ||
Technologie | POWER MOS 7®, SiC | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
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* APTM120U10SCAVGAnzahl Stück (Vielfache: 3)
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Nettopreis für Mengen von 3 st - 307.45 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 307.45 USD
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