APTM20DUM05G
Modul; Transistor/Transistor,gemeinsame Quelle; 200V; 237A; SP6C
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM20DUM05G
Symbol TME:
APTM20DUM05G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | gemeinsame Quelle, Transistor/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 200V | ||
Drainstrom | 237A | ||
Gehäuse | SP6C | ||
Topologie | MOSFET x2 | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 6mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 1268A | ||
Verlustleistung | 1136W | ||
Technologie | POWER MOS 7® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
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* APTM20DUM05GAnzahl Stück (Vielfache: 5)
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