APTM50AM38STG
Modul; Diode/Transistor; 500V; 67A; SP4; Idm: 360A; 694W; Ugs: ±30V
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM50AM38STG
Symbol TME:
APTM50AM38STG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 500V | ||
Drainstrom | 67A | ||
Gehäuse | SP4 | ||
Topologie | Halbbrücke MOSFET + Reihendioden + Paralleldioden, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 45mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 360A | ||
Verlustleistung | 694W | ||
Technologie | POWER MOS 7® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht160 g
Zertifikate
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* APTM50AM38STGAnzahl Stück (Vielfache: 7)
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