APTM50DAM17G
Modul; Diode/Transistor; 500V; 135A; SP6C; Idm: 720A; 1,25kW
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM50DAM17G
Symbol TME:
APTM50DAM17G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 500V | ||
Drainstrom | 135A | ||
Gehäuse | SP6C | ||
Topologie | boost chopper | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 20mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 720A | ||
Verlustleistung | 1,25kW | ||
Technologie | POWER MOS 7® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
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* APTM50DAM17GAnzahl Stück (Vielfache: 6)
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