APTM50DHM38G
Modul; Diode/Transistor; 500V; 67A; SP6C; Idm: 360A; 694W; Ugs: ±30V
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM50DHM38G
Symbol TME:
APTM50DHM38G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 500V | ||
Drainstrom | 67A | ||
Gehäuse | SP6C | ||
Topologie | asymmetrische Brücke | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 45mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 360A | ||
Verlustleistung | 694W | ||
Technologie | POWER MOS 7® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
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* APTM50DHM38GAnzahl Stück (Vielfache: 6)
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