APTM50UM13SAG
Modul; Diode/Transistor; 500V; 250A; SP6C; Idm: 1340A; 3,29kW
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM50UM13SAG
Symbol TME:
APTM50UM13SAG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 500V | ||
Drainstrom | 250A | ||
Gehäuse | SP6C | ||
Topologie | einzelner Transistor + Reihendiode + Paralleldiode | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 15mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 1340A | ||
Verlustleistung | 3,29kW | ||
Technologie | POWER MOS 7® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* APTM50UM13SAGAnzahl Stück (Vielfache: 4)
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Nettopreis für Mengen von 4 st - 254.60 USDBruttopreis für Mengen von 4 st - 254.60 USD
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