NEUHEIT
B2M030120N
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 47A; SOT227B; schraubbar; 223W
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
B2M030120N
Symbol TME:
B2M030120N
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 47A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 50mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 151A | |
Verlustleistung | 223W | |
Technologie | SiC | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Source Spannung | -4...18V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Eigenschaften von Halbleiterelementen
- integrated anti-parallel diode
- Kelvin Terminal
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* B2M030120NAnzahl Stück (Vielfache: 150)
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Nettopreis für Mengen von 150 st - 10.87 USDBruttopreis für Mengen von 150 st - 10.87 USD