G3R20MT12N
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 74A; SOT227B; schraubbar; 365W
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
G3R20MT12N
Symbol TME:
G3R20MT12N
Technische Daten
Hersteller | GeneSiC SEMICONDUCTOR | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1,2kV | ||
Drainstrom | 74A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 20mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 240A | ||
Verlustleistung | 365W | ||
Technologie | G3R™, SiC | ||
Kanal-Art | anreicherungs | ||
Gate-Source Spannung | -5...15V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht35.39 g
Zertifikate
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* G3R20MT12NAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st