IXFN52N90P
Modul; einzelner Transistor; 900V; 43A; SOT227B; schraubbar; 890W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN52N90P
Symbol TME:
IXFN52N90P
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 900V | |
Drainstrom | 43A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,16Ω | |
Drainstrom im Impuls | 104A | |
Verlustleistung | 890W | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 308nC | |
Bereitschaftszeit | 300ns | |
Gate-Source Spannung | ±40V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.28 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: Transistor modules IXYS,
* IXFN52N90PAnzahl Stück (Vielfache: 1)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 56.39 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 56.39 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 49.87 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 49.87 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 44.83 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 44.83 USD
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st