NEUHEIT
IXFN70N100X
Modul; 1kV; 65A; SOT227B; 1,2kW; HiPerFET™; 310ns; schraubbar
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN70N100X
Symbol TME:
IXFN70N100X
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Drain-Source Spannung | 1kV | ||
Drainstrom | 65A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Widerstand im Leitungszustand | 89mΩ | ||
Verlustleistung | 1,2kW | ||
Technologie | HiPerFET™ | ||
Bereitschaftszeit | 310ns | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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* IXFN70N100XAnzahl Stück (Vielfache: 300)
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