IXTN200N10L2
Modul; einzelner Transistor; 100V; 178A; SOT227B; schraubbar; 830W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXTN200N10L2
Symbol TME:
IXTN200N10L2
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 100V | ||
Drainstrom | 178A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 11mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 500A | ||
Verlustleistung | 830W | ||
Technologie | Linear L2™ | ||
Kanal-Art | anreicherungs | ||
Gate-Ladung | 540nC | ||
Bereitschaftszeit | 245ns | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht29.6 g
Zertifikate
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* IXTN200N10L2Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 51.48 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 51.48 USD
Nettopreis für Mengen von 100 st - 45.62 USDBruttopreis für Mengen von 100 st - 45.62 USD
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 20 st