IXTN200N10L2
Modul; einzelner Transistor; 100V; 178A; SOT227B; schraubbar; 830W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXTN200N10L2
Symbol TME:
IXTN200N10L2
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 100V | |
Drainstrom | 178A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 11mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 500A | |
Verlustleistung | 830W | |
Technologie | Linear L2™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 540nC | |
Bereitschaftszeit | 245ns | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht29.6 g
Zertifikate
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Verpackungsmethode durch den Hersteller:Rohr = 20 st