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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	1kV
Drainstrom	30A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	0,45Ω
Drainstrom im Impuls	70A
Verlustleistung	800W
Technologie	Linear™
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	545nC
Bereitschaftszeit	1µs
Gate-Source Spannung	±40V
Mechanische Montage	schraubbar

IXTN30N100L

Modul; einzelner Transistor; 1kV; 30A; SOT227B; schraubbar; 800W

Technische Daten