MSCC60VRM45TAPG
Modul; SiC-Diode/Thyristor/Transistor; 600V; 40A; SP6P; SiC
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
MSCC60VRM45TAPG
Symbol TME:
MSCC60VRM45TAPG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Thyristor/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 600V | ||
Drainstrom | 40A | ||
Gehäuse | SP6P | ||
Topologie | Vienna Rectifier | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Widerstand im Leitungszustand | 45mΩ | ||
Technologie | SiC | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht250 g
Zertifikate
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* MSCC60VRM45TAPGAnzahl Stück (Vielfache: 4)
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