MSCSM70VM10C4AG
Modul; SiC-Diode/Thyristor/Transistor; 700V; 189A; SP4; Idm: 476A
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
MSCSM70VM10C4AG
Symbol TME:
MSCSM70VM10C4AG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Thyristor/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 700V | ||
Drainstrom | 189A | ||
Gehäuse | SP4 | ||
Topologie | Vienna Rectifier | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 9,5mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 476A | ||
Verlustleistung | 674W | ||
Technologie | SiC | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht160 g
Zertifikate
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* MSCSM70VM10C4AGAnzahl Stück (Vielfache: 3)
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