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Hersteller: ONSEMI
Hersteller | ONSEMI | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1,2kV | ||
Drainstrom | 30A | ||
Gehäuse | PIM22 | ||
Topologie | Brücke H | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Widerstand im Leitungszustand | 61mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 60A | ||
Verlustleistung | 113W | ||
Technologie | SiC | ||
Gate-Source Spannung | -15...25V | ||
Verpackungs-Art | Tray | ||
Mechanische Montage | schraubbar |