+1 500 000 Produkte im Angebot

6000 Pakete jeden Tag

+300 000 Kunden aus 150 Ländern

Quick Buy Favoriten
Warenkorb

Wir informieren Sie, dass am 12.07.2026. um 08:00 -11:00 (CEST) einige Probleme beim Zugriff auf unserer Webseite und bei Online-Bestellung aufkommen können. Wir entschuldigen uns für mögliche Unannehmlichkeiten.

NXV08A170DB2

Modul; Transistor/Transistor; 80V; 200A; APM12-CBA; THT; Ugs: ±20V

Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
NXV08A170DB2
Symbol TME:
NXV08A170DB2

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Typ des Halbleitermoduls
Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters
Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung
80V
Drainstrom
200A
Gehäuse
APM12-CBA
Topologie
MOSFET Halbbrücke
Elektrische Montage
THT
Widerstand im Leitungszustand
2,4mΩ
Gate-Source Spannung
±20V
Verpackungs-Art
Tray
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: Transistor modules ONSEMI,
*
NXV08A170DB2
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 288 st - 13.38 EURBruttopreis für Mengen von 288 st - 13.38 EUR
Anzahl Stück (Vielfache: 288)