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Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolaire; 1000V; 2,2A; 30W Marque du fabricant: Référence TME: Fabricant
STMicroelectronics Type de transistor
N-MOSFET La technologie
SuperMESH3™ Polarisation
unipolaire Tension drain-source
1kV Courant du drain
2,2A Puissance de dissipation
30W Boîtier
TO220FP Tension entrée-source
±30V Résistance en état de conduction
3,7Ω Montage
THT Genre de la emballage
tube Genre de canal
enrichi Version
ESD
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) Poids brut 1.69 g
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