Výrobce | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Typ tranzistoru | N-MOSFET | |
Technologie | HEXFET® | |
Polarizace | unipolární | |
Napětí drain-source | 40V | |
Proud drainu | 120A | |
Ztrátový výkon | 163W | |
Pouzdro | TO220AB | |
Napětí gate-source | ±20V | |
Odpor v sepnutém stavu | 2,1mΩ | |
Montáž | THT | |
Náboj hradla | 107nC | |
Druh balení | tuba | |
Druh kanálu | obohacený |


V této volbě můžete:
objednávat pouze výrobky dostupné skladem
zaplatit za nákup: online platbami (platba předem)
Váš prohlížeč již není podporován, stáhněte si novou verzi