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Leistungsstarke Umschalttransistoren SiC FET mit UnitedSiC

2019-05-14

Leistungsstarke Umschalttransistoren SiC FET mit UnitedSiC

Familie von leistungsstarken FET-Transistoren UNITEDSIC, in der Kaskoden-Schaltung, ausgeführt in der SiC-Technologie. In einem Gehäuse haben wir einen JFET (SiC) Transistor, der optimal mit einem Si-MOSFET Transistor verbunden ist, wodurch wir eine einzigartige und einfach anzuwendende Umschaltkaskode erhalten. Sie können mit Erfolg in Anwendungen mit hoher Betriebsfrequenz sowie unter anspruchsvollen thermischen Bedingungen eingesetzt werden, in denen sie MOSFET oder IGBT Transistoren ersetzen können.

Sie zeichnen sich aus durch:

  • niedrigen Widerstand im Einschaltzustand,
  • Betriebstemperatur sogar bis zu 175°C,
  • kurze Ausschaltzeit,
  • niedrige Torspannung,
  • Rückspannung bis 650V,
  • geringer interner thermischer Widerstand,
  • interner ESD Schutz.

Typische Anwendungen: Motor-Antriebe, Impuls-Netzteile, Schaltungen zur Korrektur des Leistungskoeffizienten, Induktions-Belastungen, Wechselrichter und Wandler für Solarpanels.

Symbol Beschreibung
UF3C065030K3S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskode; 650V; 62A
UF3C065030K4S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskode; 650V; 62A
UF3C065040K3S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskode; 650V; 40A
UF3C065080K4S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskode; 650V; 23A
UJ3C065030B3 Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskode; 650V; 47A
UJ3C065030K3S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskode; 650V; 62A
UJ3C065030T3S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskode; 650V; 62A
UJ3C065080B3 Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskode; 650V
UJ3C065080K3S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskode; 650V; 23A
UJ3C065080T3S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskode; 650V; 23A

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