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Transistortreiber in High- und Low-Side-Ausgangskonfiguration

2020-07-13

Das Angebot von TME wurde um eine weitere integrierte Schaltung IX2113 von IXYS erweitert. Seine Aufgabe ist es, das Gate eines MOSFET- oder IGBT-Transistors zu steuern, wo eine hohe Schaltgeschwindigkeit wichtig ist. Die Ausgangsschaltung besteht aus zwei unabhängigen Kanälen im niedrigen und hohen Zustand (high & low side). Beide mit einer Stromeffizienz von 2A.

Der Treiber ist extrem langlebig und praktisch widerstandsfähig gegen Spannungsspitzen du/dt. Dies wird dadurch bebingt, dass die Firma IXYS einen technologischen Prozess verwendet: high-voltage BCDMOS auf Basis von SOI (silicon on insulator, d.h. Silizium auf Isolator). BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) ist die Schlüsseltechnologie in den Hochleistungs-ICs. In einem Chip vereint sie mehrere Vorteile von: bipolaren Systemen für Analog-Lösungen, CMOS-Systemen für Digitalanwendungen, DMOS-Systemen für hohe Spannungen und Leistungen.

Andere Eigenschaften:

  • Widerstand gegen Änderungen der Spannungstransienten du/dt
  • Kompatibilität mit der Logik der Spannungen, die im Standard von 3,3V arbeiten
  • UVLO (UnderVoltage LockOut) – Blockade des Spannungsabfalls an beiden Ausgängen – im hohen und niedrigen Zustand 

Spannungsklasse: +600V
Stromeffizienz: -2A/+2A
Anpassung der Gatterlaufzeiten: 20ns

 
Siehe IX2113 in der SMD- und THT- Version »

 

Symbol Beschreibung
IX2113B IC: Treiber; High-/Low-Side, Gate-Treiber; -2÷2A; Kanäle: 2
IX2113G IC: Treiber; High- /Low-Side, Gate-Treiber; -2÷2A; Kanäle: 2

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