You are browsing the website for customers from Estonia. Based on location data, the suggested version of the page for you is
USA / US
Change country
x

INFORMATSIOON TOODETEST

2018-07-03

WEEN SEMICONDUCTORS uusimad SiC tehnoloogias Schottky dioodid

WEEN SEMICONDUCTORS uusimad SiC tehnoloogias Schottky dioodid

logo ween-semiconductors

TME pakkumist laiendati Schottky alaldusdioodide uue seeria võrra. Toodetud ettevõtte WEEN SEMICONDUCTORS (kunagi NXP) poolt on dioodid valmistatud uusimas, ränikarbiidi (SiC) tehnoloogias. Dioodid leiavad kasutust ümberlülitamise kõrgsagedusele tuginevates toitesüsteemides (toiteplokid, muundurid, UPS-id, jne).

Uusi dioode iseloomustab:

  • ümberlülitamise kõrge stabiilsus;
  • äärmiselt lühike ümberlülituse aeg;
  • kõrgem tõhusus klassikalise ränitehnoloogiaga võrreldes;
  • madalam häirete emissioon (EMI).

Maksimaalne tagasipinge: 650V
Ühenduse maksimaalne temperatuur: 175°C
Teostuse tehnoloogia: SiC
Paigaldus: SMD
Sümbol Pärivool Korpus
NXPSC04650B 4A D2PAK
NXPSC04650D 4A DPAK
NXPSC06650B 6A D2PAK
NXPSC06650D 6A DPAK
NXPSC08650B 8A D2PAK
NXPSC08650D 8A DPAK
NXPSC10650B 10A D2PAK
NXPSC10650D 10A DPAK

linecard

Toodete vaatamiseks valige tootja või kategooria

Quick Buy

?
toote sümbol kogus
Tutvu

Muud Quick Buy valikud

epayment_home

See portaal kasutab cookie faile. Selleks, et cookie failide ja nende seadete haldamise kohta rohkem teada saada klikkige siia.

Ärge näidake uuesti