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Potentes transistores de conmutación SiC FET de UnitedSiC

2019-05-14

Potentes transistores de conmutación SiC FET de UnitedSiC

Potentes transistores de conmutación SiC FET de UnitedSiC
logo unitedsic
La familia de transistores FET UNITEDSIC de alto rendimiento, en una configuración de cascode, hecha con tecnología SiC. En una carcasa tenemos un transistor JFET (SiC) conectado de manera óptima con un transistor Si-MOSFET, gracias al cual obtenemos una cascada de conmutación única y fácil de aplicar. Se puede usar con éxito en aplicaciones con alta frecuencia de operación y condiciones térmicas exigentes, en las que pueden reemplazar transistores MOSFET o IGBT.

Se caracterizan por:

  • baja resistencia en estado conectado,
  • temperatura de trabajo hasta 175°C,
  • tiempo corto de apagado,
  • baja capacidad de puerta,
  • voltaje inverso hasta 650V,
  • baja resistencia térmica interna,
  • protección interior ESD.

Aplicaciones típicas: controladores de motor, fuentes de alimentación de conmutación, sistemas de corrección del factor de potencia, cargas inductivas, inversores y convertidores para paneles solares.

Símbolo Descripción
UF3C065030K3S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
UF3C065030K4S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
UF3C065040K3S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
UF3C065080K4S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
UJ3C065030B3 Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A
UJ3C065030K3S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
UJ3C065030T3S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
UJ3C065080B3 Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V
UJ3C065080K3S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
UJ3C065080T3S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A