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Módulos de transistores MOSFET de DACO

2020-01-21

STE53NC50

En la oferta de TME han aparecido módulos de transistores MOSFET con tecnología de carburo de silicio (SiC), fabricado por una empresa taiwanesa DACO Semiconductor. Están disponibles en la popular y conveniente carcasa SOT227 con base aislada.

Gracias a la tecnología SiC, los módulos pueden funcionar a una temperatura de unión más alta. Son excelentes para aplicaciones con disipación de calor difícil y funcionan en condiciones térmicas difíciles y donde es necesario reducir las pérdidas de energía. Se utilizan en inversores que cooperan con paneles fotovoltaicos, en convertidores de potencia, controladores de motor, cargadores de batería y en fuentes de alimentación conmutadas.

Consulta los nuevos módulos DACO »

Características:
Fuente del drenaje de voltaje: hasta 1200V
Corriente Directa: hasta 125A
Temperatura máxima de conector: 150ºC
Tecnología de ejecución: SiC
Montaje: atornillado
Carcasa: SOT227

Símbolo: Descripción:
DACMI40N1200-DCO Módulo; transistor simple;1,2kV; 25A; SOT227B; atornillado
DACMI80N1200-DCO Módulo; transistor simple; 1,2kV; 50A; SOT227B; atornillado
DACMI120N1200-DCO Módulo; transistor simple;1,2kV; 76A; SOT227B; atornillado
DACMI160N1200-DCO Módulo; transistor simple;1,2kV; 110A; SOT227B; atornillado
DACMI200N1200-DCO Módulo; transistor simple;1,2kV; 125A; SOT227B; atornillado