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Controladores de transistores en configuración de salida high & low side

2020-07-13

La oferta de TME se ha ampliado con otro circuito integrado IX2113 de la marca IXYS. Su tarea es controlar la puerta de un transistor MOSFET o IGBT, donde la alta velocidad de conmutación es importante. El circuito de salida es de dos canales independientes en el lado bajo y alto (high & low side). Ambos con una capacidad energética de 2A.

El controlador es extremadamente duradero y prácticamente resistente en tensión transitoria du/dt. Todo gracias a la aplicación de la empresa IXYS del proceso tecnológico: high-voltage BCDMOS basado en SOI (silicon on insulator, es decir, silicio sobre un aislante). BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) es una tecnología clave en los circuitos integrados de potencia. En un chip combina las ventajas de: circuitos bipolares para soluciones analógicas, circuitos CMOS para aplicaciones digitales, circuitos DMOS para altos voltajes y potencia.

Otras características:

  • Resistencia a cambios de voltaje transitorios du/dt
  • Compatibilidad con el sistema de voltaje que funciona en el estándar 3.3V
  • UVLO (UnderVoltage LockOut): bloquea la caída de voltaje en ambas salidas, alta y baja  

Clase energética: +600V
Eficiencia de corriente: -2A/+2A
Ajustes de propagación de demoras: 20ns

 
Consulta IX2113 en versión SMD y THT »

 

Símbolo Descripción
IX2113B IC:driver;high-/low-side, controlador de puerta;-2÷2A;Canales:2
IX2113G IC:driver;high-/low-side, controlador de puerta;-2÷2A;Canales:2

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