Verkkoselaimesi ei saa tukea enää. Lataa uusi versio.

Chrome Chrome Lataa
Firefox Firefox Lataa
Opera Opera Lataa
Internet explorer Internet Explorer Lataa
Käyttäjätilisi
Korissasi

Transistoriohjaimet, joilla on high & low side lähtöjen konfiguraatio

2020-07-13

TME:n yhtiön valikoima on laajentunut seuraavalla IX2113 mikropiirillä IXYS-yhtiöltä. Sen tehtävänä on MOSFET- tai IGBT-tyyppisen transistorin hilan ohjaus, jossa tärkeä on suuri kytkentänopeus. Lähtöpiiri muodostuu kahdesta erillisestä kanavasta, matalassa ja korkeassa tilassa (high & low side). Virran tehokkuuden arvo molempien tapauksessa on 2A.

Ohjain on äärimmäisen luja ja käytännöllisesti kestävä du/dt jännitteen muutostiloja vastaan. Kaikki tämä on mahdollista sen ansiosta, että IXYS-yhtiö on ottanut käyttöön high-voltage BCDMOS teknologisen prosessin SOI-alustalle (silicon on insulator, eli pii eristeen päällä). BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) on olennainen teknologia tehopiireissä. Se yhdistää analogisille ratkaisuille tarkoitettujen bipolaari-mikropiirien, digitaalisiin sovelluksiin tarkoitettujen CMOS-mikropiirien sekä korkealle jännitteelle ja teholle tarkoitettujen DMOS-mikropiirien etuja yhdessä sirussa.

Muut ominaisuudet:

  • Kestävyys du/dt jännitteen muutostilojen muutoksia vastaan
  • Yhteensopivuus 3,3V standardissa toimivan jännitelogiikan kanssa
  • UVLO (UnderVoltage LockOut) – alijännitelukitus molemmissa lähdöissä, korkeassa ja matalassa tilassa  

Jänniteluokka: +600V
Sähkötehokkuus: -2A/+2A
Etenemisviipeen mukautus: 20ns

 
Katso IX2113, SMD- ja THT-versioissa »

 

Symboli Kuvaus
IX2113B IC:driver;high-/low-side,hilaohjain;-2÷2A;Kanavaa:2
IX2113G IC:driver;high-/low-side,hilaohjain;-2÷2A;Kanavaa:2

rightColumnPicture