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Driver de transistor en configuration de sortie high & low side

2020-07-13

L’offre de TME a été étendue avec un autre circuit intégré IX2113 d’IXYS. Ce circuit doit contrôler la grille de transistor de type MOSFET ou IGBT où la vitesse de communication élevée est importante. Le circuit de sortie sont deux canaux indépendants en condition basse et haute. Tous les deux ont la capacité actuelle de 2A.

Le driver est extrêmement robuste et pratiquement résistant aux états transitoires de tension du/dt. Tout cela grâce à l’application par la société IXYS du processus technologique: high-voltage BCDMOS sur le support SOI (silicon on insulator, c'est-à-dire silicium sur isolant). BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) est une technologie clé dans les circuits intégrés de puissance. Dans une seule puce il combine les avantages suivants: ceux des circuits bipolaires pour les solutions analogiques, les circuits CMOS pour les applications numériques, les circuits DMOS pour les hautes tensions et la puissance.

Autres caractéristiques:

  • Résistance aux variations transitoires de tension du/dt
  • Comptabilité avec la logique de tension fonctionnant dans la norme 3,3V
  • UVLO (UnderVoltage LockOut) - blocage de la chute de tension sur toutes les deux sorties en conditions haute et basse  

Classe de tension : +600V
Sensibilité au courant : -2A/+2A
Temps de propagation : 20ns

 
Découvrez IX2113 dans la version SMD et THT »

 

Symbole Description
IX2113B IC:driver;high-/low-side,commande de grille;-2÷2A;Canaux:2
IX2113G IC:driver;high-/low-side,commande de grille;-2÷2A;Canaux:2

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