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Littelfuse –les dernières solutions de semi-conducteurs à haute puissance

Littelfuse –les dernières solutions de semi-conducteurs à haute puissance

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Dans notre offre, vous trouverez désormais des solutions avancées de semi-conducteurs à haute puissance de la marque LITTELFUSE. Notre offre de diodes de redressement, de thyristors et de modules de redressement a été élargie avec des solutions basées sur les dernières technologies SiC (silicon carbide – carbure de silicium) et des modules IGBT.

Le modules IGBT de cette marque se caractérisent par :

  • une haute résistance au percement (tension de l’isolation : 3kV),
  • les pertes ultra faibles,
  • une haute résistance,
  • une faible tension de conduction,
  • un courant de service jusqu’à 400A (Tc=80°C),
  • une plage de température de travail de -40°C à +150°C.

Les diodes Schottky de la gamme LFUSCD fabriquées dans la technologie SiC sont les premières solutions de ce type disponibles dans l’offre LITTELFUSE. Les éléments se caractérisaient par :

  • un temps de réponse court,
  • des faibles pertes lors de la commutation (par rapport aux diodes de silicium),
  • une température de travail maximale du connecteur jusqu’à +175°C,
  • une haute résistance aux percements,
  • un courant de conduction jusqu’à 20A.

Les éléments fabriqués dans la technologie SiC sont particulièrement recommandés pour les solutions nécessitant une haute efficacité et pour les équipements dans lesquels le problème de l’évacuation de la chaleur est particulièrement difficile.

Symbole Description
MG12150D-BA1MM Module: IGBT; 150A; 1,1kW; package D; 1,2kV; Ifsm: 300A; vissé
MG12200D-BA1MM Module: IGBT; 210A; 1,4kW; package D; 1,2kV; Ifsm: 420A; vissé
MG12300D-BA1MM Module: IGBT; 310A; 1,8kW; package D; 1,2kV; Ifsm: 620A; vissé
MG12400D-BN2MM Module: IGBT; 400A; 1925W; package D; 1,2kV; Ifsm: 800A; vissé
LFUSCD04065A-LF Diode: de redressement Schottky; 650V; 4A; SiC; TO220-2; Gamme: LFUSCD
LFUSCD05120A-LF Diode: de redressement Schottky; 1,2kV; 5A; SiC; TO220-2; Gamme: LFUSCD
LFUSCD06065A-LF Diode: de redressement Schottky; 650V; 6A; SiC; TO220-2; Gamme: LFUSCD
LFUSCD08065A-LF Diode: de redressement Schottky; 650V; 8A; SiC; TO220-2; Gamme: LFUSCD
LFUSCD10065A-LF Diode: de redressement Schottky; 650V; 10A; SiC; TO220-2; Gamme: LFUSCD
LFUSCD10120A-LF Diode: de redressement Schottky; 1,2kV; 10A; SiC; TO220-2; Gamme: LFUSCD

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