Εδώ θα βρείτε τον μέχρι πρότινως ”χώρο στάθμευσης”

Η μηχανή αναζήτησής σας δεν υποστηρίζεται πλέον, επιλέξτε την αναβαθμισμένη έκδοση

Πινακασ πελατη
Στο καλάθι σας

Οδηγητές τρανζίστορ σε διαμόρφωση εξόδου high & low side

2020-07-13

Η προσφορά της εταιρείας TME διευρύνεται με ένα ακόμη ολοκληρωμένο κύκλωμα, το IX2113 από την εταιρεία IXYS. Αποστολή του είναι η οδήγηση πύλης τρανζίστορ τύπου MOSFET ή IGBT, όπου έχει μεγάλη σημασία η ταχύτητα μεταγωγής. Το κύκλωμα εξόδου αποτελούν δύο ανεξάρτητα κανάλια με κατάσταση χαμηλή και υψηλή (high & low side). Και τα δύο με αποδοτικότητα ρεύματος 2Α.

Ο οδηγητής είναι εξαιρετικά ανθεκτικός και πρακτικά ισχυρός σε καταστάσεις που δεν ορίζουν τάση du/dt. Αυτό, χάρην της εφαρμογής από την εταιρεία IXYS της τεχνολογικής διαδικασίας: high-voltage BCDMOS στο επίπεδο SOI (silicon on insulator, δηλ. πυρίτιο σε μονωτήρα). Η BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) είναι καθοριστική τεχνολογία σε ολοκληρωμένα κυκλώματα ισχύος. Σε ένα ολοκληρωμένο ενσωματώνονται πλεονεκτήματα: διπολικών κυκλωμάτων για λύσεις αναλογικές, κυκλωμάτων CMOS για ψηφιακές εφαρμογές, κυκλωμάτων DMOS για υψηλές τάσεις και ισχύ.

Άλλα χαρακτηριστικά:

  • αντοχή σε αλλαγές μη ορισμένων καταστάσεων τάσης du/dt
  • Συμβατότητα με την λογική τάσεων που εργάζονται στο πρότυπο 3,3V
  • UVLO (UnderVoltage LockOut) – εμπλοκή πτώσης τάσεως και στις δύο εξόδους, υψηλή και χαμηλή 

Κάτηγορία τάσης: +600V
Απόδοση ρεύματος: -2A/+2A
Προσαρμογή καθυστερήσεων μετάδοσης: 20ns

 
Δείτε το ολοκληρωμένο IX2113 σε έκδοση SMD και THT »

 

Σύμβολο Περιγραφή
IX2113B IC:οδηγητής;high-/low-side,οδηγητής πύλης;-2÷2A;Κανάλια:2
IX2113G IC:οδηγητής;high-/low-side,οδηγητής πύλης;-2÷2A;Κανάλια:2

rightColumnPicture

ΔΙΑΒΆΣΤΕ ΕΠΊΣΗΣ