Przegledate stranicu za klijente iz: Croatia. Predlažemo za vas web stranicu USA / US
Panel kupca
U vašoj košarici
Registriraj se

FDN359ANONSEMI

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3

Oznaka proizvođača: FDN359AN

TME Simbol: FDN359AN

Manufacturer
ONSEMI
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
2.7A
Power dissipation
0.5W
Case
SuperSOT-3
Gate-source voltage
±20V
On-state resistance
75mΩ
Mounting
SMD
Gate charge
7nC
Kind of package
reel, tape
Kind of channel
enhanced
Features of semiconductor devices
logic level
Težina bruto0.02 g
Način pakiranjaRola = 3000 komad
Certifikati
Pogledajte ostale proizvode u ovoj kategoriji: Tranzistori s kanalom N SMD ONSEMI
*
Količina (Višekratnost: 1)
Pitajte za cijenu ako želite veću količinu
Način isporuke i troškovi
Plaćanje
Dokumentacija se ne ažurira automatski, no trudimo se na sve moguće načine pružiti najnovije verzije dokumenata.

Vaš preglednik više nije podržan, preuzmite novu verziju

Chrome Chrome Preuzmi
Firefox Firefox Preuzmi
Opera Opera Preuzmi
Internet explorer Internet Explorer Preuzmi