Модули IGBT на фирма ST MICROELECTRONICS

Модули IGBT на фирма ST MICROELECTRONICS, A1C15S12M3, A1P35S12M3, A1P50S65M2, A2C50S65M2 |BG|
Символ Производител Тип на полупроводниковия модул Структура Urmax Ic Icm Uge Pd Кутия Мех. монтаж Ел. монтаж Топология Приложение
[V] [A] [A] [V] [W]
A1C15S12M3 STMicroelectronics IGBT диод/транзистор 1,2k 15 30 ±20 142,8 ACEPACK1 завинтване Press-in PCB boost chopper, 3-фазен диоден мост, полумост IGBT x3, термистор NTC инвертор, двигатели
A1P35S12M3 STMicroelectronics IGBT транзистор/транзистор 1,2k 35 70 ±20 250 ACEPACK1 завинтване Press-in PCB полумост IGBT x3, термистор NTC инвертор, двигатели
A1P50S65M2 STMicroelectronics IGBT транзистор/транзистор 650 50 100 ±20 208 ACEPACK1 завинтване Press-in PCB полумост IGBT x3, термистор NTC инвертор, двигатели
A2C50S65M2 STMicroelectronics IGBT диод/транзистор 650 50 100 ±20 208 ACEPACK2 завинтване Press-in PCB boost chopper, 3-фазен диоден мост, полумост IGBT x3, термистор NTC инвертор, двигатели
STGE200NB60S STMicroelectronics IGBT единичен транзистор 600 150 400 ±20 600 ISOTOP завинтване завинтване - -
STGSH80HB65DAG STMicroelectronics IGBT транзистор/транзистор 650 68 269 ±20 250 ACEPACK SMIT - SMT полумост IGBT -