Moduly MOSFET firmy MICROCHIP TECHNOLOGY (MICROSEMI), APTM10DUM02G, APTM120DU15G, APTM20DUM04G |CS|

Symbol	Polarizace	Struktura	U_ds	I_d	I_dm	U_gs	R_ds(on)	Ztrátový výkon	Kryt	Mech. montáž	Elektr. montáž	Technologie	Topologie	Kanál	Druh balení	Standardní balení výrobce	Použití	Pracovní teplota	Montáž	Pracovní napětí	U_nap.
			[V]	[A]	[A]	[V]	[Ω]	[W]								[ks.]		[°C]		[V]	[V]
APTM10DUM02G	-	tranzistor/tranzistor, společný emitor	100	370	1900	±30	2,5m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 5^®	MOSFET x2	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM120DU15G	-	tranzistor/tranzistor, společný emitor	1,2k	45	240	±30	175m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	MOSFET x2	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20DUM04G	-	tranzistor/tranzistor, společný emitor	200	278	1488	±30	5m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	MOSFET x2	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20DUM05G	-	tranzistor/tranzistor, společný emitor	200	237	1268	±30	6m	1136	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	MOSFET x2	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20DUM08TG	-	tranzistor/tranzistor, společný emitor	200	155	832	±30	10m	781	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	MOSFET x2, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC60AM24T1G	-	tranzistor/tranzistor	600	70	260	±20	24m	462	SP1	přišroubováním	Press-in PCB	CoolMOS	polomůstek MOSFET, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC60AM45T1G	-	tranzistor/tranzistor	600	38	130	±20	45m	250	SP1	přišroubováním	Press-in PCB	CoolMOS	polomůstek MOSFET, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC60HM24T3G	-	tranzistor/tranzistor	600	70	260	±20	24m	462	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	SJ-MOSFET	můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC60HM45T1G	-	tranzistor/tranzistor	600	38	130	±20	45m	250	SP1	přišroubováním	Press-in PCB	CoolMOS, SJ-MOSFET	můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC60TAM24TPG	-	tranzistor/tranzistor	600	70	260	±20	24m	462	SP6P	přišroubováním	Press-in PCB	CoolMOS, SJ-MOSFET	polomůstek MOSFET x3, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC80H29T3G	-	tranzistor/tranzistor	800	11	60	±30	290m	156	SP3	přišroubováním	Press-in PCB	SJ-MOSFET	můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM08TAM04PG	-	tranzistor/tranzistor	75	90	250	±30	4,5m	138	SP6P	přišroubováním	Press-in PCB	-	polomůstek MOSFET x3	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100A18FTG	-	tranzistor/tranzistor	1k	33	172	±30	210m	780	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100AM90FG	-	tranzistor/tranzistor	1k	59	312	±30	105m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100H18FG	-	tranzistor/tranzistor	1k	33	172	±30	210m	780	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	můstek H	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100H35FT3G	-	tranzistor/tranzistor	1k	17	88	±30	420m	390	SP3	přišroubováním	Press-in PCB	FREDFET, POWER MOS 7^®	můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100H35FTG	-	tranzistor/tranzistor	1k	17	88	±30	420m	390	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100H45FT3G	-	tranzistor/tranzistor	1k	14	72	±30	540m	357	SP3	přišroubováním	Press-in PCB	FREDFET, POWER MOS 7^®	můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100H46FT3G	-	tranzistor/tranzistor	1k	14	120	±30	552m	357	SP3	přišroubováním	Press-in PCB	POWER MOS 8^®	můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100TA35FPG	-	tranzistor/tranzistor	1k	17	88	±30	420m	390	SP6P	přišroubováním	Press-in PCB	FREDFET, POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET x3	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM10AM02FG	-	tranzistor/tranzistor	100	370	1900	±30	2,5m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 5^®	polomůstek MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM10AM05FTG	-	tranzistor/tranzistor	100	207	1100	±30	5m	780	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 5^®	polomůstek MOSFET, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM10HM05FG	-	tranzistor/tranzistor	100	207	1100	±30	5m	780	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 5^®	můstek H	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM10HM09FT3G	-	tranzistor/tranzistor	100	100	430	±30	10m	390	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	FREDFET, POWER MOS 5^®	můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM10HM19FT3G	-	tranzistor/tranzistor	100	50	300	±30	21m	208	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	FREDFET, POWER MOS 5^®	můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM10TAM09FPG	-	tranzistor/tranzistor	100	100	430	±30	10m	390	SP6P	přišroubováním	Press-in PCB	FREDFET, POWER MOS 5^®	polomůstek MOSFET x3	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM10TAM19FPG	-	tranzistor/tranzistor	100	50	300	±30	21m	208	SP6P	přišroubováním	Press-in PCB	FREDFET, POWER MOS 5^®	polomůstek MOSFET x3	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM120A15FG	-	tranzistor/tranzistor	1,2k	45	240	±30	175m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM120A29FTG	-	tranzistor/tranzistor	1,2k	25	136	±30	348m	780	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM120H140FT1G	-	tranzistor/tranzistor	1,2k	6	50	±30	1,68	208	SP1	přišroubováním	Press-in PCB	POWER MOS 8^®	můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM120H29FG	-	tranzistor/tranzistor	1,2k	25	136	±30	348m	780	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	můstek H	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20AM04FG	-	tranzistor/tranzistor	200	278	1488	±30	5m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20AM05FG	-	tranzistor/tranzistor	200	237	1268	±30	6m	1136	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20HM08FG	-	tranzistor/tranzistor	200	155	832	±30	10m	781	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	můstek H	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20HM10FG	-	tranzistor/tranzistor	200	131	700	±30	12m	694	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	můstek H	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20HM16FTG	-	tranzistor/tranzistor	200	77	416	±30	19m	390	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20HM20FTG	-	tranzistor/tranzistor	200	66	356	±30	24m	357	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20TAM16FPG	-	tranzistor/tranzistor	200	77	416	±30	19m	390	SP6P	přišroubováním	Press-in PCB	FREDFET, POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET x3	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50AM17FG	-	tranzistor/tranzistor	500	135	720	±30	20m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50AM19FG	-	tranzistor/tranzistor	500	122	652	±30	22,5m	1136	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50AM35FTG	-	tranzistor/tranzistor	500	74	396	±30	39m	781	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50AM38FTG	-	tranzistor/tranzistor	500	67	360	±30	45m	694	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50H10FT3G	-	tranzistor/tranzistor	500	28	140	±30	120m	312	SP3	přišroubováním	Press-in PCB	FREDFET, POWER MOS 7^®	můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50H14FT3G	-	tranzistor/tranzistor	500	18	105	±30	168m	208	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	FREDFET, POWER MOS 7^®	můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50H15FT1G	-	tranzistor/tranzistor	500	19	135	±30	156m	208	SP1	přišroubováním	Press-in PCB	FREDFET, POWER MOS 8^®	můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50HM35FG	-	tranzistor/tranzistor	500	74	396	±30	39m	781	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	můstek H	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50HM38FG	-	tranzistor/tranzistor	500	67	360	±30	45m	694	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	můstek H	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50HM65FT3G	-	tranzistor/tranzistor	500	38	204	±30	78m	390	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	FREDFET, POWER MOS 7^®	můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50HM65FTG	-	tranzistor/tranzistor	500	38	204	±30	78m	390	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50HM75FT3G	-	tranzistor/tranzistor	500	34	184	±30	90m	357	SP3	přišroubováním	Press-in PCB	FREDFET, POWER MOS 7^®	můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50HM75FTG	-	tranzistor/tranzistor	500	34	184	±30	90m	357	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50TAM65FPG	-	tranzistor/tranzistor	500	38	204	±30	78m	390	SP6P	přišroubováním	Press-in PCB	FREDFET, POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET x3	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM60A11FT1G	-	tranzistor/tranzistor	600	30	245	±30	110m	390	SP1	přišroubováním	Press-in PCB	FREDFET, POWER MOS 8^®	polomůstek MOSFET, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM60H23FT1G	-	tranzistor/tranzistor	600	15	125	±30	230m	208	SP1	přišroubováním	Press-in PCB	FREDFET, POWER MOS 8^®	můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCM20AM058G	-	tranzistor/tranzistor	200	250	-	-	5m	-	LP8	přišroubováním	-	SiC	polomůstek MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCM20XM10T3XG	-	tranzistor/tranzistor	200	84	-	-	10m	-	SP3X	přišroubováním	-	SiC	třífázový můstek MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCM20XM16F4G	-	tranzistor/tranzistor	200	77	-	-	16m	-	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	SiC	třífázový můstek MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM70AM025CD3AG	-	tranzistor/tranzistor	700	538	-	-	2,5m	-	D3	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	SiC	polomůstek MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-
APL502J	unipolární	jeden tranzistor	500	52	208	±30	90m	568	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	Linear	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APL602J	unipolární	jeden tranzistor	600	43	172	±30	125m	565	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	Linear	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT10021JFLL	unipolární	jeden tranzistor	1k	37	148	±30	210m	694	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT10021JLL	unipolární	jeden tranzistor	1k	37	148	±30	210m	694	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT10025JVFR	unipolární	jeden tranzistor	1k	34	136	±30	250m	700	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT10025JVR	unipolární	jeden tranzistor	1k	34	136	±30	250m	700	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT10026JFLL	unipolární	jeden tranzistor	1k	30	120	±30	280m	595	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT10026JLL	unipolární	jeden tranzistor	1k	30	120	±30	260m	595	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT10035JFLL	unipolární	jeden tranzistor	1k	25	100	±30	370m	520	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT10035JLL	unipolární	jeden tranzistor	1k	25	100	±30	350m	520	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT10045JFLL	unipolární	jeden tranzistor	1k	21	84	±30	460m	460	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT10045JLL	unipolární	jeden tranzistor	1k	21	84	±30	450m	460	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT10050JVFR	unipolární	jeden tranzistor	1k	19	76	±30	500m	450	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT100F50J	unipolární	jeden tranzistor	500	65	490	±30	36m	960	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT100M50J	unipolární	jeden tranzistor	500	65	490	±30	36m	960	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT10M07JVFR	unipolární	jeden tranzistor	100	225	900	±30	7m	700	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT10M11JVFR	unipolární	jeden tranzistor	100	144	576	±30	11m	450	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT12031JFLL	unipolární	jeden tranzistor	1,2k	30	120	±30	330m	690	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT12040JVR	unipolární	jeden tranzistor	1,2k	26	-	±30	400m	700	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT12057JFLL	unipolární	jeden tranzistor	1,2k	19	76	±30	570m	520	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT12067JFLL	unipolární	jeden tranzistor	1,2k	17	68	±30	670m	463	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT12080JVFR	unipolární	jeden tranzistor	1,2k	15	60	±30	800m	450	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT17F120J	unipolární	jeden tranzistor	1,2k	12	104	±30	580m	545	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT19F100J	unipolární	jeden tranzistor	1k	13	120	±30	440m	460	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT19M120J	unipolární	jeden tranzistor	1,2k	12	104	±30	530m	545	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT20M11JFLL	unipolární	jeden tranzistor	200	176	704	±30	11m	694	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT20M11JLL	unipolární	jeden tranzistor	200	176	704	±30	11m	694	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT20M11JVFR	unipolární	jeden tranzistor	200	175	700	±30	11m	700	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT20M11JVR	unipolární	jeden tranzistor	200	175	700	±30	11m	700	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS V^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT20M20JFLL	unipolární	jeden tranzistor	200	104	416	±30	20m	463	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT20M20JLL	unipolární	jeden tranzistor	200	104	416	±30	20m	463	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT20M22JVR	unipolární	jeden tranzistor	200	97	388	±30	22m	450	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT21M100J	unipolární	jeden tranzistor	1k	13	120	±30	380m	462	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT22F100J	unipolární	jeden tranzistor	1k	15	140	±30	380m	545	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT25M100J	unipolární	jeden tranzistor	1k	16	140	±30	330m	545	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT29F80J	unipolární	jeden tranzistor	800	19	173	±30	210m	543	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT30M19JVFR	unipolární	jeden tranzistor	300	130	520	±30	19m	700	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS V^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT30M19JVR	unipolární	jeden tranzistor	300	130	520	±30	19m	700	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT30M30JLL	unipolární	jeden tranzistor	300	88	352	±30	30m	520	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT30M36JFLL	unipolární	jeden tranzistor	300	76	304	±30	36m	463	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT30M36JLL	unipolární	jeden tranzistor	300	76	304	±30	36m	463	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT30M40JVFR	unipolární	jeden tranzistor	300	70	280	±30	40m	450	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT30M40JVR	unipolární	jeden tranzistor	300	70	280	±30	40m	450	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT32F120J	unipolární	jeden tranzistor	1,2k	21	195	±30	320m	960	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT32M80J	unipolární	jeden tranzistor	800	20	173	±30	190m	543	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT34M120J	unipolární	jeden tranzistor	1,2k	22	195	±30	290m	960	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT38F50J	unipolární	jeden tranzistor	500	24	175	±30	100m	355	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT38M50J	unipolární	jeden tranzistor	500	24	175	±30	100m	357	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT39F60J	unipolární	jeden tranzistor	600	26	210	±30	110m	480	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT39M60J	unipolární	jeden tranzistor	600	26	210	±30	110m	480	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT40M35JVR	unipolární	jeden tranzistor	400	93	-	±30	35m	700	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT40M70JVR	unipolární	jeden tranzistor	400	53	-	±30	70m	450	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT41F100J	unipolární	jeden tranzistor	1k	42	260	±30	200m	960	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT45M100J	unipolární	jeden tranzistor	1k	28	260	±30	180m	960	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT47F60J	unipolární	jeden tranzistor	600	31	245	±30	90m	540	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT47M60J	unipolární	jeden tranzistor	600	31	245	±30	90m	540	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT5010JFLL	unipolární	jeden tranzistor	500	41	164	±30	100m	378	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT5010JLL	unipolární	jeden tranzistor	500	41	164	±30	100m	378	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT5010JVFR	unipolární	jeden tranzistor	500	44	176	±30	100m	450	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT5010JVR	unipolární	jeden tranzistor	500	44	176	±30	100m	450	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT50M38JFLL	unipolární	jeden tranzistor	500	88	352	±30	38m	694	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT50M38JLL	unipolární	jeden tranzistor	500	88	352	±30	38m	694	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT50M50JFLL	unipolární	jeden tranzistor	500	71	284	±30	50m	595	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT50M50JLL	unipolární	jeden tranzistor	500	71	284	±30	50m	595	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT50M50JVFR	unipolární	jeden tranzistor	500	77	308	±30	50m	700	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT50M50JVR	unipolární	jeden tranzistor	500	77	308	±30	50m	700	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT50M65JFLL	unipolární	jeden tranzistor	500	58	232	±30	65m	520	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT50M65JLL	unipolární	jeden tranzistor	500	58	232	±30	65m	520	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT50M75JFLL	unipolární	jeden tranzistor	500	51	204	±30	75m	460	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT50M75JLL	unipolární	jeden tranzistor	500	51	204	±30	75m	460	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT50M85JVFR	unipolární	jeden tranzistor	500	50	200	±30	85m	500	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT50M85JVR	unipolární	jeden tranzistor	500	50	200	±30	85m	500	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT51F50J	unipolární	jeden tranzistor	500	32	230	±30	75m	480	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT51M50J	unipolární	jeden tranzistor	500	32	230	±30	75m	480	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT53F80J	unipolární	jeden tranzistor	800	36	325	±30	110m	960	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT58F50J	unipolární	jeden tranzistor	500	37	270	±30	65m	540	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT58M50J	unipolární	jeden tranzistor	500	37	270	±30	65m	540	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT58M80J	unipolární	jeden tranzistor	800	60	325	±30	100m	960	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT6010JFLL	unipolární	jeden tranzistor	600	47	188	±30	100m	520	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT6010JLL	unipolární	jeden tranzistor	600	47	188	±30	100m	520	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT6013JFLL	unipolární	jeden tranzistor	600	39	156	±30	130m	460	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT6013JLL	unipolární	jeden tranzistor	600	39	156	±30	130m	460	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT6017JFLL	unipolární	jeden tranzistor	600	31	124	±30	170m	375	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT60M60JFLL	unipolární	jeden tranzistor	600	70	280	±30	60m	694	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT60M60JLL	unipolární	jeden tranzistor	600	70	280	±30	60m	694	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT60M75JFLL	unipolární	jeden tranzistor	600	58	232	±30	75m	595	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT60M75JLL	unipolární	jeden tranzistor	600	58	232	±30	75m	595	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT60M75JVR	unipolární	jeden tranzistor	600	62	248	±30	75m	700	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT8011JFLL	unipolární	jeden tranzistor	800	51	204	±30	125m	694	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT8011JLL	unipolární	jeden tranzistor	800	51	204	±30	110m	694	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT8014JFLL	unipolární	jeden tranzistor	800	42	168	±30	160m	595	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT8014JLL	unipolární	jeden tranzistor	800	42	168	±30	140m	595	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT8015JVFR	unipolární	jeden tranzistor	800	44	176	±30	150m	700	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT8015JVR	unipolární	jeden tranzistor	800	44	176	±30	150m	700	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT8020JFLL	unipolární	jeden tranzistor	800	33	132	±30	220m	520	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT8020JLL	unipolární	jeden tranzistor	800	33	132	±30	200m	520	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT8024JFLL	unipolární	jeden tranzistor	800	29	116	±30	260m	460	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT8024JLL	unipolární	jeden tranzistor	800	29	116	±30	240m	460	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT8030JVFR	unipolární	jeden tranzistor	800	25	100	±30	300m	450	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT80F60J	unipolární	jeden tranzistor	600	52	447	±30	55m	961	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APT80M60J	unipolární	jeden tranzistor	600	52	445	±30	55m	960	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	-	obohacený	tuba	-	-	-	-	-	-
APTM100UM45FAG	unipolární	jeden tranzistor	1k	160	860	±30	52m	5k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100UM60FAG	unipolární	jeden tranzistor	1k	97	516	±30	70m	2272	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100UM65DAG	unipolární	jeden tranzistor	1k	110	580	±30	78m	3,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	-	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM10UM01FAG	unipolární	jeden tranzistor	100	640	2200	±30	1,6m	2,5k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 5^®	-	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM10UM02FAG	unipolární	jeden tranzistor	100	429	1900	±30	2,5m	1,66k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 5^®	-	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM120UM70FAG	unipolární	jeden tranzistor	1,2k	126	684	±30	80m	5k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	-	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50UM09FAG	unipolární	jeden tranzistor	500	371	1988	±30	10m	5k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MSC015SMA070J	unipolární	jeden tranzistor	700	-	-	-	-	-	SOT227B	přišroubováním	přišroubováním	SiC	-	-	tuba	10	-	-	-	-	-
MSC017SMA120J	unipolární	jeden tranzistor	1,2k	62	280	-10...23	22m	278	SOT227B	přišroubováním	přišroubováním	SiC	-	-	tuba	10	-	-	-	-	-
MSC025SMA120J	unipolární	jeden tranzistor	1,2k	54	275	-	31m	278	SOT227B	přišroubováním	přišroubováním	SiC	-	-	tuba	10	-	-	-	-	-
MSC035SMA070J	unipolární	jeden tranzistor	700	-	-	-	-	-	SOT227B	přišroubováním	přišroubováním	SiC	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MSC040SMA120J	unipolární	jeden tranzistor	1,2k	37	105	-	50m	208	SOT227B	přišroubováním	přišroubováním	SiC	-	-	tuba	10	-	-	-	-	-
MSC080SMA120J	unipolární	jeden tranzistor	1,2k	24	111	-10...23	100m	165	SOT227B	přišroubováním	přišroubováním	SiC	-	-	tuba	10	-	-	-	-	-
MSC080SMA120JS15	unipolární	jeden tranzistor	1,2k	24	111	-10...23	100m	165	SOT227B	přišroubováním	přišroubováním	SiC	-	-	tuba	10	-	-	-	-	-
APT10M11JVRU2	-	dioda/tranzistor	100	106	576	±30	11m	450	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	boost chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APT10M11JVRU3	-	dioda/tranzistor	100	106	576	±30	11m	450	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	buck chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APT20M120JCU2	-	dioda/tranzistor	200	15	104	±30	672m	543	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	boost chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APT20M120JCU3	-	dioda/tranzistor	200	15	104	±30	672m	543	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	buck chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APT20M22JVRU2	-	dioda/tranzistor	200	72	388	±30	22m	450	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	boost chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APT20M22JVRU3	-	dioda/tranzistor	200	72	388	±30	22m	450	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	buck chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APT26M100JCU2	-	dioda/tranzistor	1k	20	140	±30	396m	543	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	boost chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APT26M100JCU3	-	dioda/tranzistor	1k	20	140	±30	396m	543	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	buck chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APT5010JLLU2	-	dioda/tranzistor	500	30	164	±30	100m	378	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	boost chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APT5010JLLU3	-	dioda/tranzistor	500	30	164	±30	100m	378	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	buck chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APT5010JVRU2	-	dioda/tranzistor	500	33	176	±30	100m	450	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	boost chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APT5010JVRU3	-	dioda/tranzistor	500	33	176	±30	100m	450	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 5^®	buck chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APT50M75JLLU2	-	dioda/tranzistor	500	39	204	±30	75m	290	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	boost chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APT50M75JLLU3	-	dioda/tranzistor	500	39	204	±30	75m	290	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®	buck chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APT50N60JCCU2	-	dioda/tranzistor	600	38	130	±20	45m	290	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	CoolMOS	boost chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APT58M50JCU2	-	dioda/tranzistor	500	43	270	±30	65m	543	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	boost chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APT58M50JU2	-	dioda/tranzistor	500	43	270	±30	65m	543	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	boost chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APT58M50JU3	-	dioda/tranzistor	500	43	270	±30	65m	543	ISOTOP	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 8^®	buck chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC60AM35SCTG	-	dioda/tranzistor	600	72	288	±30	35m	416	SP4	přišroubováním	konektory FASTON	CoolMOS	-	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC60AM45B1G	-	dioda/tranzistor	600	38	130	±20	45m	250	SP1	přišroubováním	Press-in PCB	CoolMOS	boost chopper, polomůstek MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC60BBM24T3G	-	dioda/tranzistor	600	70	260	±20	24m	462	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	CoolMOS	buck-boost chopper, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC60DDAM24T3G	-	dioda/tranzistor	600	70	260	±20	24m	462	SP3	přišroubováním	Press-in PCB	SJ-MOSFET	boost chopper x2, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC60DDAM45T1G	-	dioda/tranzistor	600	38	130	±20	45m	250	SP1	přišroubováním	Press-in PCB	CoolMOS, SJ-MOSFET	boost chopper x2, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC60DHM24T3G	-	dioda/tranzistor	600	70	260	±20	24m	462	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	SJ-MOSFET	asymetrický můstek, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC60DSKM24T3G	-	dioda/tranzistor	600	70	260	±20	24m	462	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	SJ-MOSFET	boost chopper x2, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC60HM70BT3G	-	dioda/tranzistor	600	29	160	±20	70m	250	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	CoolMOS	boost chopper, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC60SKM24T1G	-	dioda/tranzistor	600	70	260	±20	24m	462	SP1	přišroubováním	Press-in PCB	CoolMOS, SJ-MOSFET	buck chopper, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC60VDAM24T3G	-	dioda/tranzistor	600	70	260	±20	24m	462	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	SJ-MOSFET	boost chopper x2, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC60VDAM45T1G	-	dioda/tranzistor	600	38	130	±20	45m	250	SP1	přišroubováním	Press-in PCB	CoolMOS, SJ-MOSFET	boost chopper x2, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTCV60HM45BT3G	-	dioda/tranzistor	600	38	130	±20	45m	250	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	CoolMOS, Field Stop, Trench	boost chopper, můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100A13DG	-	dioda/tranzistor	1k	49	240	±30	156m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET + sériové diody	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100A13SG	-	dioda/tranzistor	1k	49	240	±30	156m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET + sériové diody + paralelní diody	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100A23STG	-	dioda/tranzistor	1k	27	144	±30	270m	694	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET + sériové diody + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100DA18TG	-	dioda/tranzistor	1k	33	172	±30	210m	780	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	boost chopper, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100DAM90G	-	dioda/tranzistor	1k	59	312	±30	105m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	boost chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100DSK35T3G	-	dioda/tranzistor	1k	17	88	±30	420m	390	SP3	přišroubováním	Press-in PCB	POWER MOS 7^®	buck chopper x2, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100H45STG	-	dioda/tranzistor	1k	14	72	±30	540m	357	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	můstek H + paralelní diody + sériové diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100SK33T1G	-	dioda/tranzistor	1k	17	140	±30	396m	390	SP1	přišroubováním	Press-in PCB	POWER MOS 8^®	buck chopper, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100UM45DAG	-	dioda/tranzistor	1k	160	860	±30	52m	5k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	jeden tranzistor + sériová dioda	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100UM65SAG	-	dioda/tranzistor	1k	110	580	±30	78m	3,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	jeden tranzistor + sériová dioda + paralelní dioda	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM10DAM02G	-	dioda/tranzistor	100	370	1900	±30	2,5m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 5^®	boost chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM10DAM05TG	-	dioda/tranzistor	100	207	1100	±30	5m	780	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 5^®	boost chopper, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM10DHM05G	-	dioda/tranzistor	100	207	1100	±30	5m	780	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 5^®	asymetrický můstek	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM10DSKM09T3G	-	dioda/tranzistor	100	100	430	±30	10m	390	SP3	přišroubováním	Press-in PCB	POWER MOS 5^®	buck chopper x2, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM10DSKM19T3G	-	dioda/tranzistor	100	50	300	±30	21m	208	SP3	přišroubováním	Press-in PCB	POWER MOS 5^®	buck chopper x2, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM10SKM02G	-	dioda/tranzistor	100	370	1900	±30	2,5m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 5^®	buck chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM10SKM05TG	-	dioda/tranzistor	100	207	1100	±30	5m	780	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 5^®	buck chopper, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM120A20DG	-	dioda/tranzistor	1,2k	37	200	±30	240m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET + sériové diody	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM120A20SG	-	dioda/tranzistor	1,2k	37	200	±30	240m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET + sériové diody + paralelní diody	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM120DA30T1G	-	dioda/tranzistor	1,2k	23	195	±30	360m	657	SP1	přišroubováním	Press-in PCB	POWER MOS 8^®	boost chopper, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM120U10SAG	-	dioda/tranzistor	1,2k	86	464	±30	120m	3,29k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	jeden tranzistor + sériová dioda + paralelní dioda	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM120UM70DAG	-	dioda/tranzistor	1,2k	126	684	±30	80m	5k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	jeden tranzistor + sériová dioda	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20AM06SG	-	dioda/tranzistor	200	225	1200	±30	7,2m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET + sériové diody + paralelní diody	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20AM08FTG	-	dioda/tranzistor	200	155	832	±30	10m	781	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20AM10FTG	-	dioda/tranzistor	200	131	700	±30	12m	694	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20AM10STG	-	dioda/tranzistor	200	131	700	±30	12m	694	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET + sériové diody + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20DAM04G	-	dioda/tranzistor	200	278	1488	±30	5m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	boost chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20DAM05G	-	dioda/tranzistor	200	237	1268	±30	6m	1136	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	boost chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20DAM08TG	-	dioda/tranzistor	200	155	832	±30	10m	781	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	boost chopper, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20HM20STG	-	dioda/tranzistor	200	66	356	±30	24m	357	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	můstek H + paralelní diody + sériové diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20SKM04G	-	dioda/tranzistor	200	278	1488	±30	5m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	buck chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20SKM08TG	-	dioda/tranzistor	200	155	832	±30	10m	781	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	buck chopper, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20UM03FAG	-	dioda/tranzistor	200	434	2320	±30	3,6m	2,27k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	FREDFET, POWER MOS 7^®	jeden tranzistor + sériová dioda + paralelní dioda	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM20UM04SAG	-	dioda/tranzistor	200	310	1670	±30	5m	1,56k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	jeden tranzistor + sériová dioda + paralelní dioda	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50AM24SG	-	dioda/tranzistor	500	110	600	±30	28m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET + sériové diody + paralelní diody	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50AM38STG	-	dioda/tranzistor	500	67	360	±30	45m	694	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	polomůstek MOSFET + sériové diody + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50DAM17G	-	dioda/tranzistor	500	135	720	±30	20m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	boost chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50DAM19G	-	dioda/tranzistor	500	122	652	±30	22,5m	1136	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	boost chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50DHM38G	-	dioda/tranzistor	500	67	360	±30	45m	694	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	asymetrický můstek	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50HM75STG	-	dioda/tranzistor	500	34	184	±30	90m	357	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	můstek H + paralelní diody + sériové diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50SKM17G	-	dioda/tranzistor	500	135	720	±30	20m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	buck chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50SKM19G	-	dioda/tranzistor	500	122	652	±30	22,5m	1136	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	buck chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50UM13SAG	-	dioda/tranzistor	500	250	1340	±30	15m	3,29k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®	jeden tranzistor + sériová dioda + paralelní dioda	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCC60AM23C4AG	-	dioda SiC/tyristor/tranzistor	600	81	-	-	23m	-	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	SiC	Vienna Rectifier	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCC60VRM45TAPG	-	dioda SiC/tyristor/tranzistor	600	40	-	-	45m	-	SP6P	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	Vienna Rectifier	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM70VM10C4AG	-	dioda SiC/tyristor/tranzistor	700	189	476	-	9,5m	674	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	SiC	Vienna Rectifier	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM70VM19C3AG	-	dioda SiC/tyristor/tranzistor	700	98	250	-	19m	365	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	Vienna Rectifier	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC60AM24SCTG	-	dioda SiC/tranzistor	600	70	260	±20	24m	462	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	CoolMOS, SiC	polomůstek MOSFET, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC60AM45BC1G	-	dioda SiC/tranzistor	600	38	130	±20	45m	250	SP1	přišroubováním	Press-in PCB	CoolMOS, SiC	boost chopper, polomůstek MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC60HM45SCTG	-	dioda SiC/tranzistor	600	38	130	±20	45m	250	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	CoolMOS, SiC, SJ-MOSFET	můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC60SKM24CT1G	-	dioda SiC/tranzistor	600	70	260	±20	24m	462	SP1	přišroubováním	Press-in PCB	SiC, SJ-MOSFET	buck chopper, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTC60TAM21SCTPAG	-	dioda SiC/tranzistor	600	87	400	±20	21m	625	SP6P	přišroubováním	Press-in PCB	CoolMOS, SiC	polomůstek MOSFET x3, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTCV60HM45BC20T3G	-	dioda SiC/tranzistor	600	38	130	±20	45m	250	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	CoolMOS, Field Stop, SiC, Trench	boost chopper, můstek H, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100A13SCG	-	dioda SiC/tranzistor	1k	49	240	±30	156m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®, SiC	polomůstek MOSFET + sériové diody + paralelní diody	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100H45SCTG	-	dioda SiC/tranzistor	1k	14	72	±30	540m	357	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®, SiC	můstek H + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100TA35SCTPG	-	dioda SiC/tranzistor	1k	17	88	±30	420m	390	SP6P	přišroubováním	Press-in PCB	POWER MOS 7^®, SiC	termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM100UM65SCAVG	-	dioda SiC/tranzistor	1k	110	580	±30	78m	3,25k	SP6	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®, SiC	jeden tranzistor + sériová dioda + paralelní dioda	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM120DA30CT1G	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	23	195	±30	360m	657	SP1	přišroubováním	Press-in PCB	POWER MOS 8^®, SiC	boost chopper, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM120U10SCAVG	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	86	464	±30	120m	3,29k	SP6	přišroubováním	přišroubováním	POWER MOS 7^®, SiC	jeden tranzistor + sériová dioda + paralelní dioda	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50AM24SCG	-	dioda SiC/tranzistor	500	110	600	±30	28m	1,25k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®, SiC	polomůstek MOSFET + sériové diody + paralelní diody	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50AM38SCTG	-	dioda SiC/tranzistor	500	67	360	±30	45m	694	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®, SiC	polomůstek MOSFET + sériové diody + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
APTM50HM75SCTG	-	dioda SiC/tranzistor	500	34	184	±30	90m	357	SP4	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	POWER MOS 7^®, SiC	můstek H + paralelní diody + sériové diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSC035SMA170J	-	dioda SiC/tranzistor	1,7k	40	200	-	45m	270	SOT227	přišroubováním	přišroubováním	SiC	-	-	tuba	10	-	-	-	-	-
MSC100SM70JCU2	-	dioda SiC/tranzistor	700	98	250	-	19m	365	SOT227B	přišroubováním	přišroubováním	SiC	boost chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
MSC100SM70JCU3	-	dioda SiC/tranzistor	700	98	250	-	19m	365	SOT227B	přišroubováním	přišroubováním	SiC	buck chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
MSC130SM120JCU2	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	138	350	-	16m	745	SOT227B	přišroubováním	přišroubováním	SiC	boost chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
MSC130SM120JCU3	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	138	350	-	16m	745	SOT227B	přišroubováním	přišroubováním	SiC	buck chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
MSC40SM120JCU2	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	44	110	-	50m	245	SOT227B	přišroubováním	přišroubováním	SiC	boost chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
MSC40SM120JCU3	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	44	110	-	50m	245	SOT227B	přišroubováním	přišroubováním	SiC	buck chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
MSC70SM120JCU2	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	71	180	-	31m	395	SOT227B	přišroubováním	přišroubováním	SiC	boost chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
MSC70SM120JCU3	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	71	180	-	31m	395	SOT227B	přišroubováním	přišroubováním	SiC	buck chopper	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM120AM027CD3AG	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	584	1400	-	3,5m	2,97k	D3	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	SiC	polomůstek MOSFET + paralelní diody	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM120AM027CT6AG	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	584	1400	-	3,5m	2,97k	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	SiC	polomůstek MOSFET + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM120AM042CD3AG	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	395	990	-	5,2m	2031	D3	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	SiC	polomůstek MOSFET + paralelní diody	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM120AM042CT6AG	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	395	990	-	5,2m	2031	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	SiC	polomůstek MOSFET + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM120AM08CT3AG	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	268	675	-	7,8m	1409	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	polomůstek MOSFET + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM120AM11CT3AG	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	202	500	-	10,4m	1067	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	polomůstek MOSFET + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM120AM16CT1AG	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	138	350	-	16m	745	SP1F	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	polomůstek MOSFET + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM120AM31CT1AG	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	71	180	-	31m	395	SP1F	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	polomůstek MOSFET + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM120AM50CT1AG	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	44	110	-	50m	245	SP1F	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	polomůstek MOSFET + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM120DAM11CT3AG	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	202	500	-	10,4m	1067	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	boost chopper, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM120HM16CT3AG	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	138	350	-	16m	745	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	můstek H + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM120HM31CT3AG	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	71	180	-	31m	395	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	můstek H + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM120HM50CT3AG	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	44	110	-	50m	245	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	můstek H + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM120SKM11CT3AG	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	202	500	-	10,4m	1067	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	buck chopper, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM120TAM11CTPAG	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	200	500	-	10,4m	1042	SP6P	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	polomůstek MOSFET x3 + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM120TAM16CTPAG	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	136	350	-	16m	728	SP6P	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	polomůstek MOSFET x3 + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM120TAM31CT3AG	-	dioda SiC/tranzistor	1,2k	71	180	-	31m	395	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	třífázový můstek MOSFET, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM70AM025CT6AG	-	dioda SiC/tranzistor	700	538	-	-	2,5m	-	SP6C	přišroubováním	konektory FASTON, přišroubováním	SiC	polomůstek MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM70AM07CT3AG	-	dioda SiC/tranzistor	700	281	700	-	6,4m	988	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	polomůstek MOSFET + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM70AM10CT3AG	-	dioda SiC/tranzistor	700	192	482	-	9,5m	690	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	polomůstek MOSFET + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM70AM19CT1AG	-	dioda SiC/tranzistor	700	98	250	-	19m	365	SP1F	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	polomůstek MOSFET + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM70HM19CT3AG	-	dioda SiC/tranzistor	700	98	250	-	19m	365	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	polomůstek MOSFET + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM70TAM05TPAG	-	dioda SiC/tranzistor	700	278	700	-	6,4m	966	SP6P	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	polomůstek MOSFET x3, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM70TAM10CTPAG	-	dioda SiC/tranzistor	700	189	476	-	9,5m	674	SP6P	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	polomůstek MOSFET x3 + paralelní diody, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM70TAM19CT3AG	-	dioda SiC/tranzistor	700	98	250	-	19m	365	SP3F	přišroubováním	Press-in PCB	SiC	třífázový můstek MOSFET, termistor NTC	-	-	-	-	-	-	-	-
MSCSM170AM058CD3AG	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	obohacený	-	-	automobilový průmysl	-40...175	-	-	-
MSCSM70DUM017AG	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	obohacený	-	-	-	-40...175	-	-	-
SIO1028I-JZX	-	-	-	-	-	-	-	-	QFN64	-	-	-	-	-	blistr	260	-	-	SMD	3,3	-
SIO1028-JZX	-	-	-	-	-	-	-	-	QFN64	-	-	-	-	-	blistr	260	-	-	SMD	3,3	-
SIO1028-JZX-TR	-	-	-	-	-	-	-	-	QFN64	-	-	-	-	-	role, páska	3000	-	-	SMD	3,3	-
SIO10N268-NU	-	-	-	-	-	-	-	-	TQFP128	-	-	-	-	-	blistr	90	-	-	SMD	3,3	3,3...3,3
SM120SKM31CTBL1NG	-	-	1,2k	79	-	-10...25	-	310	-	-	-	SiC	-	-	-	-	-	-	-	-	-

Výrobce	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ polovodičového modulu	tranzistorový MOSFET