Transistors MOSFET, VISHAY

Transistors MOSFET, VISHAY, 2N7002E-T1-GE3, 2N7002K-T1-E3, 2N7002K-T1-GE3, 2N7002-T1-E3 |FR|
Référence Indication du fabricant Fabricant Polarisation Genre de canal Transistor Uds Id Idm Rds(on) Puissance de dissipation Ugs QG Boîtier Montage Emballage Genre de transistor Caractéristiques Epaisseur de radiateur La technologie Utilisation Version Structure
[V] [A] [A] [Ω] [W] [V] [nC] [mm]
2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 0,24 1,3 3 0,22 ±20 0,6 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 0,19 0,8 2 0,14 ±20 0,6 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - ESD -
2N7002-T1-GE3 2N7002-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 0,115 0,8 13,5 0,08 ±20 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 4 20 540m 43 ±20 8,3 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 4 20 540m 43 ±20 8,3 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 4 20 540m 43 ±20 8,3 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 5 20 540m 43 ±20 8,3 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF520PBF IRF520PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 6,5 37 270m 60 ±20 16 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF530PBF IRF530PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 10 56 160m 88 ±20 26 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF530SPBF IRF530SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 10 56 160m 88 ±20 26 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF530STRLPBF IRF530STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 10 56 160m 88 ±20 26 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF530STRRPBF IRF530STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 10 56 160m 88 ±20 26 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
IRF540PBF IRF540PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 20 110 77m 150 ±20 72 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF540SPBF IRF540SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 20 110 77m 150 ±20 72 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF540STRLPBF IRF540STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 28 110 77m 150 ±20 72 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF540STRRPBF IRF540STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 28 110 77m 150 ±20 72 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF610LPBF IRF610LPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 3,3 - - - ±20 - I2PAK, TO262 THT - - - - - - - -
IRF610PBF IRF610PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 3,3 10 1,5 36 ±20 8,2 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF610SPBF IRF610SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 3,3 10 1,5 36 ±20 8,2 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 3,3 10 1,5 36 ±20 8,2 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF610STRRPBF IRF610STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 3,3 10 1,5 36 ±20 8,2 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF620PBF IRF620PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 5,2 18 800m 50 ±20 14 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF620SPBF IRF620SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 5,2 18 800m 50 ±20 14 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF620STRLPBF IRF620STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 5,2 18 800m 50 ±20 14 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF620STRRPBF IRF620STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 5,2 18 800m 50 ±20 14 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 5,7 36 400m 74 ±20 43 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 5,7 36 400m 74 ±20 43 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 5,7 36 400m 74 ±20 43 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF630STRRPBF IRF630STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 5,7 36 400m 74 ±20 43 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF634PBF IRF634PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 5,1 32 450m 74 ±20 41 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF634STRLPBF IRF634STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 5,1 32 450m 74 ±20 41 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
IRF634STRRPBF IRF634STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 5,1 32 450m 74 ±20 41 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 11 72 180m 125 ±20 70 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 11 72 180m 125 ±20 70 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 11 72 180m 130 ±20 70 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF640STRLPBF IRF640STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 11 72 180m 130 ±20 70 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF640STRRPBF IRF640STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 11 72 180m 130 ±20 70 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF644PBF IRF644PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 8,5 56 280m 125 ±20 68 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF644SPBF IRF644SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 8,5 56 280m 125 ±20 68 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF644STRLPBF IRF644STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 8,5 56 280m 125 ±20 68 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF644STRRPBF IRF644STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 8,5 56 280m 125 ±20 68 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF710PBF IRF710PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 1,2 6 3,6 36 ±20 17 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF710SPBF IRF710SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 1,2 6 3,6 36 ±20 17 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF710STRLPBF IRF710STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 1,2 6 3,6 36 ±20 17 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF720LPBF IRF720LPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 3,3 - - - ±20 - I2PAK, TO262 THT - - - - - - - -
IRF720PBF IRF720PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 2,1 13 1,8 50 ±20 20 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF720SPBF IRF720SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 2,1 13 1,8 50 ±20 20 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF720STRRPBF IRF720STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 2,1 13 1,8 50 ±20 20 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
IRF730APBF IRF730APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 5,5 22 1 74 ±30 22 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF730APBF-BE3 IRF730APBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 5,5 22 1 74 ±30 22 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF730ASPBF IRF730ASPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 5,5 22 1 74 ±30 22 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF730ASTRLPBF IRF730ASTRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 5,5 22 1 74 ±30 22 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF730PBF IRF730PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 3,5 - 1 74 ±20 38 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF730SPBF IRF730SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 3,5 - 1 74 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF730STRLPBF IRF730STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 3,5 22 1 74 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF730STRRPBF IRF730STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 3,5 22 1 74 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
IRF740ALPBF IRF740ALPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±30 36 I2PAK, TO262 THT tube - - - - - - -
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±30 36 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±30 36 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±30 36 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF740ASTRRPBF IRF740ASTRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±20 36 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±30 39 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±20 63 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±20 63 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF740SPBF IRF740SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±20 63 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF740STRLPBF IRF740STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±20 63 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF740STRRPBF IRF740STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±20 63 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF820ALPBF IRF820ALPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 2,5 10 3 50 ±30 17 I2PAK, TO262 THT tube - - - - - - -
IRF820APBF IRF820APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 2,5 10 3 50 ±30 17 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF820ASPBF IRF820ASPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 2,5 10 3 50 ±30 17 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF820LPBF IRF820LPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 2,5 - - - ±20 - I2PAK, TO262 THT - - - - - - - -
IRF820PBF IRF820PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 2,5 8 3 50 ±20 24 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF820SPBF IRF820SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 2,5 8 3 50 ±20 24 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF820STRLPBF IRF820STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 2,5 8 3 50 ±20 24 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF830ALPBF IRF830ALPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5 20 1,4 74 ±30 24 I2PAK, TO262 THT tube - - - - - - -
IRF830APBF IRF830APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5 20 1,4 74 ±30 24 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF830ASPBF IRF830ASPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5 20 1,4 74 ±30 24 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5 20 1,4 74 ±30 24 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF830BPBF IRF830BPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,3 10 1,5 104 ±30 20 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF830LPBF IRF830LPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 4,5 - - - ±20 38 I2PAK, TO262 THT - - - - - - - -
IRF830PBF IRF830PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 2,9 18 1,5 74 ±20 38 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF830SPBF IRF830SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 2,9 18 1,5 74 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF830STRLPBF IRF830STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 2,9 18 1,5 74 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF840ALPBF IRF840ALPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±30 38 I2PAK, TO262 THT tube - - - - - - -
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±30 38 TO220AB THT tube - - 1,14...1,4 - - - -
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±30 38 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±30 38 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF840ASTRRPBF IRF840ASTRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±30 38 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF840LCLPBF IRF840LCLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,1 28 850m 125 ±30 39 I2PAK, TO262 THT tube - - - - - - -
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,1 28 850m 125 ±30 39 TO220AB THT tube - - 1,14...1,4 - - - -
IRF840LCSPBF IRF840LCSPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,1 28 850m 125 ±30 39 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF840LCSTRRPBF IRF840LCSTRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,1 28 850m 125 ±20 39 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
IRF840LPBF IRF840LPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±20 63 I2PAK, TO262 THT - - - - - - - -
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±20 63 TO220AB THT tube - - 1,14...1,4 - - - -
IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±20 63 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF840STRLPBF IRF840STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±20 63 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF840STRRPBF IRF840STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±20 63 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF9510PBF IRF9510PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -4 -16 1,2 43 ±20 8,7 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF9510SPBF IRF9510SPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -4 -16 1,2 43 ±20 8,7 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF9510STRLPBF IRF9510STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -4 -16 1,2 43 ±20 8,7 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF9510STRRPBF IRF9510STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -4 -16 1,2 43 ±20 8,7 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF9520PBF IRF9520PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -4,8 -27 600m 60 ±20 18 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF9520SPBF IRF9520SPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -4,8 -27 600m 60 ±20 18 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF9520STRLPBF IRF9520STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -4,8 -27 600m 60 ±20 18 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF9520STRRPBF IRF9520STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -4,8 -27 600m 60 ±20 18 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF9530PBF IRF9530PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -8,2 -48 300m 88 ±20 38 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -12 - 300m 88 ±20 - TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF9530SPBF IRF9530SPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -8,2 -48 300m 88 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF9530STRLPBF IRF9530STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -8,2 -48 300m 88 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF9530STRRPBF IRF9530STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -8,2 -48 300m 88 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF9540PBF IRF9540PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -13 -72 200m 150 ±20 61 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF9540SPBF IRF9540SPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -13 -72 200m 150 ±20 61 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF9540STRLPBF IRF9540STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -13 -72 200m 150 ±20 61 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF9540STRRPBF IRF9540STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -13 -72 200m 150 ±20 61 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF9610PBF IRF9610PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -1 -7 3 20 ±20 11 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF9610SPBF IRF9610SPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -1 -7 3 20 ±20 11 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF9610STRRPBF IRF9610STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -1 -7 3 20 ±20 11 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF9620PBF IRF9620PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -2 -14 1,5 40 ±20 22 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF9620SPBF IRF9620SPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -2 -14 1,5 40 ±20 22 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF9620STRLPBF IRF9620STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -2 -14 1,5 40 ±20 - D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF9630PBF IRF9630PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -4 -26 800m 74 ±20 29 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF9630SPBF IRF9630SPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -4 -26 800m 74 ±20 29 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF9630STRLPBF IRF9630STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -4 -26 800m 74 ±20 29 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF9630STRRPBF IRF9630STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -4 -26 800m 74 ±20 - D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF9640LPBF IRF9640LPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -6,8 -44 500m 125 ±20 44 I2PAK, TO262 THT tube - - - - - - -
IRF9640PBF IRF9640PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -6,8 -44 500m 125 ±20 44 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF9640SPBF IRF9640SPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -6,8 -44 500m 125 ±20 44 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF9640STRLPBF IRF9640STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -6,8 -44 500m 125 ±20 44 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF9640STRRPBF IRF9640STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -6,8 -44 500m 125 ±20 44 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF9Z10PBF IRF9Z10PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -6,7 -27 500m 43 ±20 12 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF9Z14LPBF IRF9Z14LPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -6,7 - 500m 43 ±20 - I2PAK, TO262 THT tube - - - - - - -
IRF9Z14PBF IRF9Z14PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -6,7 -27 500m 43 ±20 12 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF9Z14SPBF IRF9Z14SPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -6,7 -27 500m 43 ±20 12 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF9Z14STRLPBF IRF9Z14STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -6,7 -27 500m 43 ±20 12 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF9Z14STRRPBF IRF9Z14STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -4,7 -27 500m 43 ±20 - D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF9Z20PBF IRF9Z20PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -50 -9,7 -39 280m 40 ±20 26 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -7,7 -44 280m 60 ±20 19 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -7,7 -44 280m 60 ±20 19 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF9Z24STRLPBF IRF9Z24STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -7,7 -44 280m 60 ±20 19 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF9Z24STRRPBF IRF9Z24STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -7,7 -44 280m 60 ±20 - D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -50 -18 -60 140m 74 ±20 39 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -18 -72 140m 88 ±20 34 TO220AB THT tube - - 1,14...1,4 - - - -
IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -18 -72 140m 88 ±20 34 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRF9Z34STRLPBF IRF9Z34STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -18 -72 140m 88 ±20 34 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRF9Z34STRRPBF IRF9Z34STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -18 -72 140m 88 ±20 34 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 7 - 520m 170 ±30 52 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFB11N50APBF-BE3 IRFB11N50APBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 11 - 520m 170 ±20 52 TO220-3 THT - - - - - - - -
IRFB13N50APBF IRFB13N50APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 14 56 450m 250 ±30 81 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 5,8 - 750m 170 ±30 49 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFBC20PBF IRFBC20PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 1,4 8 4,4 50 ±20 18 TO220AB THT tube - - 1,14...1,4 - - - -
IRFBC20SPBF IRFBC20SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 1,4 8 4,4 50 ±20 10 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRFBC20STRLPBF IRFBC20STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 1,4 8 4,4 50 ±20 18 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFBC30ALPBF IRFBC30ALPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 3,6 14 2,2 74 ±30 23 I2PAK, TO262 THT tube - - - - - - -
IRFBC30APBF IRFBC30APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 3,6 14 2,2 74 ±30 23 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFBC30ASPBF IRFBC30ASPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 3,6 14 2,2 74 ±30 23 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRFBC30ASTRLPBF IRFBC30ASTRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 3,6 14 2,2 74 ±30 23 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFBC30SPBF IRFBC30SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 3,6 14 2,2 74 ±20 31 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRFBC30STRLPBF IRFBC30STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 3,6 14 2,2 74 ±20 31 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFBC40APBF IRFBC40APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 3,9 25 1,2 125 ±30 42 TO220AB THT tube - - 1,14...1,4 - - - -
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 3,9 25 1,2 125 ±30 42 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRFBC40ASTRLPBF IRFBC40ASTRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 3,9 25 1,2 125 ±30 42 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFBC40ASTRRPBF IRFBC40ASTRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 3,9 25 1,2 125 ±30 42 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 3,9 25 1,2 125 ±30 39 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFBC40LPBF IRFBC40LPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 6,2 - 1,2 - ±20 - I2PAK, TO262 THT - - - - - - - -
IRFBC40PBF IRFBC40PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 3,9 25 1,2 125 ±20 60 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFBC40SPBF IRFBC40SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 3,9 25 1,2 130 ±20 60 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRFBC40STRLPBF IRFBC40STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 3,9 25 1,2 130 ±20 60 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFBE20PBF IRFBE20PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 1,8 7,2 6,5 54 ±20 38 TO220AB THT tube - - 1,14...1,4 - - - -
IRFBE30LPBF IRFBE30LPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 2,6 16 3 125 ±20 78 I2PAK, TO262 THT tube - - - - - - -
IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 2,6 16 3 125 ±20 78 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 2,6 16 3 125 ±20 78 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRFBE30STRLPBF IRFBE30STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 2,6 16 3 125 ±20 78 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFBF20LPBF IRFBF20LPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 900 1,1 6,8 8 54 ±20 38 I2PAK, TO262 THT tube - - - - - - -
IRFBF20PBF IRFBF20PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 900 1,1 6,8 8 54 ±20 38 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 900 1,1 6,8 8 54 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRFBF20STRLPBF IRFBF20STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 900 1,1 6,8 8 54 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFBF20STRRPBF IRFBF20STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 900 1,1 6,8 8 54 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFBF30 IRFBF30PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 900 2,3 - 3,7 125 ±20 78 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFBF30STRLPBF IRFBF30STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 900 3,6 14 3,7 125 ±20 78 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFBG20PBF IRFBG20PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 1k 1,4 5,6 11 54 ±20 38 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFBG20PBF-BE3 IRFBG20PBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 1k 1,4 5,6 11 54 ±20 38 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 1k 2 - 5 125 ±20 80 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 1k 3,1 - 5 125 ±20 80 TO220-3 THT - - - - - - - -
IRFD113PBF IRFD113PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 0,8 6,4 800m 1 ±20 7 HVMDIP THT tube - - - - - - -
IRFI510GPBF IRFI510GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 4,5 18 540m 27 ±20 8,3 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI520GPBF IRFI520GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 5,1 - 270m 37 ±20 16 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI530GPBF IRFI530GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 6,9 - 160m 42 ±20 33 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI540GPBF IRFI540GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 12 - 77m 48 ±20 72 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI620GPBF IRFI620GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 4,1 16 800m 30 ±20 14 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI630GPBF IRFI630GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 3,7 - 400m 35 ±20 43 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI634GPBF IRFI634GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 5,6 22 450m 35 ±20 41 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI640GPBF IRFI640GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 9,8 39 180m 40 ±20 70 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI644GPBF IRFI644GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 5 - 280m 40 ±20 68 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI720GPBF IRFI720GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 2,6 10 1,8 30 ±20 20 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI730GPBF IRFI730GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 3,7 15 1 35 ±20 38 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI740GLCPBF IRFI740GLCPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 5,7 23 550m 40 ±30 39 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI740GPBF IRFI740GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 3,4 - 550m 40 ±20 66 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI830GPBF IRFI830GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 2 - 1,5 35 ±20 38 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI840GLCPBF IRFI840GLCPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 2,9 - 850m 40 ±30 39 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI840GPBF IRFI840GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 2,9 - 850m 40 ±20 67 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI9520GPBF IRFI9520GPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -3,6 - 600m 37 ±20 18 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI9530GPBF IRFI9530GPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -5,4 - 300m 42 ±20 38 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI9540GPBF IRFI9540GPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -7,6 - 200m 48 ±20 61 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI9610GPBF IRFI9610GPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -2 -8 3 27 ±20 13 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI9620GPBF IRFI9620GPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -3 -12 1,5 30 ±20 15 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI9630GPBF IRFI9630GPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -2,7 - 800m 35 ±20 29 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI9634GPBF IRFI9634GPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -250 -2,6 - 1 35 ±20 38 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI9640GPBF IRFI9640GPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -3,9 - 500m 40 ±20 44 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI9Z14GPBF IRFI9Z14GPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -5,3 -21 500m 27 ±20 12 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI9Z24GPBF IRFI9Z24GPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 8,5 -34 280m 37 ±20 19 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34GPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -8,5 - 140m 42 ±20 34 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 3,5 - 750m 60 ±30 49 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFIB7N50APBF IRFIB7N50APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 6,6 44 520m 60 ±30 52 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFIBC20GPBF IRFIBC20GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 1,1 - 4,4 30 ±20 18 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 1,6 - 2,2 35 ±20 31 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFIBC40GLCPBF IRFIBC40GLCPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 2,2 14 1,2 40 ±20 39 TO220-3 THT - - - - - - - -
IRFIBE20GPBF IRFIBE20GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 1,4 5,6 6,5 30 ±20 38 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 1,4 - 3 35 ±20 78 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFIBF20GPBF IRFIBF20GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 900 0,79 - 8 30 ±20 38 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFIBF30GPBF IRFIBF30GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 900 1,2 - 3,7 35 ±20 78 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFIZ14GPBF IRFIZ14GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 8 32 200m 27 ±20 11 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFIZ24GPBF IRFIZ24GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 14 56 100m 37 ±20 25 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFIZ44GPBF IRFIZ44GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 30 120 28m 48 ±20 95 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFIZ48GPBF IRFIZ48GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 26 - 18m 50 ±20 110 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 1,7 22 200m 3,1 ±20 11 SOT223 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFL014TRPBF-BE3 IRFL014TRPBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 1,7 22 200m 3,1 ±20 11 SOT223 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 0,96 12 540m 3,1 ±20 8,3 SOT223 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFL110TRPBF-BE3 IRFL110TRPBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 0,96 12 540m 3,1 ±20 8,3 SOT223 SMD - - - - - - - -
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 0,6 7,7 1,5 3,1 ±20 8,2 SOT223 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFL210TRPBF-BE3 IRFL210TRPBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 0,6 7,7 1,5 3,1 ±20 8,2 SOT223 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -1,1 -14 500m 3,1 ±20 12 SOT223 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFL9014TRPBF-BE3 IRFL9014TRPBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -1,1 -14 500m 3,1 ±20 12 SOT223 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -0,69 -8,8 1,2 3,1 ±20 8,7 SOT223 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFL9110TRPBF-BE3 IRFL9110TRPBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -0,69 -8,8 1,2 3,1 ±20 8,7 SOT223 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFP048PBF IRFP048PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 70 290 18m 190 ±20 110 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP048RPBF IRFP048RPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 70 290 18m 190 ±20 110 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP054PBF IRFP054PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 64 - 14m 230 ±20 160 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP064PBF IRFP064PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 70 - 9m 300 ±20 190 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP140PBF IRFP140PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 22 - 77m 180 ±20 72 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP150PBF IRFP150PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 29 - 55m 230 ±20 140 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP17N50LPBF IRFP17N50LPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 16 64 320m 220 ±30 130 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP21N60LPBF IRFP21N60LPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 21 84 320m 330 ±30 150 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 14 - 230m 277 ±30 120 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP22N60KPBF IRFP22N60KPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 22 88 280m 370 ±30 150 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP240PBF IRFP240PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 12 - 180m 150 ±20 70 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP244PBF IRFP244PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 9,7 - 280m 150 ±20 63 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP250PBF IRFP250PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 19 - 850m 190 ±20 140 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP254PBF IRFP254PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 23 92 140m 190 ±20 140 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP260PBF IRFP260PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 29 - 55m 280 ±20 230 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP264PBF IRFP264PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 24 - 75m 280 ±20 210 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP26N60LPBF IRFP26N60LPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 26 100 250m 470 ±30 180 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP350LCPBF IRFP350LCPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 10 64 300m 190 ±30 76 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP350PBF IRFP350PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 10 - 300m 190 ±20 150 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP360PBF IRFP360PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 14 - 200m 280 ±20 210 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP440PBF IRFP440PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,6 - 850m 150 ±20 63 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP448PBF IRFP448PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 11 44 600m 180 ±20 84 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP450APBF IRFP450APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 8,7 - 400m 190 ±30 64 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP450LCPBF IRFP450LCPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 8,6 - 400m 190 ±30 74 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP450PBF IRFP450PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 8,7 - 400m 190 ±20 150 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP460APBF IRFP460APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 13 - 270m 280 ±30 105 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP460LCPBF IRFP460LCPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 12 - 270m 280 ±30 120 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP460PBF IRFP460PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 13 - 270m 280 ±20 210 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP9140PBF IRFP9140PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -15 - 200m 180 ±20 61 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFP9240PBF IRFP9240PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -7,5 - 500m 150 ±20 44 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFPC40PBF IRFPC40PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 4,3 - 1,2 150 ±20 60 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFPC50APBF IRFPC50APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 11 44 580m 180 ±30 70 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFPC50LCPBF IRFPC50LCPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 11 44 600m 190 ±30 84 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFPC50PBF IRFPC50PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 7 - 600m 180 ±20 140 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFPC60LCPBF IRFPC60LCPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 16 64 400m 280 ±30 120 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFPC60PBF IRFPC60PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 10 - 400m 280 ±20 210 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFPE30PBF IRFPE30PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 2,6 - 3 125 ±20 78 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFPE50PBF IRFPE50PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 4,9 - 1,2 190 ±20 200 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFPF30PBF IRFPF30PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 900 3,6 14 3,7 125 ±20 78 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFPF50PBF IRFPF50PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 900 4,2 - 1,6 190 ±20 200 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFPG30PBF IRFPG30PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 1k 2 - 5 125 ±20 80 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFPG40PBF IRFPG40PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 1k 2,7 - 3,5 150 ±20 120 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFPG50PBF IRFPG50PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 1k 3,9 - 2 190 ±20 190 TO247AC THT tube - - - - - - -
IRFR010PBF IRFR010PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 50 8,2 33 200m 25 ±20 10 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR010TRLPBF IRFR010TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 50 5,2 33 200m 25 ±20 10 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR010TRPBF IRFR010TRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 50 5,2 33 200m 25 ±20 10 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR010TRRPBF IRFR010TRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 50 5,2 33 200m 25 ±20 10 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR014PBF IRFR014PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 4,9 31 200m 25 ±20 11 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR014TRLPBF IRFR014TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 4,9 31 200m 25 ±20 11 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR014TRPBF IRFR014TRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 4,9 31 200m 25 ±20 11 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR014TRRPBF IRFR014TRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 4,9 31 200m 25 ±20 11 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR020TRLPBF IRFR020TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR020TRPBF IRFR020TRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR020TRRPBF IRFR020TRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR024PBF IRFR024PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR024TRLPBF IRFR024TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR024TRPBF IRFR024TRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR024TRRPBF IRFR024TRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR110PBF IRFR110PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±20 8,3 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR110PBF-BE3 IRFR110PBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±20 8,3 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR110TRLPBF IRFR110TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±20 8,3 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR110TRLPBF-BE3 IRFR110TRLPBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±20 8,3 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR110TRPBF IRFR110TRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±20 8,3 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR110TRPBF-BE3 IRFR110TRPBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±20 8,3 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR120PBF IRFR120PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 4,9 31 270m 42 ±20 16 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR120PBF-BE3 IRFR120PBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 7,7 - 270m 42 ±20 16 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR120TRLPBF IRFR120TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 4,9 31 270m 42 ±20 16 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 4,9 31 270m 42 ±20 16 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR120TRRPBF IRFR120TRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 4,9 31 270m 42 ±20 16 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR1N60APBF IRFR1N60APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 0,89 5,6 7 36 ±30 14 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR1N60APBF-BE3 IRFR1N60APBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 1,4 - 7 36 ±30 14 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR1N60ATRLPBF IRFR1N60ATRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 0,89 5,6 7 36 ±30 14 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 0,89 5,6 7 36 ±30 14 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR1N60ATRPBF-BE3 IRFR1N60ATRPBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 0,89 5,6 7 36 ±30 14 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR210PBF IRFR210PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 2,6 10 1,5 25 ±20 8,2 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR210TRLPBF IRFR210TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 2,6 10 1,5 25 ±20 8,2 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR210TRPBF IRFR210TRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 2,6 10 1,5 25 ±20 8,2 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR210TRRPBF IRFR210TRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 1,7 10 1,5 25 ±20 8,2 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR220PBF IRFR220PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 3 19 800m 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR220TRLPBF IRFR220TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 3 19 800m 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR220TRPBF IRFR220TRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 3 19 800m 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR220TRRPBF IRFR220TRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 3 19 800m 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR224PBF IRFR224PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 2,4 15 1,1 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR310PBF IRFR310PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 1,7 6 3,6 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR310TRLPBF IRFR310TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 1,7 6 3,6 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR310TRPBF IRFR310TRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 1,7 6 3,6 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR320PBF IRFR320PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 2 12 1,8 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR320TRLPBF IRFR320TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 2 12 1,8 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 2 12 1,8 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR320TRPBF-BE3 IRFR320TRPBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 2 12 1,8 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR320TRRPBF IRFR320TRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 2 12 1,8 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR420APBF IRFR420APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 2,1 10 3 83 ±30 17 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR420ATRLPBF IRFR420ATRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 2,1 10 3 83 ±30 17 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR420ATRPBF IRFR420ATRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 2,1 10 3 83 ±30 17 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR420PBF IRFR420PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 1,5 8 3 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR420PBF-BE3 IRFR420PBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 1,5 8 3 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR420TRLPBF IRFR420TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 1,5 8 3 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 1,5 8 3 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR420TRPBF-BE3 IRFR420TRPBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 1,5 8 3 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR420TRRPBF IRFR420TRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 1,5 8 3 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR430APBF IRFR430APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 3,2 20 1,7 110 ±30 24 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR430ATRLPBF IRFR430ATRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 3,2 20 1,7 110 ±30 24 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR430ATRPBF IRFR430ATRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 3,2 20 1,7 110 ±30 24 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9010PBF IRFR9010PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -50 -5,3 -21 500m 25 ±20 9,1 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR9010TRLPBF IRFR9010TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -50 -5,3 -21 500m 25 ±20 9,1 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9010TRPBF IRFR9010TRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -50 -5,3 -21 500m 25 ±20 9,1 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9014PBF IRFR9014PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -3,2 -20 500m 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR9014TRLPBF IRFR9014TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -3,2 -20 500m 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9014TRPBF IRFR9014TRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -3,2 -20 500m 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9014TRPBF-BE3 IRFR9014TRPBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -3,2 -20 500m 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9020PBF IRFR9020PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -50 -9,9 -40 280m 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR9020TRLPBF IRFR9020TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -50 -9,9 -40 280m 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9020TRPBF IRFR9020TRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -50 -9,9 -40 280m 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9024PBF IRFR9024PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -5,6 -35 280m 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR9024TRLPBF IRFR9024TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -5,6 -35 280m 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9024TRPBF IRFR9024TRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -5,6 -35 280m 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9024TRPBF-BE3 IRFR9024TRPBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -5,6 -35 280m 42 ±20 - DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9110PBF IRFR9110PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -2 -12 1,2 25 ±20 8,7 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR9110TRLPBF IRFR9110TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -2 -12 1,2 25 ±20 8,7 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9110TRPBF IRFR9110TRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -2 -12 1,2 25 ±20 8,7 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9120PBF IRFR9120PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -3,6 -22 600m 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR9120TRLPBF IRFR9120TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -3,6 -22 600m 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9120TRLPBF-BE3 IRFR9120TRLPBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -5,6 -22 600m 42 ±20 - DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9120TRPBF IRFR9120TRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -3,6 -22 600m 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9120TRRPBF IRFR9120TRRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -3,6 -22 600m 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9210PBF IRFR9210PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -1,2 -7,6 3 25 ±20 8,9 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR9210TRLPBF IRFR9210TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -1,2 -7,6 3 25 ±20 8,9 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -1,2 -7,6 3 25 ±20 8,9 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9214PBF IRFR9214PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -250 -1,7 -11 3 50 ±20 14 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR9214TRLPBF IRFR9214TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -250 -1,7 -11 3 50 ±20 14 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9214TRPBF IRFR9214TRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -250 -1,7 -11 3 50 ±20 14 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9220PBF IRFR9220PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -2,3 -14 1,5 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR9220TRLPBF IRFR9220TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -2,3 -14 1,5 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -2,3 -14 1,5 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9220TRPBF-BE3 IRFR9220TRPBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -3,6 - 1,5 42 ±20 - DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9220TRRPBF IRFR9220TRRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -2,3 -14 1,5 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9310PBF IRFR9310PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -400 -1,1 -7,2 7 50 ±20 13 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -400 -1,1 -7,2 7 50 ±20 13 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9310TRLPBF-BE3 IRFR9310TRLPBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -400 -1,1 -7,2 7 50 ±20 - DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -400 -1,1 -7,2 7 50 ±20 13 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFRC20PBF IRFRC20PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 1,3 8 4,4 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRFRC20PBF-BE3 IRFRC20PBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 2 - 4,4 - ±20 18 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 1,3 8 4,4 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFRC20TRLPBF-BE3 IRFRC20TRLPBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 1,3 8 4,4 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 1,3 8 4,4 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFRC20TRPBF-BE3 IRFRC20TRPBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 1,3 8 4,4 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFRC20TRRPBF IRFRC20TRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 1,3 8 4,4 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 7 - 520m 170 ±30 52 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 5,8 - 750m 170 ±30 49 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 9,2 37 750m 170 ±30 49 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFS9N60ATRRPBF IRFS9N60ATRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 9,2 37 750m 170 ±30 49 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 7 - 550m 190 ±30 51 I2PAK, TO262 THT tube - - - - - - -
IRFSL9N60APBF IRFSL9N60APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 9,2 37 750m 170 ±30 49 I2PAK, TO262 THT tube - - - - - - -
IRFU014PBF IRFU014PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 7,7 31 200m 25 ±20 11 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFU024PBF IRFU024PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 14 56 100m 42 ±20 25 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFU110PBF IRFU110PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 2,7 - 540m 25 ±20 8,3 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFU120PBF IRFU120PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 4,9 - 270m 42 ±20 16 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFU1N60APBF IRFU1N60APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 1,4 5,6 7 36 ±30 14 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFU210PBF IRFU210PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 2,6 10 1,5 25 ±20 8,2 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFU220PBF IRFU220PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 4,8 19 800m 42 ±20 14 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFU310PBF IRFU310PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 1,1 - 3,6 25 ±20 12 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFU320PBF IRFU320PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 2 - 1,8 42 ±20 20 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFU420APBF IRFU420APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 3,3 10 3 83 ±30 17 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFU420PBF IRFU420PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 1,5 - 3 42 ±20 19 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFU430APBF IRFU430APBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5 20 1,7 110 ±30 24 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFU9010PBF IRFU9010PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -50 -5,3 - 500m 25 ±20 - IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFU9014PBF IRFU9014PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -3,2 - 500m 25 ±20 12 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFU9020PBF IRFU9020PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -50 -9,9 -40 280m 42 ±20 14 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFU9024PBF IRFU9024PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -5,6 - 280m 42 ±20 19 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFU9110PBF IRFU9110PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -3,1 -12 1,2 25 ±20 8,7 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFU9120PBF IRFU9120PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -3,6 - 600m 42 ±20 18 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFU9210PBF IRFU9210PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -1,9 -7,6 3 25 ±20 8,9 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFU9214PBF IRFU9214PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -250 -2,7 -11 3 50 ±20 14 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFU9220PBF IRFU9220PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -3,6 -14 1,5 42 ±20 20 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFU9310PBF IRFU9310PBF VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -400 -1,1 - 7 50 ±20 13 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFUC20PBF IRFUC20PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 1,3 - 4,4 42 ±20 18 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRFZ10PBF IRFZ10PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 10 40 200m 43 ±20 11 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFZ14PBF IRFZ14PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 7,2 - 200m 43 ±20 11 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFZ20PBF IRFZ20PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 50 15 60 100m 40 ±20 17 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFZ24PBF IRFZ24PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 17 68 100m 60 ±20 25 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFZ40PBF IRFZ40PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 50 200 28m 150 ±20 67 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFZ44PBF IRFZ44PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 36 - 28m 150 ±20 67 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFZ44RPBF IRFZ44RPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 50 200 28m 150 ±20 67 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFZ44SPBF IRFZ44SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 50 200 28m 150 ±20 67 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRFZ44STRLPBF IRFZ44STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 50 200 28m 150 ±20 67 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFZ48PBF IRFZ48PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 50 290 18m 190 ±20 110 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 50 291 18m 190 ±20 110 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRFZ48RSPBF IRFZ48RSPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 50 290 18m 190 ±20 110 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRFZ48SPBF IRFZ48SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 50 290 18m 190 ±20 110 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRFZ48STRLPBF IRFZ48STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 50 290 18m 190 ±20 110 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRL510PBF IRL510PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 4 18 540m 43 ±10 6,1 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRL510STRLPBF IRL510STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 4 18 760m 43 ±10 6,1 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRL540SPBF IRL540SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 28 110 110m 150 ±10 64 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRL620PBF IRL620PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 5,2 21 1 50 ±10 16 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRL620SPBF IRL620SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 5,2 21 1 50 ±10 16 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRL640PBF IRL640PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 11 68 270m 125 ±10 66 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRL640SPBF IRL640SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 11 68 270m 125 ±10 66 D2PAK, TO263 SMD tube - logic level - - - - -
IRL640STRLPBF IRL640STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 11 68 270m 125 ±10 66 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRL640STRRPBF IRL640STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 17 68 270m 125 ±10 66 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRLI640GPBF IRLI640GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 9,9 40 180m 40 ±10 66 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRLIZ14GPBF IRLIZ14GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 8 32 280m 27 ±10 8,4 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRLIZ44GPBF IRLIZ44GPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 30 120 39m 48 ±10 66 TO220FP THT tube - - - - - - -
IRLL014TRPBF IRLL014TRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 1,7 22 200m 3,1 ±10 8,4 SOT223 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRLL014TRPBF-BE3 IRLL014TRPBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 1,7 22 280m 3,1 ±10 8,4 SOT223 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRLL110TRPBF IRLL110TRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 0,93 - 760m 3,1 ±10 6,1 SOT223 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRLL110TRPBF-BE3 IRLL110TRPBF-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 0,93 12 540m 3,1 ±10 6,1 SOT223 SMD - - - - - - - -
IRLR014PBF IRLR014PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 7,7 31 280m 25 ±10 8,4 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRLR014TRLPBF IRLR014TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 7,7 31 280m 25 ±10 8,4 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 7,7 31 200m 25 ±10 8,4 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRLR110PBF IRLR110PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±10 6,1 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
IRLR110TRLPBF IRLR110TRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 2,7 17 760m 25 ±10 6,1 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRLR110TRPBF IRLR110TRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±10 6,1 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - logic level - - - - -
IRLR120TRPBF IRLR120TRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 4,9 31 270m 42 ±10 12 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRLU014PBF IRLU014PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 4,9 - 280m 25 ±10 8,4 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
IRLU110PBF IRLU110PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 4,3 17 540m 25 ±10 6,1 IPAK, TO251 THT tube - logic level - - - - -
IRLZ14PBF IRLZ14PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 7,2 40 280m 43 ±10 8,4 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRLZ14SPBF IRLZ14SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 7,2 40 280m 43 ±10 8,4 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRLZ14STRLPBF IRLZ14STRLPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 7,2 40 280m 43 ±10 8,4 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
IRLZ14STRRPBF IRLZ14STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 7,2 40 200m 43 ±10 8,4 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
IRLZ34PBF IRLZ34PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 30 110 70m 88 ±10 35 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRLZ44PBF IRLZ44PBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 36 - 28m 150 ±10 66 TO220AB THT tube - - - - - - -
IRLZ44SPBF IRLZ44SPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 50 200 39m 150 ±10 66 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
IRLZ44STRRPBF IRLZ44STRRPBF VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 50 200 39m 150 ±10 66 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 0,63 2 396m 0,15 ±8 2 SC75A SMD rouleau, bande - - - - - ESD -
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -0,45 -1,5 1,5 0,19 ±8 2,5 SC89, SOT563 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1013R-T1-GE3 SI1013R-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -0,275 2,7 0,08 ±6 1,5 SC75A SMD rouleau, bande - - - - - ESD -
SI1013X-T1-GE3 SI1013X-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -0,4 -1 2,7 0,275 ±6 1,5 SC89, SOT563 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 20/-20 0,49/-0,49 2 396m/756m 0,14 ±8 2/2,5 SC89, SOT563 SMD rouleau, bande paire complémentaire - - TrenchFET® - ESD -
SI1023CX-T1-GE3 SI1023CX-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -20 -0,45 -1,5 2,4 0,22 ±8 2,5 SC89, SOT563 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1024X-T1-GE3 SI1024X-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 20 0,515 0,65 1,25 0,28 ±6 0,75 SC89, SOT563 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1032R-T1-GE3 SI1032R-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 0,14 -0,5 5 0,13 ±6 0,75 SC75A SMD rouleau, bande - - - - - ESD -
SI1034CX-T1-GE3 SI1034CX-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 20 0,49 - 396m 0,14 ±8 0,75 SC89, SOT563 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 0,61 2 1,1 0,22 ±8 2 SC89, SOT563 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1062X-T1-GE3 SI1062X-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 0,53 2 762m 0,22 ±8 2,7 SC89, SOT563 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1077X-T1-GE3 SI1077X-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -1,75 -8 188m 0,33 ±8 31,1 SC89, SOT563 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1078X-T1-GE3 SI1078X-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 1,02 6 195m 0,24 ±12 6 SC89, SOT563 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1079X-T1-GE3 SI1079X-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -1,44 -8 140m 0,33 ±12 26 SC89, SOT563 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 0,48 1,5 480m 0,18 ±20 1,4 SC70, SOT323 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI1308EDL-T1-BE3 SI1308EDL-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 1,5 - 132m 0,4 ±12 2,7 SC70, SOT323 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 1,4 6 132m 0,3 ±12 4,1 SC70, SOT323 SMD rouleau, bande - - - - - ESD -
SI1317DL-T1-BE3 SI1317DL-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -1,4 -6 270m 0,5 ±8 6,5 SC70, SOT323 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1317DL-T1-GE3 SI1317DL-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -1,4 -6 270m 0,5 ±8 6,5 SC70, SOT323 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI1401EDH-T1-BE3 SI1401EDH-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -4 -25 34m 2,8 ±10 - SC70, SOT323 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI1401EDH-T1-GE3 SI1401EDH-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -4 -25 34m 1,8 ±10 36 SC70, SOT323 SMD rouleau, bande - - - - - ESD -
SI1403BDL-T1-E3 SI1403BDL-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -1,5 -5 265m 0,625 ±12 4,5 SC70, SOT323 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1403CDL-T1-GE3 SI1403CDL-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -1,6 - 140m 0,6 ±12 4 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI1411DH-T1-GE3 SI1411DH-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -150 -0,38 - 2,6 0,81 ±20 4,2 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI1416EDH-T1-BE3 SI1416EDH-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 3,9 15 47m 1,56 ±12 7,5 SC70, SOT323 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI1416EDH-T1-GE3 SI1416EDH-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 3,9 15 58m 1,8 ±12 12 SC70, SOT323 SMD rouleau, bande - - - - - ESD -
SI1424EDH-T1-BE3 SI1424EDH-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 4 16 33m 2,8 ±8 18 SC70, SOT323 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI1424EDH-T1-GE3 SI1424EDH-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 4 - 33m 1,8 ±8 11,5 SC70, SOT323 SMD rouleau, bande - - - - - ESD -
SI1427EDH-T1-GE3 SI1427EDH-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -2 -8 64m 1,8 ±8 21 SC70, SOT323 SMD rouleau, bande - - - - - ESD -
SI1428EDH-T1-GE3 SI1428EDH-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 4 - 45m 1,8 ±12 4 SC70, SOT323 SMD rouleau, bande - - - - - ESD -
SI1441EDH-T1-GE3 SI1441EDH-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -4 -25 100m 2,8 ±10 33 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1442DH-T1-GE3 SI1442DH-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 12 4 20 30m 2,8 ±8 33 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1443EDH-T1-GE3 SI1443EDH-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -4 -15 54m 1,8 ±12 28 SC70, SOT323 SMD rouleau, bande - - - - - ESD -
SI1467DH-T1-E3 SI1467DH-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -2,7 -8 150m 2,78 ±8 13,5 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1467DH-T1-GE3 SI1467DH-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -2,7 -8 150m 2,78 ±8 13,5 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1469DH-T1-E3 SI1469DH-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -2,7 -8 155m 2,78 ±12 8,5 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1469DH-T1-GE3 SI1469DH-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -2,7 -8 155m 2,78 ±12 8,5 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1480DH-T1-BE3 SI1480DH-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 2,2 7 200m 2,8 ±20 5 SC70-6, SOT363 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI1480DH-T1-GE3 SI1480DH-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 2,6 7 320m 2,8 ±20 5 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1539CDL-T1-BE3 SI1539CDL-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 30 - - - 0,34 ±20 - SC70-6, SOT363 SMD - - - - - - - -
SI1539CDL-T1-GE3 SI1539CDL-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 30/-30 0,7/-0,5 - 1,7/525m 0,34 ±20 3/1,5 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 20/-20 0,7/-0,5 - 1,35/1,13 0,34 ±12 3/1,8 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1900DL-T1-GE3 SI1900DL-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 0,63 1 700m 0,3 ±20 1,4 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 20 0,9 - 235m 0,27 ±12 2 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI1902DL-T1-E3 SI1902DL-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 0,66 1 630m 0,27 ±12 0,8 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI1902DL-T1-GE3 SI1902DL-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 20 0,66 1 630m 0,27 ±12 0,8 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1922EDH-T1-BE3 SI1922EDH-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 20 1,2 4 198m 1,25 ±8 2,5 SC70-6, SC88, SOT363 SMD - - - - TrenchFET® - ESD -
SI1922EDH-T1-GE3 SI1922EDH-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 1,3 4 198m 0,8 ±8 2,5 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - - - ESD -
SI1965DH-T1-E3 SI1965DH-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -12 -1,3 -3 710m 1,25 ±8 4,2 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1965DH-T1-GE3 SI1965DH-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -12 -1,3 -3 710m 1,25 ±8 4,2 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1967DH-T1-BE3 SI1967DH-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -20 -1,3 -3 790m 1,25 ±8 4 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1967DH-T1-E3 SI1967DH-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -20 -1,3 -3 790m 1,25 ±8 4 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI1967DH-T1-GE3 SI1967DH-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -20 -1,3 -3 790m 1,25 ±8 4 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2122DS-T1-GE3 SI2122DS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 1,74 8 160m 1,6 ±20 2,9 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 3,6 15 68m 1,1 ±12 10 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -2,2 -10 150m 0,9 ±8 10 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -2,5 -10 112m 1,6 ±8 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2301CDS-T1-E3 SI2301CDS-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -1,8 -10 142m 1,6 ±8 10 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -1,8 -10 142m 1,6 ±8 10 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 2,1 10 57m 0,86 ±8 3,5 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2302CDS-T1-E3 SI2302CDS-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 2,1 10 57m 0,86 ±8 3,5 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 2,1 - 57m 0,46 ±8 3,5 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 2,1 - 57m 0,46 ±8 3,5 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2302HDS-T1-GE3 SI2302HDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 2,6 - 57m - ±8 - SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2303CDS-T1-BE3 SI2303CDS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -2,7 -10 330m 2,3 ±20 8 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2303CDS-T1-E3 SI2303CDS-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -2,7 -10 330m 2,3 ±20 8 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -2,7 -10 190m 1,5 ±20 8 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2304BDS-T1-GE3 SI2304BDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 2,6 10 105m 1,08 ±20 4 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2304DDS-T1-BE3 SI2304DDS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 3,3 15 60m 1,7 ±20 2,1 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 3,3 - 75m 1,1 ±20 2,1 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -8 -4,7 -20 35m 1,7 ±8 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -8 -3,5 -20 65m 1,1 ±8 30 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 3,5 20 65m 1,25 ±20 4,5 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2306BDS-T1-GE3 SI2306BDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 3,5 20 65m 1,25 ±20 4,5 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -2,5 -12 78m 0,48 ±20 15 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2307CDS-T1-BE3 SI2307CDS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -2,2 -12 88m 1,8 ±20 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2307CDS-T1-E3 SI2307CDS-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -3,5 - 88m 1,1 ±20 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -2,2 - 138m 1,8 ±20 6,2 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 2,6 6 144m 1 ±20 4 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2309CDS-T1-BE3 SI2309CDS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -1,3 -8 345m 1,7 ±20 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -1,3 -8 450m 1,7 ±20 4,1 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -1,3 -8 450m 1,7 ±20 4,1 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2312BDS-T1-GE3 SI2312BDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 3,9 15 47m 1,25 ±8 12 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2312CDS-T1-BE3 SI2312CDS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 5,1 20 31,8m 2,1 ±8 8,8 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 5,1 - 41,4m 1,3 ±8 8,8 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2314EDS-T1-E3 SI2314EDS-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 4,9 15 51m 1,25 ±12 14 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2314EDS-T1-GE3 SI2314EDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 4,9 15 51m 1,25 ±12 14 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -3 -12 100m 1,19 ±8 15 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2316BDS-T1-E3 SI2316BDS-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 4,5 20 80m 1,25 ±20 9,6 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2316BDS-T1-GE3 SI2316BDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 4,5 20 80m 1,25 ±20 9,6 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2318CDS-T1-BE3 SI2318CDS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 4,5 20 42m 2,1 ±20 2,9 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 4,5 - 35m 1,3 ±20 5,8 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 2,4 16 58m 0,75 ±20 10 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2318HDS-T1-GE3 SI2318HDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 4,5 20 42m 2,1 ±20 2,9 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -4,4 -20 108m 2,5 ±20 21 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -3,5 - 108m 1,6 ±20 13,6 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -3,6 -15 100m 1,7 ±20 19 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -2,4 -12 130m 0,8 ±20 17 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -2,4 -12 130m 0,8 ±20 17 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2323CDS-T1-BE3 SI2323CDS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -4,6 -20 63m 2,5 ±8 25 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -4,6 -20 63m 2,5 ±8 25 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -3,8 -20 68m 1,1 ±8 13,6 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 1,8 - 234m 1,6 ±20 2,9 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2325DS-T1-E3 SI2325DS-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -150 -0,43 -1,6 1,3 0,48 ±20 7,7 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -150 -0,43 -1,6 1,3 0,48 ±20 7,7 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2328DS-T1-BE3 SI2328DS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 0,92 6 250m 1,25 ±20 3,3 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2328DS-T1-E3 SI2328DS-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 0,92 6 250m 1,25 ±20 5 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 0,92 6 250m 1,25 ±20 5 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -8 -6 - 30m 1,6 ±5 11,8 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2333CDS-T1-BE3 SI2333CDS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -4 -20 35m 2,5 ±8 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -5,7 -20 35m 2,5 ±8 25 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -5,7 -20 35m 2,5 ±8 25 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -5,2 -20 150m 1,1 ±8 35 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2336DS-T1-BE3 SI2336DS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 4,1 20 42m 1,8 ±8 5,7 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 4,1 - 52m 1,1 ±8 5,7 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -80 -1,75 -7 270m 1,6 ±20 17 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2338DS-T1-BE3 SI2338DS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 6 25 33m 2,5 ±20 13 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2338DS-T1-GE3 SI2338DS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 6 25 28m 1,6 ±20 13 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 8 6 30 17m 1,6 ±5 15,8 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2343CDS-T1-BE3 SI2343CDS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -5,9 - 45m 2,5 ±20 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -5,9 -25 45m 1,6 ±20 21 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2343DS-T1-E3 SI2343DS-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -4 -15 86m 1,25 ±20 21 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2347DS-T1-BE3 SI2347DS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -3 -20 42m 1,7 ±20 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2347DS-T1-GE3 SI2347DS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -5 -20 42m 1,1 ±20 22 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2356DS-T1-BE3 SI2356DS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 4,3 20 70m 1,7 ±12 13 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2356DS-T1-GE3 SI2356DS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 4,3 20 70m 1,7 ±12 13 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2365EDS-T1-BE3 SI2365EDS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -4,5 -20 67,5m 1,7 ±8 36 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -4,5 -20 32m 1,1 ±8 36 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - ESD -
SI2366DS-T1-BE3 SI2366DS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 5,8 20 42m 2,1 ±20 10 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2366DS-T1-GE3 SI2366DS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 5,8 20 36m 1,3 ±20 10 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2367DS-T1-BE3 SI2367DS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -3,8 -15 66m 1,7 ±8 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2367DS-T1-GE3 SI2367DS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -3 - 66m 1,1 ±8 9 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -7,5 -50 39m 2,5 - 19,5 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2369DS-T1-BE3 SI2369DS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -6,1 -80 29m 2,5 ±20 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -7,6 -80 29m 1,6 ±20 36 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2371EDS-T1-BE3 SI2371EDS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -3,8 -20 45m 1,7 ±12 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2371EDS-T1-GE3 SI2371EDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -4,8 -20 45m 1,1 ±12 35 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - ESD -
SI2374DS-T1-BE3 SI2374DS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 4,7 25 41m 1,7 ±8 20 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2374DS-T1-GE3 SI2374DS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 4,7 25 41m 1,1 ±8 20 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -3,5 - 61m 1,1 ±8 7,6 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - ESD -
SI2387DS-T1-GE3 SI2387DS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -80 -3 -10 242m 2,5 ±20 10,2 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2392ADS-T1-BE3 SI2392ADS-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 2,5 8 126m 2,5 ±20 2,9 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 3,1 8 126m 1,6 ±20 10,4 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI2392BDS-T1-GE3 SI2392BDS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 1,8 6 149m 1,7 ±20 2,2 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2392DS-T1-GE3 SI2392DS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 3,1 8 189m 2,5 ±20 10,4 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -7,5 -50 33m 2,5 - 25,2 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI2399DS-T1-GE3 SI2399DS-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -6 -20 34m 1,6 ±12 20 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI3122DV-T1-GE3 SI3122DV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 1,78 8 160m 1,34 ±20 2,9 SC74, TSOP6 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI3127DV-T1-GE3 SI3127DV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -5,1 -20 89m 2,7 ±20 30 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3129DV-T1-GE3 SI3129DV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -80 -5,4 -20 124,2m 4,2 ±20 18 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3407DV-T1-BE3 SI3407DV-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -8 -25 32,7m 4,2 ±12 63 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3407DV-T1-GE3 SI3407DV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -8 -25 32,7m 4,2 ±12 63 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI3410DV-T1-GE3 SI3410DV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 8 30 23m 4,1 ±20 33 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3417DV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -8 -50 25,2m 2,7 ±20 50 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -8 -50 19,2m 2,7 ±20 69 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3424CDV-T1-BE3 SI3424CDV-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 8 20 32m 3,6 ±20 12,5 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 8 20 32m 3,6 ±20 12,5 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -8 -40 38m 2,7 ±8 43,2 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - - - ESD -
SI3430DV-T1-E3 SI3430DV-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 2,4 8 185m 2 ±20 8,2 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3430DV-T1-GE3 SI3430DV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 2,4 8 185m 2 ±20 8,2 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3433CDV-T1-E3 SI3433CDV-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -6 -20 60m 3,3 ±8 45 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3433CDV-T1-GE3 SI3433CDV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -6 -20 60m 3,3 ±8 45 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3437DV-T1-E3 SI3437DV-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -150 -1,4 -5 790m 3,2 ±20 19 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3437DV-T1-GE3 SI3437DV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -150 -1,4 -5 790m 3,2 ±20 19 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3438DV-T1-E3 SI3438DV-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 7,4 20 42,5m 3,5 ±20 20 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3438DV-T1-GE3 SI3438DV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 7,4 20 42,5m 3,5 ±20 20 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 2,2 4 432m 3,6 ±20 4 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 1,2 6 400m 1,14 ±20 8 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 1,2 6 400m 1,14 ±20 8 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -3,6 -20 100m 1,1 ±12 9 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3443BDV-T1-GE3 SI3443BDV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -3,6 -20 100m 1,1 ±12 9 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3443CDV-T1-E3 SI3443CDV-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -4,6 -20 100m 3,2 ±12 12,4 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -4,6 -20 100m 3,2 ±12 12,4 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3443DDV-T1-BE3 SI3443DDV-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -4 -20 90m 2,7 ±12 30 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3443DDV-T1-GE3 SI3443DDV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -4 -20 90m 2,7 ±12 30 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3453DV-T1-GE3 SI3453DV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -3,4 -6 276m 3 ±20 6,8 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3456DDV-T1-E3 SI3456DDV-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 6,3 20 50m 2,7 ±20 9 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 6,3 20 50m 2,7 ±20 6 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3457CDV-T1-E3 SI3457CDV-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -4,1 -20 113m 3 ±20 15 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -4,1 -20 113m 3 ±20 15 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 4,1 10 128m 3,3 ±20 11 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -2,9 -8 288m 3,3 ±20 12 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 7,9 20 28m 1,7 ±8 18 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3464DV-T1-GE3 SI3464DV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 8 20 30m 3,6 ±8 18 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3469DV-T1-E3 SI3469DV-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -6,7 -25 51m 2 ±20 30 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3473CDV-T1-E3 SI3473CDV-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -8 -20 36m 4,2 ±8 65 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -8 -20 36m 4,2 ±8 65 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3473DDV-T1-GE3 SI3473DDV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -8 -30 38,8m 3,6 ±8 57 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3474DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 3,8 14 126m 2,33 ±20 10,4 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3476DV-T1-BE3 SI3476DV-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 3,7 18 93m 3,6 ±20 4,9 SC74, TSOP6 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI3476DV-T1-GE3 SI3476DV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 4,6 18 126m 3,6 ±20 7,5 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3477DV-T1-GE3 SI3477DV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -8 -40 33m 4,2 ±10 90 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3483CDV-T1-E3 SI3483CDV-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -7 -25 53m 4,2 ±20 33 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3483CDV-T1-GE3 SI3483CDV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -7 -25 53m 4,2 ±20 33 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3483DDV-T1-BE3 SI3483DDV-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -8 -30 51,3m 3 - 14,5 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3483DDV-T1-GE3 SI3483DDV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -8 -30 51,3m 3 - 14,5 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3493BDV-T1-BE3 SI3493BDV-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -5,8 -25 27,5m 2,97 ±8 - SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI3493BDV-T1-E3 SI3493BDV-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -8 -25 45m 2,97 ±8 43,5 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3493BDV-T1-GE3 SI3493BDV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -8 -25 45m 2,97 ±8 43,5 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3493DDV-T1-GE3 SI3493DDV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -8 -32 51,1m 3,6 ±8 52,2 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3499DV-T1-BE3 SI3499DV-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -8 -7 -20 48m 2 ±5 42 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3552DV-T1-E3 SI3552DV-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 30/-30 2,5/-1,8 -7...8 360m/175m 1,15 ±20 3,6/3,2 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 20/-20 3,1/-1,7 - 78m/316m 0,9/8 ±12 4,8/9 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3932DV-T1-GE3 SI3932DV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 3,7 15 73m 1,4 ±20 6 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI3993CDV-T1-GE3 SI3993CDV-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -2,6 -8 111m 0,9 ±20 8 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4038DY-T1-GE3 SI4038DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 42,5 150 3,2m 7,8 ±20 87 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4056ADY-T1-GE3 SI4056ADY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 8,3 40 33m 5 ±20 29 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4056DY-T1-GE3 SI4056DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 11,1 70 23m 3,6 ±20 29,5 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 10,3 50 33m 5,6 ±20 18 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4062DY-T1-GE3 SI4062DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 25,7 - 4,2m 5 ±20 18,8 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4090BDY-T1-GE3 SI4090BDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 18,7 80 11,3m 7,4 ±20 70 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4090DY-T1-GE3 SI4090DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 19,7 70 12m 7,8 ±20 69 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4100DY-T1-E3 SI4100DY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 6,8 20 84m 6 ±20 20 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 6,8 20 84m 6 ±20 20 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4101DY-T1-GE3 SI4101DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -25,7 -70 8m 6 ±20 203 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4103DY-T1-GE3 SI4103DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -16 -80 10,8m 5,2 ±20 140 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4114DY-T1-E3 SI4114DY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 20 50 7m 5,7 ±16 95 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4114DY-T1-GE3 SI4114DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 20 50 7m 5,7 ±16 95 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4116DY-T1-E3 SI4116DY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 25 18 50 11,5m 5 ±12 56 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4116DY-T1-GE3 SI4116DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 25 18 50 11,5m 5 ±12 56 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 27,2 70 6m 6 ±25 95 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4124DY-T1-E3 SI4124DY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 20,5 50 9m 5,7 ±20 77 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4124DY-T1-GE3 SI4124DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 20,5 50 9m 5,7 ±20 77 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4126DY-T1-GE3 SI4126DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 39 70 3,4m 7,8 ±20 105 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4128DY-T1-GE3 SI4128DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 8,7 - 24m 3,2 ±20 3,8 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 11,2 - 14m 3,2 ±20 7,3 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4136DY-T1-GE3 SI4136DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 46 70 2,5m 7,8 ±20 110 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4143DY-T1-GE3 SI4143DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -25,3 -70 9,2m 6 ±25 167 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4151DY-T1-GE3 SI4151DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -20,5 -150 13m 5,6 ±25 87 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4153DY-T1-GE3 SI4153DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -19,3 -100 15m 5,6 ±25 93 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4154DY-T1-GE3 SI4154DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 36 70 3,9m 7,8 ±20 105 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4156DY-T1-GE3 SI4156DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 24 70 8m 6 ±20 42 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4160DY-T1-GE3 SI4160DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 25,4 70 6,3m 5,7 ±20 54 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 15,4 - 7,9m 3,2 ±20 8,8 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4164DY-T1-GE3 SI4164DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 30 70 3,9m 6 ±20 95 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4166DY-T1-GE3 SI4166DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 30,5 70 5,5m 6,5 ±20 65 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4168DY-T1-GE3 SI4168DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 24 70 7,6m 5,7 ±20 44 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4174DY-T1-GE3 SI4174DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 13,5 - 9,5m 3,2 ±20 8 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 6,7 - 33m 5 ±25 12 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4186DY-T1-GE3 SI4186DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 35,8 70 3,2m 6 ±20 90 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4190ADY-T1-GE3 SI4190ADY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 18,4 70 12m 6 ±20 67 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4202DY-T1-GE3 SI4202DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 12,1 50 14m 2,6 ±20 17 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4204DY-T1-GE3 SI4204DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 15,5 50 4,6m 2,1 ±20 45 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4214DDY-T1-E3 SI4214DDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 7,5 30 19,5m 2 ±20 22 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4214DDY-T1-GE3 SI4214DDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 7,5 30 19,5m 2 ±20 22 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4228DY-T1-GE3 SI4228DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 25 8 50 24m 2 ±12 25 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 7,4 - 20m 3,1 ±20 4,9 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4368DY-T1-E3 SI4368DY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 25 70 3,6m 3,5 ±12 80 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4386DY-T1-E3 SI4386DY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 16 50 9,5m 3,1 ±20 18 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4386DY-T1-GE3 SI4386DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 16 50 9,5m 3,1 ±20 18 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4392ADY-T1-E3 SI4392ADY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 21,5 50 11,5m 6,25 ±20 38 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -16,1 -50 15m 4 ±20 95 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -11 -80 18,3m 3,2 ±20 31 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -13,4 -40 25m 5 ±8 90 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -12,3 - 14m 3,2 ±8 39 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4420BDY-T1-E3 SI4420BDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 13,5 50 11m 2,5 ±20 25 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4420BDY-T1-GE3 SI4420BDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 13,5 50 11m 2,5 ±20 25 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4421DY-T1-E3 SI4421DY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -14 -40 13,5m 3 ±8 125 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4421DY-T1-GE3 SI4421DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -14 -40 13,5m 3 ±8 125 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -8,8 -50 12m 0,9 ±20 100 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -15,7 - 9,8m 3,6 ±20 27 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4425FDY-T1-GE3 SI4425FDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -18,3 -70 16m 4,8 - 41 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4430BDY-T1-E3 SI4430BDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 20 60 6m 3 ±20 36 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4430BDY-T1-GE3 SI4430BDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 20 60 6m 3 ±20 36 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4431CDY-T1-E3 SI4431CDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -9 - 32m 4,2 ±20 - SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -7,2 -30 32m 2,7 ±20 38 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 4,1 25 170m 6 ±20 16,5 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4434DY-T1-GE3 SI4434DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 3 30 162m 3,1 ±20 50 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4435DDY SI4435DDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -6,5 -50 35m 3,2 ±20 50 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -6,5 -50 35m 3,2 ±20 50 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -12,6 -32 30m 4,8 ±20 28 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4436DY-T1-GE3 SI4436DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 6,8 25 36m 3,2 ±20 32 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4442DY-T1-GE3 SI4442DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 22 60 7,5m 3,5 ±12 50 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -7,2 -20 62m 4,2 ±20 38 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4447DY-T1-GE3 SI4447DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -4,5 -30 72m 2 ±16 14 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4451DY-T1-GE3 SI4451DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -14 -40 13m 3 ±8 120 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4455DY-T1-E3 SI4455DY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -150 -2,3 -15 315m 3,8 ±20 23,2 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4455DY-T1-GE3 SI4455DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -150 -2,3 -15 315m 3,8 ±20 23,2 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4456DY-T1-E3 SI4456DY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 33 70 4,5m 7,8 ±20 122 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4456DY-T1-GE3 SI4456DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 33 70 4,5m 7,8 ±20 122 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -23,5 - 5m 5 ±20 61 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4459BDY-T1-GE3 SI4459BDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -27,8 -150 8,2m 5,6 - 84 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -9,8 -50 20m 3 ±12 56 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -18,6 -60 14m 5 ±12 162 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 2,2 8 260m 2,5 ±20 18 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4464DY-T1-GE3 SI4464DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 2,2 8 260m 2,5 ±20 18 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4465ADY-T1-GE3 SI4465ADY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -8 -13,7 -40 16m 3 ±8 85 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4477DY-T1-GE3 SI4477DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -26,6 -60 6,2m 4,2 ±12 190 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -15,4 - 8,8m 3,8 ±25 44,8 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4485DY-T1-GE3 SI4485DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -6 -25 72m 5 ±20 21 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4488DY-T1-E3 SI4488DY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 2,8 50 50m 1 ±20 36 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 2,8 50 50m 1 ±20 36 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4490DY-E3 SI4490DY-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 3,2 - 90m 3,1 ±20 42 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 2,85 40 80m 1 ±20 42 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4490DY-T1-GE3 SI4490DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 2,85 40 80m 1 ±20 42 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -25,8 -60 11,2m 6,9 ±25 153 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -29 - 3,3m 5 ±20 90 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 30/-30 4,9/-3,4 - 47m/89m 1,78 ±20 9/12 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4534DY-T1-GE3 SI4534DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 60 - - - 3,6 ±20 - SO8 SMD - - - - - - - -
SI4554DY-T1-GE3 SI4554DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 40/-40 8/-8 - 34m/27m 3,2/3,1 ±20 63/20 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 40/-40 8/-7,4 40 17,5m/21m 2/2,1 ±16, ±20 31/63 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 40/-40 6,8/-5,8 - 62m/42,5m 3,1/3 ±20 38/20 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4626ADY-T1-E3 SI4626ADY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 30 70 4,1m 6 ±20 125 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4630DY-T1-E3 SI4630DY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 25 40 70 3,2m 7,8 ±16 161 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4630DY-T1-GE3 SI4630DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 25 40 70 3,2m 7,8 ±16 161 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4634DY-T1-E3 SI4634DY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 24,5 70 6,7m 5,7 ±20 68 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4634DY-T1-GE3 SI4634DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 24,5 70 6,7m 5,7 ±20 68 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4670DY-T1-GE3 SI4670DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 + Schottky 25 8 30 28m 2,8 ±16 18 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4686DY-T1-E3 SI4686DY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 14,5 50 14m 5,2 ±20 26 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4686DY-T1-GE3 SI4686DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 14,5 50 14m 5,2 ±20 26 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4804CDY-T1-GE3 SI4804CDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 8 30 27m 3,1 ±20 23 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4816BDY-T1-E3 SI4816BDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 + Schottky 30 4,6/6,5 - 18,5m/11,5m 0,64/0,8 ±20 10/18 SO8 SMD rouleau, bande - Half-Bridge Power MOSFET - LITTLE FOOT® - - -
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 + Schottky 30 4,6/6,5 - 18,5m/11,5m 0,64/0,8 ±20 10/18 SO8 SMD rouleau, bande - Half-Bridge Power MOSFET - LITTLE FOOT® - - -
SI4825DDY-T1-GE3 SI4825DDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -14,9 -60 20,5m 5 ±25 86 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -7,7 -50 18m 3,6 ±25 65 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -7,7 -50 18m 3,6 ±25 65 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4838BDY-T1-GE3 SI4838BDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 12 34 70 4m 5,7 ±8 84 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4840BDY-E3 SI4840BDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 9,9 50 12m 3,8 ±20 50 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4840BDY-T1-GE3 SI4840BDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 9,9 50 12m 3,8 ±20 50 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4842BDY-T1-E3 SI4842BDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 28 60 5,7m 6,25 ±20 100 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4848ADY-T1-GE3 SI4848ADY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 5,5 20 133m 5 ±20 9,5 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4848BDY-T1-GE3 SI4848BDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 4 15 89m 4,5 ±20 3,7 SO8 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 3,7 25 95m 3 ±20 21 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4848DY-T1-GE3 SI4848DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 3,7 25 95m 3 ±20 21 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 11,3 40 25m 4,5 ±20 17 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 6 40 22m 1,2 ±20 27 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4850EY-T1-GE3 SI4850EY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 6 40 22m 1,2 ±20 27 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4874BDY-T1-E3 SI4874BDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 16 50 8,5m 3 ±20 25 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4874BDY-T1-GE3 SI4874BDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 - - 7m 1,6 ±20 25 SO8 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI4894BDY-T1-E3 SI4894BDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 9,5 40 16m 2,5 ±20 38 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4894BDY-T1-GE3 SI4894BDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 9,5 40 16m 2,5 ±20 38 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4896DY-T1-E3 SI4896DY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 9,5 50 22m 3,1 ±20 41 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4896DY-T1-GE3 SI4896DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 9,5 50 22m 3,1 ±20 41 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4900DY-T1-E3 SI4900DY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 60 5,3 20 72m 3,1 ±20 20 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4909DY-T1-GE3 SI4909DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -6,4 -30 27m 2,1 ±20 63 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4922BDY-T1-E3 SI4922BDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 8 35 24m 3,1 ±12 62 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4925BDY-T1-E3 SI4925BDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -30 -5,7 - 41m 2 ±20 50 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -30 -5,9 - 41m 5 ±20 50 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4931DY-T1-GE3 SI4931DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -12 -8,9 -30 28m 2 ±8 52 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4932DY-T1-GE3 SI4932DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 8 30 17m 3,2 ±20 48 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4936BDY-T1-E3 SI4936BDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 6,9 30 51m 2,8 ±20 15 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4936CDY-T1-E3 SI4936CDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 4,6 20 40m 2,3 ±20 6 SO8 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 4,6 20 50m 1,5 ±20 9 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4943BDY-T1-E3 SI4943BDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -20 -8,4 -30 31m 2 ±20 25 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4943CDY-T1-E3 SI4943CDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -20 -8 -30 33m 3,1 ±20 62 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4943CDY-T1-GE3 SI4943CDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -20 -8 -30 33m 3,1 ±20 62 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4946CDY-T1-GE3 SI4946CDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 60 6,1 25 51,6m 2,8 ±20 10 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -60 -2,4 -25 150m 0,95 ±20 22 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -60 -2,4 -25 150m 0,95 ±20 22 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI5403DC-T1-GE3 SI5403DC-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -6 -20 30m 3,3 ±20 42 PowerPAK® ChipFET SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI5418DU-T1-GE3 SI5418DU-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 12 40 18,5m 31 ±20 30 PowerPAK® ChipFET SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -12 -40 33m 31 ±20 45 PowerPAK® ChipFET SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI5429DU-T1-GE3 SI5429DU-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -12 -50 22m 31 ±20 63 PowerPAK® ChipFET SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI5441BDC-T1-GE3 SI5441BDC-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -6,1 -20 80m 2,5 ±12 22 PowerPAK® ChipFET SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI5442DU-T1-GE3 SI5442DU-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 25 60 13,5m 31 ±8 45 PowerPAK® ChipFET SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI5448DU-T1-GE3 SI5448DU-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 25 100 9,47m 31 - 40 PowerPAK® ChipFET SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -6 -20 56m 5,7 ±12 38 PowerPAK® ChipFET SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI5458DU-T1-GE3 SI5458DU-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 6 20 51m 10,4 ±20 9 PowerPAK® ChipFET SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI5459DU-T1-GE3 SI5459DU-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -8 -20 82m 10,9 ±12 26 PowerPAK® ChipFET SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI5468DC-T1-GE3 SI5468DC-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 6 30 34m 5,7 ±20 12 PowerPAK® ChipFET SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI5471DC-T1-GE3 SI5471DC-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -6 -25 62m 6,3 ±12 96 PowerPAK® ChipFET SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI5513CDC-T1-E3 SI5513CDC-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 20/-20 4/-3,7 - 255m/85m 3,1 ±12 5,6/4,2 ChipFET8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI5513CDC-T1-GE3 SI5513CDC-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 20/-20 4/-3,7 - 255m/85m 3,1 ±12 5,6/4,2 ChipFET8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI5515CDC-T1-E3 SI5515CDC-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 20/-20 4/-4 - 156m/50m 3,1 ±8 11/11,3 ChipFET8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI5515CDC-T1-GE3 SI5515CDC-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 20/-20 4/-4 - 156m/50m 3,1 ±8 11/11,3 ChipFET8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI5922DU-T1-GE3 SI5922DU-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 6 24 24,5m 10,4 - 15 ChipFET8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI5935CDC-T1-E3 SI5935CDC-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -20 -4 -10 156m 2 ±8 11 ChipFET8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI5935CDC-T1-GE3 SI5935CDC-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -20 -4 -10 156m 2 ±8 11 ChipFET8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI5936DU-T1-GE3 SI5936DU-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 6 25 40m 10,4 ±20 11 ChipFET8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI5948DU-T1-GE3 SI5948DU-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 6 10 94m 7 ±20 5 ChipFET8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI6423ADQ-T1-GE3 SI6423ADQ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -12,5 - 9,8m 2,2 ±8 - TSSOP8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI6423DQ-T1-E3 SI6423DQ-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -8,2 -30 8,5m 0,67 ±8 110 TSSOP8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI6423DQ-T1-GE3 SI6423DQ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -8,2 -30 8,5m 0,67 ±8 110 TSSOP8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 20/-20 4,2/-4,9 30 22m/30m 1/1,1 ±12 23/51 TSSOP8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI6913DQ-T1-GE3 SI6913DQ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -12 -5,8 -30 37m 1,14 ±8 28 TSSOP8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI6926ADQ-T1-E3 SI6926ADQ-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 20 3,6 20 43m 1 ±8 10,5 TSSOP8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7101DN-T1-GE3 SI7101DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -35 -80 7,2m 33 ±25 102 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7104DN-T1-E3 SI7104DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 12 35 60 7m 52 ±12 70 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7104DN-T1-GE3 SI7104DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 12 35 60 7m 52 ±12 70 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7106DN-T1-E3 SI7106DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 19,5 60 9,8m 3,8 ±12 27 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7106DN-T1-GE3 SI7106DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 19,5 60 9,8m 3,8 ±12 27 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7108DN-T1-E3 SI7108DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 22 60 6,1m 3,8 ±16 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7108DN-T1-GE3 SI7108DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 22 60 6,1m 3,8 ±16 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7110DN-T1-E3 SI7110DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 21,1 60 7,8m 3,8 ±20 21 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7110DN-T1-GE3 SI7110DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 21,1 60 7,8m 3,8 ±20 21 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7111EDN-T1-GE3 SI7111EDN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -60 -150 16m 52 ±12 85 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7112DN-T1-E3 SI7112DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 17,8 60 8,2m 3,8 ±12 27 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7112DN-T1-GE3 SI7112DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 17,8 60 8,2m 3,8 ±12 27 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7113ADN-T1-GE3 SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -10,8 -20 132m 17,8 ±20 16,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7113DN-T1-E3 SI7113DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -3,5 -20 134m 33 ±20 55 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7114ADN-T1-GE3 SI7114ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 35 60 9,8m 39 ±20 32 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7114DN-T1-E3 SI7114DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 18,3 60 10m 3,8 ±20 19 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7114DN-T1-GE3 SI7114DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 18,3 60 10m 3,8 ±20 19 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -150 -8,9 -15 295m 33 ±20 42 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7116BDN-T1-GE3 SI7116BDN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 65 100 9,6m 62,5 ±20 48 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7116DN-T1-E3 SI7116DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 16,4 60 10m 3,8 ±20 23 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7116DN-T1-GE3 SI7116DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 16,4 60 10m 3,8 ±20 23 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7117DN-T1-E3 SI7117DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -150 -2,17 -2,2 1,3 12,5 ±20 12 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7117DN-T1-GE3 SI7117DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -150 -2,17 -2,2 1,3 12,5 ±20 12 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7119DN-T1-E3 SI7119DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -1,2 -5 1,05 33 ±20 25 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7119DN-T1-GE3 SI7119DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -1,2 -5 1,05 33 ±20 25 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -12 -50 15m 17,8 ±25 50 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -16 -50 30,5m 52 ±25 65 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7129DN-T1-GE3 SI7129DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -35 -60 20m 52,1 ±20 71 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7135DP-T1-GE3 SI7135DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -60 -100 3,9m 66,6 ±20 250 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7137DP-T1-GE3 SI7137DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -60 -100 1,95m 66,6 ±12 585 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7139DP-T1-GE3 SI7139DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -40 -70 5,5m 30 ±20 146 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7141DP-T1-GE3 SI7141DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -60 -100 3m 104 ±20 400 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7143DP-T1-GE3 SI7143DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -35 -60 18,6m 35,7 ±20 71 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -60 -100 3,75m 104 ±20 413 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7148DP-T1-E3 SI7148DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 75 28 60 11m 61 ±20 100 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7148DP-T1-GE3 SI7148DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 75 28 60 11m 61 ±20 100 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -50 - 9,5m 31 ±25 43,1 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7149DP-T1-GE3 SI7149DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -50 -70 5,2m 44,4 ±25 147 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7153DN-T1-GE3 SI7153DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -18 -100 15m 52 ±25 62 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -100 -200 4,6m 104 ±20 330 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -60 -300 3,2m 104 ±12 625 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7172ADP-T1-RE3 SI7172ADP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 17,2 50 80m 52 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7172DP-T1-GE3 SI7172DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 25 30 76m 96 ±20 77 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7174DP-T1-GE3 SI7174DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 75 60 80 7m 66,5 ±20 72 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7190ADP-T1-RE3 SI7190ADP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 14,4 30 110m 56,8 ±20 22,4 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7192DP-T1-GE3 SI7192DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 60 100 2,25m 104 ±20 135 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7212DN-T1-E3 SI7212DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 6,8 20 39m 2,6 ±12 11 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7212DN-T1-GE3 SI7212DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 6,8 20 39m 2,6 ±12 11 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7216DN-T1-E3 SI7216DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 6 20 39m 20,8 ±20 19 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7216DN-T1-GE3 SI7216DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 6 20 39m 20,8 ±20 19 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7223DN-T1-GE3 SI7223DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -30 -6 -40 37,2m 23 ±20 40 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 20 25 40 24m 23 ±8 32 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7234DP-T1-GE3 SI7234DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 12 60 80 5m 46 ±12 120 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7252ADP-T1-GE3 SI7252ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 100 23 70 22,5m 21,6 ±20 26,5 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 100 29,2 80 21m 29 ±20 27 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7272DP-T1-GE3 SI7272DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 25 60 12,4m 22 ±20 26 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 20 50 22m 15,6 ±20 15 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7308DN-T1-E3 SI7308DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 6 20 72m 19,8 ±20 20 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7309DN-T1-E3 SI7309DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -8 -20 146m 19,8 ±20 22 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7309DN-T1-GE3 SI7309DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -8 -20 146m 19,8 ±20 22 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7315DN-T1-GE3 SI7315DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -150 -8,9 -10 315m 33 ±30 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 15,1 20 57m 26 ±20 13 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7322DN-T1-GE3 SI7322DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 5,5 20 58m 33 ±20 20 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7326DN-T1-GE3 SI7326DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 10 40 30m 3,5 ±25 13 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7328DN-T1-E3 SI7328DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 35 60 7,6m 52 ±12 31,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7328DN-T1-GE3 SI7328DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 35 60 7,6m 52 ±12 31,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7336ADP-T1-E3 SI7336ADP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 30 70 4m 5,4 ±20 50 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7336ADP-T1-GE3 SI7336ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 30 70 4m 5,4 ±20 50 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7370DP-T1-E3 SI7370DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 15,8 50 13m 5,2 ±20 57 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7370DP-T1-GE3 SI7370DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 15,8 50 13m 5,2 ±20 57 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7374DP-T1-E3 SI7374DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET + Schottky 30 24 100 6,6m 56 ±20 122 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7386DP-T1-E3 SI7386DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 19 50 9,5m 5 ±20 18 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7386DP-T1-GE3 SI7386DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 19 50 9,5m 5 ±20 18 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7390DP-T1-E3 SI7390DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 15 50 13,5m 5 ±20 15 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7390DP-T1-GE3 SI7390DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 15 50 13,5m 5 ±20 15 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7414DN-T1-E3 SI7414DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 5,6 30 25m 0,8 ±20 25 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7414DN-T1-GE3 SI7414DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 5,6 30 25m 0,8 ±20 25 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7415DN-T1-E3 SI7415DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -3,6 -30 65m 0,8 ±20 25 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -3,6 -30 65m 0,8 ±20 25 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7421DN-T1-E3 SI7421DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -9,8 -30 43m 3,6 ±20 40 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7421DN-T1-GE3 SI7421DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -9,8 -30 43m 3,6 ±20 40 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7423DN-T1-E3 SI7423DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -11,7 -30 30m 3,8 ±20 56 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7423DN-T1-GE3 SI7423DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -11,7 -30 30m 3,8 ±20 56 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7430DP-T1-E3 SI7430DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 26 50 47m 64 ±20 43 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 26 50 47m 64 ±20 43 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7431DP-T1-E3 SI7431DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -2,2 -30 174m 1,2 ±20 135 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7431DP-T1-GE3 SI7431DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -2,2 -30 174m 1,2 ±20 135 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7434ADP-T1-RE3 SI7434ADP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 12,3 25 170m 54,3 ±20 16,5 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7434DP-T1-GE3 SI7434DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 3,8 40 162m 8,4 ±20 50 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7439DP-T1-E3 SI7439DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -150 -3 -50 90m 1,2 ±20 135 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7439DP-T1-GE3 SI7439DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -150 -3 -50 90m 1,2 ±20 135 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7450DP-T1-E3 SI7450DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 3,2 40 80m 1,2 ±20 42 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 3,2 40 80m 1,2 ±20 42 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SI7450DP-T1-RE3 SI7450DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 5,3 40 90m 5,2 ±20 42 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7454DDP-T1-GE3 SI7454DDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 21 40 33m 19 ±20 19,5 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7454DP-T1-E3 SI7454DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 7,8 30 40m 4,8 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7454DP-T1-GE3 SI7454DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 7,8 30 40m 4,8 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7454FDP-T1-RE3 SI7454FDP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 23,5 40 34m 39 ±20 26,5 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7456CDP-T1-GE3 SI7456CDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 27,5 50 31,5m 35,7 ±20 23 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 27,8 70 23m 22,8 ±20 29,5 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7456DP-T1-E3 SI7456DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 5,7 40 25m 1 ±20 44 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7456DP-T1-GE3 SI7456DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 5,7 40 25m 1 ±20 44 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SI7460DP-T1-E3 SI7460DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 18 40 12m 5,4 ±20 100 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7460DP-T1-GE3 SI7460DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 18 40 12m 5,4 ±20 100 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7461DP-T1-E3 SI7461DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -8,6 -60 14,5m 1,2 ±20 190 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -8,6 -60 14,5m 1,2 ±20 190 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7463ADP-T1-GE3 SI7463ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -46 -70 10m 25 ±20 144 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -11 -60 9,2m 1,2 ±20 140 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7463DP-T1-GE3 SI7463DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -11 -60 9,2m 1,2 ±20 140 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7464DP-T1-E3 SI7464DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 2,8 8 260m 4,2 ±20 18 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7464DP-T1-GE3 SI7464DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 2,8 8 260m 4,2 ±20 18 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -3,2 -25 64m 0,94 ±20 40 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -3,2 -25 64m 0,94 ±20 40 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7469ADP-T1-RE3 SI7469ADP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -80 -46 -125 27m 73,5 ±20 65 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -80 -28 -40 29m 83 ±20 160 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -80 -28 -40 25m 53 ±20 160 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7478DP-T1-E3 SI7478DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 15 60 7,5m 1,2 ±20 160 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7478DP-T1-GE3 SI7478DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 15 60 7,5m 1,2 ±20 160 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7489DP-T1-E3 SI7489DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -28 -40 41m 53 ±20 160 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7489DP-T1-GE3 SI7489DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -28 -40 41m 53 ±20 160 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 20/-20 12/-9 - 43m/19,5m 3,5 ±12 48/27 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7611DN-T1-GE3 SI7611DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -18 -20 25m 25 ±20 62 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -35 -60 14m 52,1 ±16 87 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -35 -80 4,4m 33 ±12 183 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7615CDN-T1-GE3 SI7615CDN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -35 - 20,3m 21,1 ±8 111 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7615DN-T1-GE3 SI7615DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -35 - 3,1m 52 ±12 - PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SI7617DN-T1-GE3 SI7617DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -13,9 -60 12,3m 33 ±25 59 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7619DN-T1-GE3 SI7619DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -24 -50 34m 27,8 ±20 50 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7623DN-T1-GE3 SI7623DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -35 -80 9m 52 ±12 180 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7625DN-T1-GE3 SI7625DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -17,3 -80 7m 33 ±20 126 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7629DN-T1-GE3 SI7629DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -35 -80 11,7m 52 ±12 177 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7633DP-T1-GE3 SI7633DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -60 -100 5,5m 104 ±20 260 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7634BDP-T1-E3 SI7634BDP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 40 70 7m 48 ±20 68 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7634BDP-T1-GE3 SI7634BDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 40 70 7m 48 ±20 68 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7636DP-T1-E3 SI7636DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 28 60 4,8m 5,2 ±20 50 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7636DP-T1-GE3 SI7636DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 28 60 4,8m 5,2 ±20 50 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -40 -100 3,6m 36 ±12 225 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7655DN-T1-GE3 SI7655DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -40 -100 8,5m 57 ±12 225 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7658ADP-T1-GE3 SI7658ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 60 80 2,8m 83 ±20 110 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7686DP-T1-E3 SI7686DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 35 50 14m 37,9 ±20 26 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7686DP-T1-GE3 SI7686DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 35 50 14m 37,9 ±20 26 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7716ADN-T1-GE3 SI7716ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 16 32 16,5m 27,7 ±20 23 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7726DN-T1-GE3 SI7726DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET + Schottky 30 35 60 12,5m 52 ±20 43 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7738DP-T1-E3 SI7738DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 26 60 38m 62 ±20 53 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7738DP-T1-GE3 SI7738DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 26 60 38m 62 ±20 53 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7742DP-T1-GE3 SI7742DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET + Schottky 30 60 80 4,5m 83 ±20 115 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7772DP-T1-GE3 SI7772DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET + Schottky 30 35,6 50 16,5m 29,8 ±20 28 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7806ADN-T1-E3 SI7806ADN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 14 40 16m 3,7 ±20 20 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7806ADN-T1-GE3 SI7806ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 14 40 16m 3,7 ±20 20 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7810DN-T1-E3 SI7810DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 5,4 20 84m 3,8 ±20 17 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7810DN-T1-GE3 SI7810DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 5,4 20 84m 3,8 ±20 17 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7812DN-T1-E3 SI7812DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 70 7,2 25 37m 33 ±20 24 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7812DN-T1-GE3 SI7812DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 75 7,2 25 37m 33 ±20 24 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7818DN-T1-E3 SI7818DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 2,2 10 135m 0,8 ±20 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7818DN-T1-GE3 SI7818DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 2,2 10 135m 0,8 ±20 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7820DN-T1-E3 SI7820DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 2,6 10 250m 3,8 ±20 18 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7820DN-T1-GE3 SI7820DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 2,6 10 250m 3,8 ±20 18 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7846DP-T1-E3 SI7846DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 24,5 50 50m 5,2 ±20 36 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7846DP-T1-GE3 SI7846DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 24,5 50 50m 5,2 ±20 36 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7848BDP-T1-E3 SI7848BDP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 12,8 50 9m 23 ±20 50 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7848BDP-T1-GE3 SI7848BDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 12,8 50 9m 23 ±20 50 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 12 40 25m 35,7 ±20 17 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7850DP-T1-E3 SI7850DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 6,2 40 22m 0,9 ±20 27 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 6,2 40 22m 0,9 ±20 27 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7852ADP-T1-E3 SI7852ADP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 30 60 17m 40 ±20 45 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7852DP-T1-E3 SI7852DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 7,6 50 16,5m 1,2 ±20 41 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7852DP-T1-GE3 SI7852DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 7,6 50 16,5m 1,2 ±20 41 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7858BDP-T1-GE3 SI7858BDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 12 40 70 3,7m 48 ±8 84 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7862ADP-T1-GE3 SI7862ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 16 29 60 5,5m 5,4 ±8 80 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7868ADP-T1-E3 SI7868ADP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 40 70 2,75m 83 ±16 150 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7880ADP-T1-E3 SI7880ADP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 40 70 4m 83 ±20 125 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7880ADP-T1-GE3 SI7880ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 40 70 4m 83 ±20 125 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 58 50 9m 46 ±20 77 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7892BDP-T1-GE3 SI7892BDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 25 60 5,7m 5 ±20 40 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 3 25 85m 1,2 ±20 21 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7898DP-T1-GE3 SI7898DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 3 25 85m 1,2 ±20 21 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7922DN-T1-E3 SI7922DN-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 100 2,5 10 230m 2,6 ±20 8 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7922DN-T1-GE3 SI7922DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 100 2,5 10 230m 2,6 ±20 8 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7923DN-T1-GE3 SI7923DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -30 -6,4 -20 75m 2,8 ±20 21 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 60 80 7m 46 ±20 65 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7942DP-T1-E3 SI7942DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 100 5,9 20 60m 3,5 ±20 24 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7942DP-T1-GE3 SI7942DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 100 5,9 20 60m 3,5 ±20 24 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7946ADP-T1-GE3 SI7946ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 150 7,7 10 256m 19,8 ±20 8 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7949DP-T1-E3 SI7949DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -60 -3,2 -25 64m 0,94 ±20 40 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7949DP-T1-GE3 SI7949DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -60 -3,2 -25 64m 0,94 ±20 40 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7956DP-T1-E3 SI7956DP-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 150 4,1 20 115m 3,5 ±20 26 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7956DP-T1-GE3 SI7956DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 150 4,1 20 115m 3,5 ±20 26 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7972DP-T1-GE3 SI7972DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 60 8 40 21m 22 ±20 23 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7994DP-T1-GE3 SI7994DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 60 60 7m 46 ±20 80 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7997DP-T1-GE3 SI7997DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -30 -60 -100 7,8m 46 ±20 160 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI7998DP-T1-GE3 SI7998DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 25/30 60...80 7m/12,4m 22/40 ±20 26/48 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8401DB-T1-E1 SI8401DB-T1-E1 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -4,9 -10 95m 2,77 ±12 17 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8401DB-T1-E3 SI8401DB-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -4,9 -10 95m 2,77 ±12 17 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8406DB-T2-E1 SI8406DB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 16 30 42m 13 ±8 20 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8409DB-T1-E1 SI8409DB-T1-E1 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -6,3 -25 65m 2,77 ±12 26 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8410DB-T2-E1 SI8410DB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 5,7 20 68m 1,8 ±8 16 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8416DB-T2-E1 SI8416DB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 8 16 20 95m 13 ±5 26 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 8 10 25 20m 1,8 ±5 40 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8425DB-T1-E1 SI8425DB-T1-E1 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -9,3 -25 40m 2,7 ±10 110 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -10,2 -25 35m 2,7 ±8 93 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8466EDB-T2-E1 SI8466EDB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 8 5,4 20 90m 1,8 ±5 13 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8472DB-T2-E1 SI8472DB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 4,5 20 70m 1,8 ±8 18 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8481DB-T1-E1 SI8481DB-T1-E1 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -9,7 -30 39m 2,8 ±8 81 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8483DB-T2-E1 SI8483DB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -16 -25 92m 13 ±10 65 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8487DB-T1-E1 SI8487DB-T1-E1 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -6,4 - 45m 1,8/0,73 ±12 80 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8489EDB-T2-E1 SI8489EDB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -5,4 -20 82m 1,8 ±12 27 MICROFOOT® SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8497DB-T2-E1 SI8497DB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -13 -20 120m 13 ±12 49 MICROFOOT® SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8499DB-T2-E1 SI8499DB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -16 -20 120m 13 ±12 30 MICROFOOT® SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8800EDB-T2-E1 SI8800EDB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 2,8 15 150m 0,9 ±8 8,3 MICROFOOT® SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8802DB-T2-E1 SI8802DB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 8 3,5 15 135m 0,9 ±5 6,5 MICROFOOT® SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8806DB-T2-E1 SI8806DB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 12 3,9 20 75m 0,9 ±8 17 MICROFOOT® SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8808DB-T2-E1 SI8808DB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 2,5 10 165m 0,9 ±8 10 MICROFOOT® SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8810EDB-T2-E1 SI8810EDB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 2,9 15 125m 0,9 ±8 8 MICROFOOT® SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8812DB-T2-E1 SI8812DB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 3,2 20 93m 0,9 ±8 17 MICROFOOT® SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8816EDB-T2-E1 SI8816EDB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 2,3 8 142m 0,9 ±12 8 MICROFOOT® SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8817DB-T2-E1 SI8817DB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -2,9 -15 320m 0,9 ±8 19 MICROFOOT® SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8818EDB-T2-E1 SI8818EDB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 2,2 - 128m - ±12 4,6 - SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI8819EDB-T2-E1 SI8819EDB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -2,9 -15 280m 0,9 ±8 17 MICROFOOT® SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8821EDB-T2-E1 SI8821EDB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -2,3 -15 215m 0,9 ±12 17 MICROFOOT® SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8823EDB-T2-E1 SI8823EDB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -2,7 -15 335m 0,9 ±8 17 MICROFOOT® SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8824EDB-T2-E1 SI8824EDB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 2,9 15 175m 0,9 ±5 6 MICROFOOT® SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8851EDB-T2-E1 SI8851EDB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -16,7 -80 18,5m 3,1 ±8 180 MICROFOOT® SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI8902AEDB-T2-E1 SI8902AEDB-T2-E1 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 24 11 40 37m 5,7 ±12 - MICROFOOT® SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI9407BDY-E3 SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -2,6 -20 120m 3,2 ±20 22 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -2,6 -20 120m 3,2 ±20 22 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -2,6 -20 120m 3,2 ±20 22 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI9433BDY-T1-E3 SI9433BDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -5 -20 60m 2,5 ±12 14 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI9634DY-T1-GE3 SI9634DY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 60 5 32 38m 1,3 ±20 11 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI9926CDY-E3 SI9926CDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 20 6,7 30 22m 2 ±12 33 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 20 6,7 30 22m 2 ±12 33 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI9933CDY-T1-E3 SI9933CDY-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -20 -4 -20 94m 3,1 ±12 26 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -20 -4 -20 94m 3,1 ±12 26 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA106DJ-T1-GE3 SIA106DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 12 40 22,5m 19 ±20 13,5 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA108DJ-T1-GE3 SIA108DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 12 30 46m 19 ±20 13 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA110DJ-T1-GE3 SIA110DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 12 20 72m 19 ±20 13 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA112LDJ-T1-GE3 SIA112LDJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 8,8 10 135m 15,6 ±20 11,8 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 12 30 25m 19,2 ±12 36 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA413ADJ-T1-GE3 SIA413ADJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -12 -40 100m 19 ±8 57 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA413DJ-T1-GE3 SIA413DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -12 -40 100m 19 ±8 57 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA414DJ-T1-GE3 SIA414DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 8 12 40 41m 19 ±5 32 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA416DJ-T1-GE3 SIA416DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 11,3 15 83m 12 ±20 10 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA421DJ-T1-GE3 SIA421DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -12 -35 35m 12 ±20 29 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA4263DJ-T1-GE3 SIA4263DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -12 -32 51,1m 15,6 ±8 52,2 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA4265EDJ-T1-GE3 SIA4265EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -9 -20 67,5m 15,6 ±8 36 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA427ADJ-T1-GE3 SIA427ADJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -8 -12 -50 16m 12 ±5 50 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA427DJ-T1-GE3 SIA427DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -8 -12 - 95m 19 ±5 - PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIA429DJT-T1-GE3 SIA429DJT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -12 -30 60m 19 ±8 62 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA430DJT-T1-GE3 SIA430DJT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 12 40 18,5m 19,2 ±20 18 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA431DJ-T1-GE3 SIA431DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -12 -30 25m 12 ±8 60 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA432DJ-T1-GE3 SIA432DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 12 30 24m 19,2 ±20 20 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -12 -50 65m 19 ±12 75 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA436DJ-T1-GE3 SIA436DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 8 12 50 36m 19 ±5 25,2 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -29,7 -60 65m 19 ±8 90 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 12 50 26m 12 ±12 21,5 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA441DJ-T1-GE3 SIA441DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -12 -30 65m 19 ±20 35 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA445EDJ-T1-GE3 SIA445EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -12 -50 30m 19 ±12 72 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA445EDJT-T1-GE3 SIA445EDJT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -12 -50 31m 19 ±12 69 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA446DJ-T1-GE3 SIA446DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 7,7 10 177m 12 ±20 8 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA447DJ-T1-GE3 SIA447DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -12 -50 13,5m 12 ±8 80 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA449DJ-T1-GE3 SIA449DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -12 -30 20m 12 ±12 72 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA456DJ-T1-GE3 SIA456DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 2,6 2 1,38 12 ±16 14,5 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA459EDJ-T1-GE3 SIA459EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -9 -40 35m 10 ±12 30 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA461DJ-T1-GE3 SIA461DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -12 -20 55m 17,9 ±8 45 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA462DJ-T1-GE3 SIA462DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 12 40 22m 19 ±20 17 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA466EDJ-T1-GE3 SIA466EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 25 50 13m 19,2 ±20 20 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA468DJ-T1-GE3 SIA468DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 37,8 70 11,4m 19 - 22 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA469DJ-T1-GE3 SIA469DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -12 -40 40m 15,6 ±20 32 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA471DJ-T1-GE3 SIA471DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -30,3 -70 24,1m 19,2 - 27,8 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA472EDJ-T1-GE3 SIA472EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 12 30 26,3m 19,2 ±12 36 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA477EDJ-T1-GE3 SIA477EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -12 -50 32m 19 ±8 83 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA477EDJT-T1-GE3 SIA477EDJT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -12 -50 32m 19 ±8 83 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA483ADJ-T1-GE3 SIA483ADJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -12 -60 33m 17,9 - 26 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA483DJ-T1-GE3 SIA483DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -12 -40 21m 12 ±20 45 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA485DJ-T1-GE3 SIA485DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -150 -1,6 -2 2,7 15,6 ±20 6,3 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA517DJ-T1-GE3 SIA517DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 12/-12 4,5/-4,5 - 170m/65m 6,5 ±8 20/15 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA519EDJ-T1-GE3 SIA519EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 20/-20 4,5/-4,5 - 137m/65m 7,8 ±12 16/12 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA527DJ-T1-GE3 SIA527DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 12/-12 4,5/-4,5 - 174m/65m 7,8 ±8 26/15 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA533EDJ-T1-GE3 SIA533EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 12/-12 4,5/-4,5 - 215m/70m 7,8 ±8 20/15 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA537EDJ-T1-GE3 SIA537EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 12/-20 4,5/-4,5 - 165m/104m 7,8 ±8 25/16 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA811ADJ-T1-GE3 SIA811ADJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET + Schottky -20 -4,5 -8 205m 6,8 ±8 13 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA817EDJ-T1-GE3 SIA817EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET + Schottky -30 -4,5 -15 125m 6,5 ±12 23 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA906EDJ-T1-GE3 SIA906EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 20 4,5 15 63m 7,8 ±12 12 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA907EDJT-T1-GE3 SIA907EDJT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -12 -4,5 15 95m 7,8 ±12 23 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA910EDJ-T1-GE3 SIA910EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 12 4,5 20 42m 7,8 ±8 16 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA913ADJ-T1-GE3 SIA913ADJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -12 -4,5 -15 115m 6,5 ±8 20 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA918EDJ-T1-GE3 SIA918EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 4,5 15 77m 7,8 ±8 9,5 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA921EDJ-T1-GE3 SIA921EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -4,5 -15 59m 5 ±12 23 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA923AEDJ-T1-GE3 SIA923AEDJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -20 -4,5 -15 165m 7,8 ±8 25 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA923EDJ-T1-GE3 SIA923EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -20 -4,5 -15 165m 7,8 ±8 25 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA928DJ-T1-GE3 SIA928DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 4,5 30 33m 7,8 - 10 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA929DJ-T1-GE3 SIA929DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -4,5 -15 64m 5 ±12 21 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA931DJ-T1-GE3 SIA931DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -4,3 -28 65m 5 ±20 13 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA938DJT-T1-GE3 SIA938DJT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 20 4,5 30 48m 7,8 - 11,5 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIA975DJ-T1-GE3 SIA975DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -4,5 -15 41m 5 ±8 26 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIAA00DJ-T1-GE3 SIAA00DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 25 40 80 7,5m 19,2 - 24 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIAA02DJ-T1-GE3 SIAA02DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 52 100 16,2m 19 - 33 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIAA40DJ-T1-GE3 SIAA40DJ-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 30 60 16m 19,2 - 24 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIB406EDK-T1-GE3 SIB406EDK-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 6 15 63m 10 ±12 12 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIB4122DK-T1-GE3 SIB4122DK-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 4,7 8 160m 12,5 ±20 2,9 PowerPAK® SC75 SMD - - - - ThunderFET, TrenchFET® - - -
SIB417EDK-T1-GE3 SIB417EDK-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -8 -9 -15 250m 13 ±5 12 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIB422EDK-T1-GE3 SIB422EDK-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 9 25 82m 13 ±8 18 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIB433EDK-T1-GE3 SIB433EDK-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -9 -20 105m 13 ±8 21 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIB441EDK-T1-GE3 SIB441EDK-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -9 -40 115m 13 ±8 33 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIB452DK-T1-GE3 SIB452DK-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 190 0,53 - 6 13 ±16 6,5 PowerPAK® SC75 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIB456DK-T1-GE3 SIB456DK-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 6,3 7 310m 13 ±20 5 PowerPAK® SC75 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIB457EDK-T1-GE3 SIB457EDK-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -6,8 -25 35m 8,4 ±8 44 PowerPAK® SC75 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - ESD -
SIDR104ADP-T1-RE3 SIDR104ADP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 81 200 7,2m 100 ±20 70 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR104AEP-T1-RE3 SIDR104AEP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 90,5 200 7,2m 120 ±20 70 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR140DP-T1-GE3 SIDR140DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 25 100 500 900µ 125 - 170 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR140DP-T1-RE3 SIDR140DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 25 100 500 900µ 125 - 170 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR170DP-T1-RE3 SIDR170DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 95 200 5,85m 125 ±20 140 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR220DP-T1-RE3 SIDR220DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 25 100 500 820µ 125 - 200 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR390DP-T1-GE3 SIDR390DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 100 400 1,15m 125 - 153 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR392DP-T1-GE3 SIDR392DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 100 200 930µ 125 - 188 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR392DP-T1-RE3 SIDR392DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 100 200 930µ 125 - 188 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR402DP-T1-GE3 SIDR402DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 100 400 1,16m 125 - 165 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR402DP-T1-RE3 SIDR402DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 64,6 - - - - - PowerPAK® SO8 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SIDR500EP-T1-RE3 SIDR500EP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 421 500 680µ 150 - 180 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR5102EP-T1-RE3 SIDR5102EP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 126 300 5,6m 150 ±20 51 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR510EP-T1-RE3 SIDR510EP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 148 300 4,2m 150 ±20 81 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR570EP-T1-RE3 SIDR570EP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 90,9 200 8,5m 150 ±20 71 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR5802EP-T1-RE3 SIDR5802EP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 153 300 4m 150 ±20 60 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR608DP-T1-RE3 SIDR608DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 45 208 400 1,8m 104 - 167 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR610DP-T1-GE3 SIDR610DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 39,6 80 33,4m 125 ±20 38 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR610DP-T1-RE3 SIDR610DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 39,6 80 33,4m 125 ±20 38 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR610EP-T1-RE3 SIDR610EP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 33,1 80 23,9m 150 ±20 20 PowerPAK® SO8 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SIDR622DP-T1-GE3 SIDR622DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 56,7 100 20,4m 125 ±20 41 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR622DP-T1-RE3 SIDR622DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 56,7 100 20,4m 125 ±20 41 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR626DP-T1-GE3 SIDR626DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 100 200 2,6m 80 ±20 102 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR626DP-T1-RE3 SIDR626DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 100 200 2,6m 125 ±20 102 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR626LDP-T1-RE3 SIDR626LDP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 204 300 2,1m 125 ±20 135 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR626LEP-T1-RE3 SIDR626LEP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 218 300 2,1m 150 ±20 135 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR638DP-T1-GE3 SIDR638DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 100 400 1,16m 125 - 204 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR638DP-T1-RE3 SIDR638DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 100 400 1,16m 125 - 204 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR668ADP-T1-RE3 SIDR668ADP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 104 200 7m 125 ±20 81 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR668DP-T1-GE3 SIDR668DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 95 200 5,05m 125 ±20 108 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR680ADP-T1-RE3 SIDR680ADP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 137 300 3,5m 125 ±20 83 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR680DP-T1-GE3 SIDR680DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 100 200 3,4m 125 ±20 105 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR870ADP-T1-GE3 SIDR870ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 95 300 10,5m 125 ±20 80 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIDR870ADP-T1-RE3 SIDR870ADP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 95 300 10,5m 125 ±20 80 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIE802DF-T1-E3 SIE802DF-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 60 100 2,6m 125 ±20 160 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIE808DF-T1-E3 SIE808DF-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 60 100 2,5m 125 ±20 155 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIE812DF-T1-E3 SIE812DF-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 60 100 3,4m 125 ±20 170 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIE812DF-T1-GE3 SIE812DF-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 60 100 3,4m 125 ±20 170 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIE818DF-T1-E3 SIE818DF-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 75 60 80 12,5m 125 ±20 95 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIE818DF-T1-GE3 SIE818DF-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 75 60 80 12,5m 125 ±20 95 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIE822DF-T1-E3 SIE822DF-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 50 80 5,5m 104 ±20 78 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIEH4800EW-T1-GE3 SIEH4800EW-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 34 - 1,15m 3,4 ±20 278 PowerPAK® SO8 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SIHA100N60E-GE3 SIHA100N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 8 73 100m 35 ±30 50 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA105N60EF-GE3 SIHA105N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 29 - 100m 35 ±30 35 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA11N80AE-GE3 SIHA11N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 5 22 450m 31 ±30 42 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA11N80E-GE3 SIHA11N80E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 8 32 440m 34 ±30 88 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA120N60E-GE3 SIHA120N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 16 66 120m 34 ±30 45 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA125N60EF-GE3 SIHA125N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 7 66 125m 179 ±30 47 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA12N50E-E3 SIHA12N50E-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 6,6 21 380m 32 ±30 50 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA12N60E-E3 SIHA12N60E-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 12 - 380m 33 ±30 29 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA14N60E-GE3 SIHA14N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 13 - - 147 ±30 - TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA15N50E-E3 SIHA15N50E-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 9,2 28 280m 33 ±30 66 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 9,6 39 280m 34 ±30 76 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA15N65E-GE3 SIHA15N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 15 - 280m 34 ±30 96 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA15N80AEF-GE3 SIHA15N80AEF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 4 28 350m 33 ±30 54 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA15N80AE-GE3 SIHA15N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 4 29 350m 33 ±30 53 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA17N80AEF-GE3 SIHA17N80AEF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 4,1 32 305m 34 ±30 63 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA17N80E-E3 SIHA17N80E-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 15 - 290m 35 ±30 - TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA17N80E-GE3 SIHA17N80E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 4 45 290m 35 ±30 122 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA180N60E-GE3 SIHA180N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 6 44 180m 33 ±30 33 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA186N60EF-GE3 SIHA186N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 8,4 - 193m 156 ±30 32 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA18N60E-E3 SIHA18N60E-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 18 - 176m 34 ±30 46 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA20N50E-E3 SIHA20N50E-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 19 - 160m 34 ±30 46 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA20N50E-GE3 SIHA20N50E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 12 42 184m 34 ±30 92 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA21N60EF-E3 SIHA21N60EF-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 21 - 176m 35 ±30 - TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA21N65EF-E3 SIHA21N65EF-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 13 53 180m 35 ±30 106 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA21N65EF-GE3 SIHA21N65EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 21 - 180m 35 ±30 - TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA21N80AEF-GE3 SIHA21N80AEF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 4,4 37 250m 33 ±30 71 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA22N60AE-GE3 SIHA22N60AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 5 49 180m 33 ±30 96 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA22N60E-E3 SIHA22N60E-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 21 - 180m 35 ±30 57 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA22N60EF-GE3 SIHA22N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 12 46 182m 33 ±30 96 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA22N60EL-E3 SIHA22N60EL-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 21 - - 35 ±30 - TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA240N60E-GE3 SIHA240N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 7 30 240m 31 ±30 23 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA24N65EF-GE3 SIHA24N65EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 6 65 156m 39 ±30 122 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA24N80AE-GE3 SIHA24N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 5 51 184m 35 ±30 89 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA25N50E-E3 SIHA25N50E-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 550 26 - 145m 35 ±30 57 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA25N50E-GE3 SIHA25N50E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 16 50 145m 35 ±30 86 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA25N60EFL-E3 SIHA25N60EFL-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 25 - 127m 39 ±30 50 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA2N80E-GE3 SIHA2N80E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 1,8 5 2,75 29 ±30 19,6 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA4N80E-GE3 SIHA4N80E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 2,7 11 1,27 69 ±30 32 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA5N80AE-GE3 SIHA5N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 1,9 7 1,35 29 ±30 16,5 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA690N60E-GE3 SIHA690N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 2,7 11 700m 29 ±30 12 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA6N65E-GE3 SIHA6N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 7 - - 31 ±30 24 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA6N80AE-GE3 SIHA6N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 3,2 10 950m 30 ±30 22,5 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHA6N80E-GE3 SIHA6N80E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 5,4 - 940m 31 ±30 - TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHB053N60E-GE3 SIHB053N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 47 128 54m 278 ±30 92 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB055N60EF-GE3 SIHB055N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 29 123 48m 278 ±30 95 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB065N60E-GE3 SIHB065N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 25 116 65m 250 ±30 74 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB068N60EF-GE3 SIHB068N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 26 115 68m 250 ±30 77 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB100N60E-GE3 SIHB100N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 19 73 100m 208 ±30 50 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB100N65E-GE3 SIHB100N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 19 63 87m 208 ±30 41 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB105N60EF-GE3 SIHB105N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 29 - 102m 208 ±30 35 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB11N80AE-GE3 SIHB11N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 5 22 450m 78 ±30 42 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB11N80AE-T1-GE3 SIHB11N80AE-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 5 22 391m 78 ±30 - D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB11N80E-GE3 SIHB11N80E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 8 32 440m 179 ±30 88 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB120N60E-GE3 SIHB120N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 25 - 120m 179 ±30 45 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB120N60E-T1-GE3 SIHB120N60E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 16 66 120m 179 ±30 - D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB120N60E-T5-GE3 SIHB120N60E-T5-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 16 66 120m 179 ±30 45 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB125N60EF-GE3 SIHB125N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 16 66 125m 179 ±30 47 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB125N65E-GE3 SIHB125N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 17 60 120m 208 ±30 38 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB12N50E-GE3 SIHB12N50E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 6,6 21 380m 114 ±30 50 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB12N60E-GE3 SIHB12N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 7,8 - 380m 147 ±30 58 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB12N60ET1-GE3 SIHB12N60ET1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 7,8 27 380m 147 ±30 58 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB12N60ET5-GE3 SIHB12N60ET5-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 7,8 27 380m 147 ±30 58 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB12N65E-GE3 SIHB12N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 8 28 380m 156 ±30 70 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB150N60E-GE3 SIHB150N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 14 43 137m 179 ±30 24 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB155N60EF-GE3 SIHB155N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 21 - 159m 179 ±30 25 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB15N50E-GE3 SIHB15N50E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 9,2 28 280m 156 ±30 66 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB15N60E-GE3 SIHB15N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 9,6 39 280m 180 ±30 78 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB15N65E-GE3 SIHB15N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 10 38 280m 34 ±30 96 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB15N80AE-GE3 SIHB15N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 8 29 350m 156 ±30 53 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB17N80AE-GE3 SIHB17N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 10 32 290m 179 ±30 62 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB17N80E-GE3 SIHB17N80E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 10 45 290m 208 ±30 122 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB180N60E-GE3 SIHB180N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 12 44 180m 156 ±30 33 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB186N60EF-GE3 SIHB186N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 12 43 168m 156 ±30 32 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB18N60E-GE3 SIHB18N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 - - 380m 179 ±30 46 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB190N65E-GE3 SIHB190N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 20 - 190m 179 ±30 33 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB20N50E-GE3 SIHB20N50E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 12 42 184m 179 ±30 92 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB21N60EF-GE3 SIHB21N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 14 53 176m 227 ±30 84 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB21N65EF-GE3 SIHB21N65EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 13 53 180m 208 ±30 106 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB21N80AE-GE3 SIHB21N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 11 38 235m 179 ±30 72 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB22N60AE-GE3 SIHB22N60AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 51 268 30m 520 ±30 443 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB22N60EF-GE3 SIHB22N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 12 46 182m 179 ±30 96 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB22N60E-GE3 SIHB22N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 21 56 180m 227 ±30 86 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB22N60EL-GE3 SIHB22N60EL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 13 45 197m 227 ±30 74 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB22N60ET1-GE3 SIHB22N60ET1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 13 56 180m 227 ±30 86 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB22N60ET5-GE3 SIHB22N60ET5-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 13 56 180m 227 ±30 86 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB22N65E-GE3 SIHB22N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 14 56 180m 227 ±30 110 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB23N60E-GE3 SIHB23N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 15 63 158m 227 ±30 95 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB240N65E-GE3 SIHB240N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 10 33 208m 147 ±30 - D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB24N65E-E3 SIHB24N65E-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 16 70 145m 250 ±30 122 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB24N65EF-GE3 SIHB24N65EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 15 65 156m 250 ±30 122 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB24N65EFT1-GE3 SIHB24N65EFT1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 24 65 156m 250 ±30 122 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB24N65E-GE3 SIHB24N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 16 70 145m 250 ±30 122 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB24N80AE-GE3 SIHB24N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 13 51 184m 208 ±30 89 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB24N80AE-T1-GE3 SIHB24N80AE-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 13 51 160m 208 ±30 - D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB25N50E-GE3 SIHB25N50E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 16 50 145m 250 ±30 86 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB28N60EF-GE3 SIHB28N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 18 75 123m 250 ±30 120 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB30N60E-GE3 SIHB30N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 18 76 125m 250 ±30 130 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB33N60EF-GE3 SIHB33N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 21 100 98m 278 ±30 155 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB33N60E-GE3 SIHB33N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 21 - 99m 278 ±30 150 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB35N60EF-GE3 SIHB35N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 20 80 97m 250 ±30 134 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB35N60E-GE3 SIHB35N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 20 80 94m 250 ±30 132 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB4N80E-GE3 SIHB4N80E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 2,7 11 1,27 69 ±30 32 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB5N80AE-GE3 SIHB5N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 2,8 7 1,17 62,5 ±30 - D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB6N65E-GE3 SIHB6N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 5 18 600m 78 ±30 48 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB6N80E-GE3 SIHB6N80E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 5,4 15 940m 78 ±30 44 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHB8N50D-GE3 SIHB8N50D-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,5 18 850m 156 ±30 30 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHD11N80AE-T1-GE3 SIHD11N80AE-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 5 22 391m 78 ±30 42 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SIHD12N50E-GE3 SIHD12N50E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 6,6 21 380m 114 ±30 50 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHD14N60E-GE3 SIHD14N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 8 32 309m 147 ±30 64 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHD180N60E-GE3 SIHD180N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 12 40 195m 156 ±30 32 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHD180N60ET1-GE3 SIHD180N60ET1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 12 40 170m 156 ±30 21 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SIHD180N60ET4-GE3 SIHD180N60ET4-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 12 40 170m 156 ±30 32 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SIHD186N60EF-GE3 SIHD186N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 12 40 201m 156 ±30 32 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHD1K4N60E-GE3 SIHD1K4N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 2,6 5 1,45 63 ±30 7,5 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHD240N60E-GE3 SIHD240N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 7 30 240m 78 ±30 23 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHD240N65E-GE3 SIHD240N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 16 - 240m 147 ±30 19 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SIHD2N80AE-GE3 SIHD2N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 1,8 3,6 2,5 62,5 ±30 10,5 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - ESD -
SIHD2N80E-GE3 SIHD2N80E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 1,8 5 2,75 62,5 ±30 19,6 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHD3N50D-GE3 SIHD3N50D-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 1,9 5,5 3,2 69 ±30 12 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHD4N80E-GE3 SIHD4N80E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 2,7 11 1,27 69 ±30 32 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHD5N50D-GE3 SIHD5N50D-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 3,4 10 1,5 104 ±30 20 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHD5N80AE-GE3 SIHD5N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 850 4,4 - 1,35 62,5 ±30 11 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SIHD690N60E-GE3 SIHD690N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 4 11 700m 62,5 ±30 12 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHD6N62E-GE3 SIHD6N62E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 620 4 12 900m 78 ±30 34 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHD6N65E-GE3 SIHD6N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 5 18 600m 78 ±30 48 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHD6N80AE-GE3 SIHD6N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 3,2 10 950m 62,5 ±30 22,5 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHD6N80E-GE3 SIHD6N80E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 3,4 15 940m 78 ±30 44 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHD7N60E-E3 SIHD7N60E-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 7 - - 78 ±30 - DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SIHD7N60E-GE3 SIHD7N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 5 18 600m 78 ±30 40 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHD9N60E-GE3 SIHD9N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 6 22 368m 78 ±30 52 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF065N60E-GE3 SIHF065N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 25 116 65m 39 ±30 74 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHF068N60EF-GE3 SIHF068N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 10 115 68m 39 ±30 77 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHF080N60E-GE3 SIHF080N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 9 96 70m 35 ±30 42 TO220-3 THT - - - - - - - -
SIHF10N40D-E3 SIHF10N40D-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 6 23 600m 33 ±30 30 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHF12N60E-GE3 SIHF12N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 7,8 27 380m 33 ±30 58 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHF12N65E-GE3 SIHF12N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 8 28 380m 33 ±30 70 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHF15N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 9,6 39 280m 34 ±30 78 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHF15N65E-GE3 SIHF15N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 10 38 280m 34 ±30 96 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHF18N50D-E3 SIHF18N50D-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 11 53 280m 39 ±30 76 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHF22N60E-E3 SIHF22N60E-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 21 - 180m 227 ±30 86 TO220-3 THT - - - - - - - -
SIHF22N60E-GE3 SIHF22N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 13 56 180m 35 ±30 86 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHF22N65E-GE3 SIHF22N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 14 56 180m 35 ±30 110 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHF23N60E-GE3 SIHF23N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 15 63 158m 35 ±30 95 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHF28N60EF-GE3 SIHF28N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 18 75 123m 39 ±30 120 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHF30N60E-E3 SIHF30N60E-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 29 - 104m 37 ±30 - TO220FP THT - - - - - - - -
SIHF30N60E-GE3 SIHF30N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 18 676 125m 37 ±30 130 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHF35N60EF-GE3 SIHF35N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 20 80 97m 39 ±30 134 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHF35N60E-GE3 SIHF35N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 32 80 82m 39 ±30 132 TO220-3 THT - - - - - - - -
SIHF530S-GE3 SIHF530S-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 10 56 160m 88 ±20 26 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF530STRL-GE3 SIHF530STRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 10 56 160m 88 ±20 26 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF530STRR-GE3 SIHF530STRR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 10 56 160m 88 ±20 26 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF540S-GE3 SIHF540S-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 20 110 77m 150 ±20 72 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF540STRR-GE3 SIHF540STRR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 20 110 77m 150 ±20 72 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHF5N50D-E3 SIHF5N50D-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 3,4 10 1,5 28,8 ±30 20 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHF610S-GE3 SIHF610S-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 2,1 10 1,5 36 ±20 8,2 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF620S-GE3 SIHF620S-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 3,3 18 800m 50 ±20 14 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF620STRL-GE3 SIHF620STRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 3,3 18 800m 50 ±20 14 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF634S-GE3 SIHF634S-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 5,1 32 450m 74 ±20 41 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHF634STRR-GE3 SIHF634STRR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 5,1 32 450m 74 ±20 41 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF640L-GE3 SIHF640L-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 11 72 180m 130 ±20 70 I2PAK, TO262 THT tube - - - - - - -
SIHF640S-GE3 SIHF640S-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 11 72 180m 130 ±20 70 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF640STRL-GE3 SIHF640STRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 11 72 180m 130 ±20 70 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHF640STRR-GE3 SIHF640STRR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 11 72 180m 130 ±20 70 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHF644S-GE3 SIHF644S-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 8,5 56 280m 125 ±20 68 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF644STRL-GE3 SIHF644STRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 8,5 56 280m 125 ±20 68 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF6N65E-GE3 SIHF6N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 5 18 600m 31 ±30 48 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHF730AL-GE3 SIHF730AL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 - 22 1 74 ±30 22 I2PAK, TO262 THT - - - - - - - -
SIHF730ASTRR-GE3 SIHF730ASTRR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 3,5 22 1 74 ±30 22 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHF730STRL-GE3 SIHF730STRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 3,5 22 1 74 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF740AL-GE3 SIHF740AL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±30 36 I2PAK, TO262 THT tube - - - - - - -
SIHF740S-GE3 SIHF740S-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±20 63 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHF740STRL-GE3 SIHF740STRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±20 63 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF7N60E-E3 SIHF7N60E-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 5 18 600m 31 ±30 40 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHF830STRL-GE3 SIHF830STRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 2,9 18 1,5 74 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF840AS-GE3 SIHF840AS-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±30 38 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF840LCS-GE3 SIHF840LCS-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,1 28 850m 125 ±30 39 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHF840S-GE3 SIHF840S-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±20 63 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF8N50D-E3 SIHF8N50D-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,5 18 850m 33 ±30 30 TO220FP THT tube - - - - - - -
SIHF9520S-GE3 SIHF9520S-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -4,8 -27 600m 60 ±20 18 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF9530S-GE3 SIHF9530S-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -8,2 -48 300m 88 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF9540S-GE3 SIHF9540S-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -13 -72 200m 150 ±20 - D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
SIHF9540STRL-GE3 SIHF9540STRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -13 -72 200m 150 ±20 - D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF9630STRL-GE3 SIHF9630STRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -4 -26 800m 74 ±20 - D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF9640S-GE3 SIHF9640S-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -6,8 -44 500m 125 ±20 44 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
SIHF9640STRL-GE3 SIHF9640STRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -6,8 -44 500m 125 ±20 - D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF9Z24STRL-GE3 SIHF9Z24STRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -7,7 -44 280m 60 ±20 - D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHF9Z34STRL-GE3 SIHF9Z34STRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -13 -72 140m 88 ±20 34 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFBC20L-GE3 SIHFBC20L-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 1,4 8 4,4 50 ±20 18 I2PAK, TO262 THT tube - - - - - - -
SIHFBC30AS-GE3 SIHFBC30AS-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 2,3 14 2,2 74 ±30 23 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFBC30ASTRR-GE3 SIHFBC30ASTRR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 2,3 14 2,2 74 ±30 23 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHFBC40L-GE3 SIHFBC40L-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 3,9 25 1,2 130 ±20 60 I2PAK, TO262 THT tube - - - - - - -
SIHFBE30L-GE3 SIHFBE30L-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 2,6 16 3 125 ±20 78 I2PAK, TO262 THT tube - - - - - - -
SIHFBF20L-GE3 SIHFBF20L-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 900 1,1 6,8 8 54 ±20 38 I2PAK, TO262 THT - - - - - - - -
SIHFBF20S-GE3 SIHFBF20S-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 900 1,1 6,8 8 54 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
SIHFBF20STRL-GE3 SIHFBF20STRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 900 1,1 6,8 8 54 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFBF30S-GE3 SIHFBF30S-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 900 2,3 14 3,7 125 ±20 78 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
SIHFL210TR-GE3 SIHFL210TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 0,6 7,7 1,5 3,1 ±20 8,2 SOT223 SMD - - - - - - - -
SIHFL9014TR-GE3 SIHFL9014TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -1,1 -14 500m 3,1 ±20 - SOT223 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFL9110TR-GE3 SIHFL9110TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -0,69 -8,8 1,2 3,1 ±20 - SOT223 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFPS37N50A-GE3 SIHFPS37N50A-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 23 144 130m 446 ±30 180 SUPER247 THT tube - - - - - - -
SIHFR010-GE3 SIHFR010-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 50 8,2 33 200m 25 ±20 10 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
SIHFR014TR-GE3 SIHFR014TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 4,9 31 200m 25 ±20 11 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR024-GE3 SIHFR024-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
SIHFR024TR-GE3 SIHFR024TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SIHFR110-GE3 SIHFR110-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±20 8,3 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
SIHFR110TR-GE3 SIHFR110TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±20 8,3 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR110TRL-GE3 SIHFR110TRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±20 8,3 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR120-GE3 SIHFR120-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 4,9 31 270m 42 ±20 16 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
SIHFR120TR-GE3 SIHFR120TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 4,9 31 270m 42 ±20 16 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR120TRL-GE3 SIHFR120TRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 4,9 31 270m 42 ±20 16 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 0,89 5,6 7 36 ±30 14 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
SIHFR1N60ATRL-GE3 SIHFR1N60ATRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 0,89 5,6 7 36 ±30 14 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR210TRL-GE3 SIHFR210TRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 1,7 10 1,5 25 ±20 8,2 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR220-GE3 SIHFR220-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 3 19 800m 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
SIHFR220TRL-GE3 SIHFR220TRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 3 19 800m 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR310-GE3 SIHFR310-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 1,1 6 3,6 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
SIHFR310TR-GE3 SIHFR310TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 1,1 6 3,6 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR310TRR-GE3 SIHFR310TRR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 1,1 6 3,6 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SIHFR320-GE3 SIHFR320-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 2 12 1,8 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
SIHFR320TR-GE3 SIHFR320TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 2 12 1,8 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR420A-GE3 SIHFR420A-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 2,1 10 3 83 ±30 17 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
SIHFR420ATR-GE3 SIHFR420ATR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 2,1 10 3 83 ±30 17 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR420-GE3 SIHFR420-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 1,5 8 3 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
SIHFR420TR-GE3 SIHFR420TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 1,5 8 3 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR420TRL-GE3 SIHFR420TRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 1,5 8 3 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR430A-GE3 SIHFR430A-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 3,2 20 1,7 110 ±30 24 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
SIHFR430ATR-GE3 SIHFR430ATR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 3,2 20 1,7 110 ±30 24 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR430ATRR-GE3 SIHFR430ATRR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 3,2 20 1,7 110 ±30 24 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SIHFR9014-GE3 SIHFR9014-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -3,2 -20 500m 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
SIHFR9014TR-GE3 SIHFR9014TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -3,2 -20 500m 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR9014TRL-GE3 SIHFR9014TRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -3,2 -20 500m 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR9020TR-GE3 SIHFR9020TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -50 -6,3 -40 280m 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR9024-GE3 SIHFR9024-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -5,6 -35 280m 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
SIHFR9024TR-GE3 SIHFR9024TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -5,6 -35 280m 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR9024TRL-GE3 SIHFR9024TRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -5,6 -35 280m 42 ±20 - DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR9024TRR-GE3 SIHFR9024TRR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -5,6 -35 280m 42 ±20 - DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR9110TR-GE3 SIHFR9110TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -2 -12 1,2 25 ±20 8,7 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR9110TRL-GE3 SIHFR9110TRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -2 -12 1,2 25 ±20 8,7 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR9120-GE3 SIHFR9120-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -5,6 -22 600m 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
SIHFR9120TR-GE3 SIHFR9120TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -5,6 -22 600m 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR9210TR-GE3 SIHFR9210TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -1,2 -7,6 3 25 ±20 8,9 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR9214-GE3 SIHFR9214-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -250 -1,7 -11 3 50 ±20 14 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
SIHFR9214TR-GE3 SIHFR9214TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -250 -1,7 -11 3 50 ±20 14 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR9220-GE3 SIHFR9220-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -2,3 -14 1,5 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
SIHFR9220TR-GE3 SIHFR9220TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -2,3 -14 1,5 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR9220TRL-GE3 SIHFR9220TRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -2,3 -14 1,5 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR9220TRR-GE3 SIHFR9220TRR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -2,3 -14 1,5 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR9310-GE3 SIHFR9310-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -400 -1,1 -7,2 7 50 ±20 13 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
SIHFR9310TR-GE3 SIHFR9310TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -400 -1,1 -7,2 7 50 ±20 13 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFR9310TRL-GE3 SIHFR9310TRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -400 -1,1 -7,2 7 50 ±20 13 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFRC20-GE3 SIHFRC20-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 1,3 8 4,4 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD tube - - - - - - -
SIHFRC20TR-GE3 SIHFRC20TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 1,3 8 4,4 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFS11N50A-GE3 SIHFS11N50A-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 7 44 520m 170 ±30 52 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHFS9N60A-GE3 SIHFS9N60A-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 5,8 37 750m 170 ±30 49 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFU020-GE3 SIHFU020-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
SIHFU024-GE3 SIHFU024-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
SIHFU310-GE3 SIHFU310-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 1,1 6 3,6 25 ±20 12 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
SIHFU320-GE3 SIHFU320-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET - - 12 1,8 42 ±20 20 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
SIHFU420A-GE3 SIHFU420A-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 2,1 10 3 83 ±30 17 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
SIHFU9020-GE3 SIHFU9020-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -50 -6,3 -40 280m 42 ±20 14 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
SIHFU9120-GE3 SIHFU9120-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -5,6 -22 600m 42 ±20 - IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
SIHFU9310-GE3 SIHFU9310-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -400 -1,1 -7,2 7 50 ±20 13 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
SIHFUC20-GE3 SIHFUC20-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 1,3 8 4,4 42 ±20 18 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
SIHFZ34S-GE3 SIHFZ34S-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 21 120 50m 88 ±20 46 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFZ44STRR-GE3 SIHFZ44STRR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 36 200 28m 150 ±20 67 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFZ48RS-GE3 SIHFZ48RS-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 50 290 18m 190 ±20 110 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHFZ48S-GE3 SIHFZ48S-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 50 290 18m 190 ±20 110 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHG018N60EGE3 SIHG018N60EGE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 99 - 23m 524 ±30 228 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG018N60E-GE3 SIHG018N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 63 325 23m 524 ±30 228 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG039N60EF-GE3 SIHG039N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 39 196 36m 357 ±30 84 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG039N60E-GE3 SIHG039N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 40 199 39m 357 ±30 126 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG050N60E-GE3 SIHG050N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 32 155 50m 278 ±30 130 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG052N60EF-GE3 SIHG052N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 31 148 52m 278 ±30 101 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 25 116 65m 250 ±30 74 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG068N60EF-GE3 SIHG068N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 26 115 68m 250 ±30 77 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG080N60E-GE3 SIHG080N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 22 96 80m 227 ±30 63 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG100N60E-GE3 SIHG100N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 19 73 100m 208 ±30 50 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG11N80AE-GE3 SIHG11N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 5 22 450m 78 ±30 42 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG11N80E-GE3 SIHG11N80E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 8 32 440m 179 ±30 88 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG120N60E-GE3 SIHG120N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 16 66 120m 179 ±30 45 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG125N60EF-GE3 SIHG125N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 16 66 125m 179 ±30 47 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG125N65E-GE3 SIHG125N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 27 - 120m 208 ±30 38 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG14N50D-GE3 SIHG14N50D-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 9 38 400m 208 ±30 58 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG155N60EF-GE3 SIHG155N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 21 - 136m 179 ±30 25 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 9,6 39 280m 180 ±30 78 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG15N80AEF-GE3 SIHG15N80AEF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 8 28 350m 156 ±30 54 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG15N80AE-GE3 SIHG15N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 8 28 350m 156 ±30 53 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG16N50C-E3 SIHG16N50C-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 10 40 380m 250 ±30 68 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG17N60D-GE3 SIHG17N60D-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 10,7 48 340m 277,8 ±30 90 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG17N80AEF-GE3 SIHG17N80AEF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 9 32 305m 179 ±30 63 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG17N80AE-GE3 SIHG17N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 10 32 290m 179 ±30 62 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG17N80E-GE3 SIHG17N80E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 10 45 290m 208 ±30 122 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG180N60E-GE3 SIHG180N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 12 44 180m 156 ±30 33 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG186N60EF-GE3 SIHG186N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 8,4 - 168m 156 ±30 32 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG190N65E-GE3 SIHG190N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 20 - 190m 179 ±30 33 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG20N50E-GE3 SIHG20N50E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 12 42 184m 179 ±30 92 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG21N60EF-GE3 SIHG21N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 14 53 176m 227 ±30 84 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG21N80AEF-GE3 SIHG21N80AEF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 10,3 37 250m 179 ±30 71 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG21N80AE-GE3 SIHG21N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 11 38 235m 179 ±30 72 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG22N50D-GE3 SIHG22N50D-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 14 67 230m 315 ±30 98 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG22N60AE-GE3 SIHG22N60AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 12 49 180m 179 ±30 96 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG22N60E-E3 SIHG22N60E-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 21 - 180m 227 ±30 57 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG22N60EF-GE3 SIHG22N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 12 46 182m 179 ±30 96 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG22N60E-GE3 SIHG22N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 13 56 180m 227 ±30 86 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG22N60EL-GE3 SIHG22N60EL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 13 45 171m 227 ±30 - TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG22N65E-GE3 SIHG22N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 14 56 180m 227 ±30 110 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG23N60E-GE3 SIHG23N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 23 - 158m 227 ±30 63 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 16 70 145m 250 ±30 122 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG24N80AE-GE3 SIHG24N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 850 21 - 184m 208 ±30 59 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG25N40D-GE3 SIHG25N40D-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 16 78 170m 278 ±30 88 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG25N50E-GE3 SIHG25N50E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 16 50 145m 250 ±30 86 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG25N60EFL-GE3 SIHG25N60EFL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 16 61 146m 250 ±30 75 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG28N60EF-GE3 SIHG28N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 18 75 123m 250 ±30 120 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG28N65EF-GE3 SIHG28N65EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 28 - 117m 250 ±30 146 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG30N60E-E3 SIHG30N60E-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 18 65 125m 250 ±30 130 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 18 - 125m 250 ±30 130 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG32N50D-GE3 SIHG32N50D-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 19 89 150m 390 ±30 96 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG33N60EF-GE3 SIHG33N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 21 100 98m 278 ±30 155 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG33N60E-GE3 SIHG33N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 21 88 99m 278 ±30 150 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG33N65EF-GE3 SIHG33N65EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 20 93 95m 313 ±30 171 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG33N65E-GE3 SIHG33N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 21 101 105m 313 ±30 173 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG35N60EF-GE3 SIHG35N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 20 80 97m 250 ±30 134 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG40N60E-GE3 SIHG40N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 26 123 65m 329 ±30 131 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG44N65EF-GE3 SIHG44N65EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 29 154 73m 417 ±30 278 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG460B-GE3 SIHG460B-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 13 62 250m 278 ±20 170 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG47N60AEF-GE3 SIHG47N60AEF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 25 111 70m 313 ±30 189 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 27 130 65m 313 ±30 182 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG47N60AEL-GE3 SIHG47N60AEL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 30 - 530m 379 ±30 222 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG47N60EF-GE3 SIHG47N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 29 138 65m 379 ±30 228 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 30 - 64m 357 ±30 220 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG47N65E-GE3 SIHG47N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 30 139 72m 417 ±30 273 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG61N65EF-GE3 SIHG61N65EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 41 199 47m 520 ±30 371 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG64N65E-GE3 SIHG64N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 40 202 47m 520 ±30 369 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG70N60AEF-GE3 SIHG70N60AEF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 38 173 40m 417 ±30 394 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG70N60EF-GE3 SIHG70N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 45 229 38m 520 ±30 380 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG73N60AE-GE3 SIHG73N60AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 38 173 40m 417 ±30 394 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 46 - 39m 520 ±30 362 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG80N60EF-GE3 SIHG80N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 51 254 32m 520 ±30 400 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHG80N60E-GE3 SIHG80N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 51 268 30m 520 ±30 443 TO247AC THT tube - - - - - - -
SIHH068N60E-T1-GE3 SIHH068N60E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 22 100 68m 202 ±30 80 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH070N60EF-T1GE3 SIHH070N60EF-T1GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 23 93 71m 202 ±30 75 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH080N60E-T1-GE3 SIHH080N60E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 20 96 80m 184 ±30 63 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH085N60EF-T1GE3 SIHH085N60EF-T1GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 19 75 75m 184 ±30 42 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH100N60E-T1-GE3 SIHH100N60E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 18 63 100m 174 ±30 53 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH100N65E-T1-GE3 SIHH100N65E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 28 - 100m 184 ±30 41 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH105N60EF-T1GE3 SIHH105N60EF-T1GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 26 59 105m 174 ±30 50 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH11N60EF-T1-GE3 SIHH11N60EF-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 7 27 357m 114 ±30 62 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH11N60E-T1-GE3 SIHH11N60E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 7 27 295m 114 ±30 31 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH11N65EF-T1-GE3 SIHH11N65EF-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 7 27 382m 130 ±30 70 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH11N65E-T1-GE3 SIHH11N65E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 8 27 363m 130 ±30 68 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH120N60E-T1-GE3 SIHH120N60E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 15 57 120m 156 ±30 44 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH125N60EF-T1GE3 SIHH125N60EF-T1GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 14 66 125m 156 ±30 47 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH125N65E-T1-GE3 SIHH125N65E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 25 - 120m 174 ±30 38 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH14N60EF-T1-GE3 SIHH14N60EF-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 9 38 266m 147 ±30 84 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH14N60E-T1-GE3 SIHH14N60E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 10 38 255m 147 ±30 82 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH14N65EF-T1-GE3 SIHH14N65EF-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 9,5 36 271m 156 ±30 98 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH14N65E-T1-GE3 SIHH14N65E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 10 38 260m 56 ±30 96 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH180N60E-T1-GE3 SIHH180N60E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 12 44 180m 114 ±30 33 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH190N65E-T1-GE3 SIHH190N65E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 17 38 165m 130 ±30 22 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH20N50E-T1-GE3 SIHH20N50E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 14 53 147m 174 ±30 84 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH21N60EF-T1-GE3 SIHH21N60EF-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 19 - 185m 174 ±30 - PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH21N60E-T1-GE3 SIHH21N60E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 12 48 176m 104 ±30 83 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH21N65EF-T1-GE3 SIHH21N65EF-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 12,5 53 180m 156 ±30 102 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH21N65E-T1-GE3 SIHH21N65E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 12,8 53 170m 156 ±30 99 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH240N60E-T1-GE3 SIHH240N60E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 12 - 208m 89 ±30 23 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH240N65E-T1-GE3 SIHH240N65E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 9 33 208m 114 ±30 19 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH24N65EF-T1-GE3 SIHH24N65EF-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 14 55 158m 202 ±30 117 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH24N65E-T1-GE3 SIHH24N65E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 15 58 150m 202 ±30 116 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH26N60EF-T1-GE3 SIHH26N60EF-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 24 - 117m 202 ±30 77 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH26N60E-T1-GE3 SIHH26N60E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 16 50 135m 202 ±30 116 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH27N60EF-T1-GE3 SIHH27N60EF-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 12 47 185m 174 ±30 86 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHH28N60E-T1-GE3 SIHH28N60E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 19 76 98m 202 ±30 129 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHJ10N60E-T1-GE3 SIHJ10N60E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 6 - 313m 89 ±30 50 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHJ240N60E-T1-GE3 SIHJ240N60E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 7 30 240m 89 ±30 23 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHJ690N60E-T1-GE3 SIHJ690N60E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 3,5 11 700m 48 ±30 12 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHJ6N65E-T1-GE3 SIHJ6N65E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 3,6 12 868m 74 ±30 32 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHJ7N65E-T1-GE3 SIHJ7N65E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 5 17 598m 96 ±30 44 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHJ8N60E-T1-GE3 SIHJ8N60E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 5 18 520m 89 ±30 44 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHK045N60EF-T1GE3 SIHK045N60EF-T1GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 30 133 52m 278 ±30 105 PowerPAK® 1012 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHK045N60E-T1-GE3 SIHK045N60E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 48 138 49m 278 ±30 98 PowerPAK® 1012 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHK050N65E-T1-GE3 SIHK050N65E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 29 129 48m 278 ±30 78 PowerPAK® 1012 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHK055N60EF-T1GE3 SIHK055N60EF-T1GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 26 110 58m 236 ±30 90 PowerPAK® 1012 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHK075N60EF-T1GE3 SIHK075N60EF-T1GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 21 97 71m 192 ±30 72 PowerPAK® 1012 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHK100N65E-T1-GE3 SIHK100N65E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 28 - 100m 184 ±30 41 PowerPAK® 1012 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHK125N60EF-T1GE3 SIHK125N60EF-T1GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 21 54 125m 132 ±30 45 PowerPAK® 1012 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHK125N60E-T1-GE3 SIHK125N60E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 13 54 109m 132 ±30 29 PowerPAK® 1012 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHK125N65E-T1-GE3 SIHK125N65E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 25 - 120m 174 ±30 - PowerPAK® 1012 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHL510STRL-GE3 SIHL510STRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 4 18 760m 43 ±10 6,1 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHL530STRR-GE3 SIHL530STRR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 11 60 220m 88 ±10 28 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHL620S-GE3 SIHL620S-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 3,3 21 1 50 ±10 16 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHL640STRL-GE3 SIHL640STRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 11 68 270m 125 ±10 66 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHLL014TR-GE3 SIHLL014TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 1,7 22 280m 3,1 ±10 8,4 SOT223 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHLL110TR-GE3 SIHLL110TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 0,93 - 760m 3,1 ±10 6,1 SOT223 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHLR024TRL-GE3 SIHLR024TRL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 9,2 56 140m 42 ±10 18 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHLR110TR-GE3 SIHLR110TR-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 2,7 17 760m 25 ±10 6,1 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIHLU014-GE3 SIHLU014-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 4,9 31 280m 25 ±10 8,4 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
SIHLU024-GE3 SIHLU024-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 9,2 56 140m 42 ±10 18 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
SIHLZ24L-GE3 SIHLZ24L-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 12 68 140m 60 ±10 18 I2PAK, TO262 THT tube - - - - - - -
SIHLZ44S-GE3 SIHLZ44S-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 36 200 39m 150 ±10 66 D2PAK, TO263 SMD tube - - - - - - -
SIHP050N60E-GE3 SIHP050N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 32 155 50m 278 ±30 130 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP052N60EF-GE3 SIHP052N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 31 148 52m 278 ±30 101 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 25 - 65m 250 ±30 98 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP068N60EF-GE3 SIHP068N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 26 115 68m 250 ±30 77 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP080N60E-GE3 SIHP080N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 22 96 70m 227 ±30 42 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP085N60EF-GE3 SIHP085N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 21 75 73m 184 ±30 42 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP100N60E-GE3 SIHP100N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 19 73 100m 208 ±30 50 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP100N65E-GE3 SIHP100N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 30 - 100m 208 ±30 41 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP105N60EF-GE3 SIHP105N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 19 73 102m 208 ±30 53 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP10N40D-GE3 SIHP10N40D-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 6 23 600m 147 ±30 30 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP11N80AE-GE3 SIHP11N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 5 22 450m 78 ±30 42 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP11N80E-GE3 SIHP11N80E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 8 32 440m 179 ±30 88 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 16 66 120m 179 ±30 45 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP125N60EF-GE3 SIHP125N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 16 66 125m 179 ±30 47 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP125N65E-GE3 SIHP125N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 27 - 120m 208 ±30 38 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP12N50E-GE3 SIHP12N50E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 6,6 121 380m 114 ±30 50 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP12N60E-GE3 SIHP12N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 7,8 27 380m 147 ±30 58 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP12N65E-GE3 SIHP12N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 8 28 380m 156 ±30 70 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP14N50D-GE3 SIHP14N50D-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 9 - 400m 208 ±30 58 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP14N60E-BE3 SIHP14N60E-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 8 32 309m 147 ±30 64 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP14N60E-GE3 SIHP14N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 8 32 309m 147 ±30 64 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP150N60E-GE3 SIHP150N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 14 - 85m 179 ±30 24 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP15N50E-BE3 SIHP15N50E-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 14,5 28 280m 156 ±30 66 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 9,2 28 280m 156 ±30 66 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP15N60E-GE3 SIHP15N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 9,6 39 280m 180 ±30 78 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP15N65E-GE3 SIHP15N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 10 38 280m 34 ±30 96 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP15N80AEF-GE3 SIHP15N80AEF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 8 28 350m 156 ±30 54 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP15N80AE-GE3 SIHP15N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 13 - 304m 156 ±30 35 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP17N60D-GE3 SIHP17N60D-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 10,7 48 340m 277,8 ±30 90 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP17N80AEF-GE3 SIHP17N80AEF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 9 32 305m 179 ±30 63 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP17N80E-GE3 SIHP17N80E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 10 45 290m 208 ±30 122 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP180N60E-GE3 SIHP180N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 12 44 180m 156 ±30 33 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP186N60EF-GE3 SIHP186N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 12 43 193m 156 ±30 32 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP190N65E-GE3 SIHP190N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 20 - 190m 179 ±30 33 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP20N50E-GE3 SIHP20N50E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 12 42 184m 179 ±30 92 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP21N60EF-GE3 SIHP21N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 14 53 176m 227 ±30 84 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP21N80AEF-GE3 SIHP21N80AEF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 10,3 37 250m 179 ±30 71 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP21N80AE-GE3 SIHP21N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 11 38 235m 179 ±30 72 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP22N60AE-GE3 SIHP22N60AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 12 49 180m 179 ±30 96 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP22N60E-E3 SIHP22N60E-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 21 - 180m 227 ±30 57 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP22N60EF-GE3 SIHP22N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 12 46 182m 179 ±30 96 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP22N60E-GE3 SIHP22N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 13 56 180m 227 ±30 86 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP22N65E-GE3 SIHP22N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 14 56 180m 227 ±30 110 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP23N60E-GE3 SIHP23N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 23 - 158m 227 ±30 63 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP240N60E-GE3 SIHP240N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 7 31 240m 78 ±30 23 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP240N65E-GE3 SIHP240N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 16 - 240m 147 ±30 19 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP24N65E-E3 SIHP24N65E-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 24 - 145m 250 ±30 81 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP24N65E-GE3 SIHP24N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 16 70 145m 250 ±30 122 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 20 46 195m 208 ±30 90 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 13 51 184m 208 ±30 89 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP25N50E-BE3 SIHP25N50E-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 26 50 145m 250 ±30 86 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP25N50E-GE3 SIHP25N50E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 16 50 145m 250 ±30 86 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP25N60EFL-GE3 SIHP25N60EFL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 25 - 127m 250 ±30 75 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP28N60EF-GE3 SIHP28N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 18 75 123m 250 ±30 120 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP28N65EF-GE3 SIHP28N65EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 18 87 117m 250 ±30 146 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP28N65E-GE3 SIHP28N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 18 87 112m 250 ±30 140 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP30N60E-GE3 SIHP30N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 18 65 125m 250 ±30 130 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP33N60EF-GE3 SIHP33N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 21 100 98m 278 ±30 155 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP33N60E-GE3 SIHP33N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 21 88 99m 278 ±30 150 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP35N60EF-GE3 SIHP35N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 20 80 97m 250 ±30 134 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP35N60E-GE3 SIHP35N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 20 80 94m 250 ±30 132 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP38N60EF-GE3 SIHP38N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 25 11 70m 313 ±30 189 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP38N60E-GE3 SIHP38N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 27 126 65m 313 ±30 183 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP4N80E-GE3 SIHP4N80E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 4,3 - 1,1 69 ±30 32 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP5N50D-GE3 SIHP5N50D-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 3,4 10 1,5 104 ±30 20 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP690N60E-GE3 SIHP690N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 4 11 700m 62,5 ±30 12 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP6N40D-GE3 SIHP6N40D-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 400 4 13 1 104 ±30 18 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP6N65E-GE3 SIHP6N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 5 18 600m 78 ±30 48 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP6N80E-GE3 SIHP6N80E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 5,4 - 820m 78 ±30 44 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP7N60E-GE3 SIHP7N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 5 18 600m 78 ±30 40 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHP8N50D-GE3 SIHP8N50D-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 5,5 18 850m 156 ±30 30 TO220AB THT tube - - - - - - -
SIHR080N60E-T1-GE3 SIHR080N60E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 51 - 74m 500 ±30 42 PowerPAK® 8x8L SMD - - - - - - - -
SIHR100N60EF-T1GE3 SIHR100N60EF-T1GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 38 - 87m 347 ±30 53 PowerPAK® 8x8L SMD - - - - - - - -
SIHR100N60E-T1-GE3 SIHR100N60E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 38 - 85m 347 ±30 16 PowerPAK® 8x8L SMD - - - - - - - -
SIHR120N60EF-T1GE3 SIHR120N60EF-T1GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 31 - 110m 278 ±30 45 PowerPAK® 8x8L SMD - - - - - - - -
SIHR120N60E-T1-GE3 SIHR120N60E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 32 - 104m 278 ±30 44 PowerPAK® 8x8L SMD - - - - - - - -
SIHS90N65E-GE3 SIHS90N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 87 - 29m 625 ±30 - TO274AA THT - - - - - - - -
SIHU2N80E-GE3 SIHU2N80E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 1,8 5 2,75 62,5 ±30 19,6 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
SIHU3N50D-GE3 SIHU3N50D-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 1,9 5,5 3,2 69 ±30 12 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
SIHU4N80AE-GE3 SIHU4N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 2,7 11 1,27 69 ±30 32 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
SIHU5N50D-GE3 SIHU5N50D-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 500 3,4 10 1,5 104 ±30 20 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
SIHU6N62E-GE3 SIHU6N62E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 620 4 12 900m 78 ±30 34 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
SIHU6N65E-GE3 SIHU6N65E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 5 18 600m 78 ±30 48 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
SIHU6N80AE-GE3 SIHU6N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 3,2 10 950m 62,5 ±30 22,5 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
SIHU7N60E-GE3 SIHU7N60E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 5 18 600m 78 ±30 40 IPAK, TO251 THT tube - - - - - - -
SIHW21N80AE-GE3 SIHW21N80AE-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 800 11 38 235m 179 ±30 72 TO247AD THT tube - - - - - - -
SIHW61N65EF-GE3 SIHW61N65EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 41 199 47m 520 ±30 371 TO247AD THT tube - - - - - - -
SIHW70N60EF-GE3 SIHW70N60EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 600 45 229 38m 520 ±30 380 TO247AD THT tube - - - - - - -
SIJ128LDP-T1-GE3 SIJ128LDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 25,5 70 20,3m 22,3 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJ150DP-T1-GE3 SIJ150DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 45 110 300 4,1m 65,7 - 70 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJ186DP-T1-GE3 SIJ186DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 79,4 150 7,8m 57 ±20 37 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJ188DP-T1-GE3 SIJ188DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 92,4 150 4,9m 65,7 ±20 44 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJ438ADP-T1-GE3 SIJ438ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 169 300 1,75m 69,4 - 162 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJ438DP-T1-GE3 SIJ438DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 80 200 1,75m 69,4 - 182 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJ4409DP-T1-GE3 SIJ4409DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -34,9 -200 9,6m 32,8 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIJ450DP-T1-GE3 SIJ450DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 45 91 300 1,9m 48 -16...20 34 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJ462ADP-T1-GE3 SIJ462ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 39,3 100 11m 22,3 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJ462DP-T1-GE3 SIJ462DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 46,5 100 12,5m 31,2 ±20 32 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJ470DP-T1-GE3 SIJ470DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 58,8 150 10m 56,8 ±20 56 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJ478DP-T1-GE3 SIJ478DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 60 150 11,5m 62,5 ±20 54 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJ4819DP-T1-GE3 SIJ4819DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -80 -62 -145 38m 145 ±20 69 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJ482DP-T1-GE3 SIJ482DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 60 100 9,5m 69,4 ±20 71 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJ494DP-T1-GE3 SIJ494DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 36,8 100 27,2m 69,4 ±20 31 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJA22DP-T1-GE3 SIJA22DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 25 201 - 740µ 48 -16...20 83 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJA52ADP-T1-GE3 SIJA52ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 131 200 2,3m 48 - 100 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJA52DP-T1-GE3 SIJA52DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 60 150 2,3m 48 - 150 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJA54DP-T1-GE3 SIJA54DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 60 150 3,2m 36,7 - 104 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJA58ADP-T1-GE3 SIJA58ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 109 150 3,95m 56,8 - 61 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJA58DP-T1-GE3 SIJA58DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 109 150 3,6m 56,8 - 75 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJA72ADP-T1-GE3 SIJA72ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 96 150 4,78m 56,8 - 50 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJA74DP-T1-GE3 SIJA74DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 81,2 - 3,99m 46,2 -16...20 27 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJH112E-T1-GE3 SIJH112E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 225 300 3,6m 333 ±20 160 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJH400E-T1-GE3 SIJH400E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 509 800 520µ 385 -16...20 99 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJH402E-T1-GE3 SIJH402E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 450 - 650µ - -16...20 - PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJH440E-T1-GE3 SIJH440E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 200 - 800µ 158 -16...20 279 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJH5100E-T1-GE3 SIJH5100E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 277 500 2,14m 333 ±20 128 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJH5700E-T1-GE3 SIJH5700E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 138 500 4,1m 333 -16...20 93 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJH5800E-T1-GE3 SIJH5800E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 302 500 1,58m 333 ±20 155 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJH600E-T1-GE3 SIJH600E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 373 500 1,15m 333 ±20 212 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJH602E-T1-GE3 SIJH602E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 365 700 920µ 333 -16...20 130 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJH800E-T1-GE3 SIJH800E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 299 350 1,8m 333 ±20 210 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJK140E-T1-GE3 SIJK140E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 562 900 470µ 536 ±20 312 PowerPAK® 1012 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIJK5100E-T1-GE3 SIJK5100E-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 417 - 1,4m - ±20 131 PowerPAK® 1012 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR104ADP-T1-RE3 SIR104ADP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 81 200 7,2m 100 ±20 70 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR104DP-T1-RE3 SIR104DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 79 200 7,4m 100 ±20 84 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR104LDP-T1-RE3 SIR104LDP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 81 200 7,7m 100 ±20 110 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR106ADP-T1-RE3 SIR106ADP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 65,8 150 9m 83,3 ±20 52 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR106DP-T1-RE3 SIR106DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 65,8 150 9m 83,3 ±20 64 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR108DP-T1-RE3 SIR108DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 45 80 16m 65,7 ±20 41,5 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR112DP-T1-RE3 SIR112DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 133 200 2,65m 62,5 - 89 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR120DP-T1-RE3 SIR120DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 106 200 4,5m 100 ±20 94 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR122DP-T1-RE3 SIR122DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 59,6 150 9m 65,7 ±20 44 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR122LDP-T1-RE3 SIR122LDP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 62,3 150 9m 65,7 ±20 52 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR124DP-T1-RE3 SIR124DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 56,8 120 10,3m 62,5 ±20 40 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR1309DP-T1-GE3 SIR1309DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -65,7 -150 13m 56,8 ±25 87 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR140DP-T1-RE3 SIR140DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 25 100 500 900µ 104 - 170 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR150DP-T1-RE3 SIR150DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 45 110 300 3,97m 65,7 - 70 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR158DP-T1-GE3 SIR158DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 60 400 2,3m 83 ±20 130 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR158DP-T1-RE3 SIR158DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 60 400 2,3m 83 ±20 130 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR164ADP-T1-GE3 SIR164ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 40 - 2,2m - -16...20 77 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR164DP-T1-GE3 SIR164DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 50 70 3,2m 69 ±20 123 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR165DP-T1-GE3 SIR165DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -60 -120 7,5m 65,8 ±20 138 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR166DP-T1-GE3 SIR166DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 40 70 4m 48 ±20 77 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR167DP-T1-GE3 SIR167DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -60 -120 9,3m 65,8 ±25 111 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR170DP-T1-RE3 SIR170DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 95 200 5,85m 104 ±20 140 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR172ADP-T1-GE3 SIR172ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 24 60 10,5m 29,8 ±20 44 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR178DP-T1-RE3 SIR178DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 430 500 1,2m 104 - 310 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR180ADP-T1-RE3 SIR180ADP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 137 200 2,8m 83,3 ±20 70 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR180DP-T1-RE3 SIR180DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 60 150 2,5m 83,3 ±20 87 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR182DP-T1-RE3 SIR182DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 117 200 3,8m 69,4 ±20 64 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR182LDP-T1-RE3 SIR182LDP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 130 300 3,85m 83 ±20 84 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR184DP-T1-RE3 SIR184DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 73 100 7m 62,5 ±20 32 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR186DP-T1-RE3 SIR186DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 60 150 7,8m 57 ±20 37 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR186LDP-T1-RE3 SIR186LDP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 80,3 150 6,3m 57 ±20 48 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR188DP-T1-RE3 SIR188DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 60 150 4,9m 65,7 ±20 44 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR188LDP-T1-RE3 SIR188LDP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 93,6 300 5,2m 65,7 ±20 52 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR401DP-T1-GE3 SIR401DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -50 -80 7,7m 39 ±12 310 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR402DP-T1-GE3 SIR402DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 35 70 8m 36 ±20 42 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR403EDP-T1-GE3 SIR403EDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -40 -60 11,5m 56,8 ±25 153 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR404DP-T1-GE3 SIR404DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 60 100 2,25m 104 ±12 47,5 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR410DP-T1-GE3 SIR410DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 35 60 6,3m 36 ±20 41 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR414DP-T1-GE3 SIR414DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 50 70 28m 53 ±20 117 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR416DP-T1-GE3 SIR416DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 50 70 4,2m 69 ±20 90 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR418DP-T1-GE3 SIR418DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 40 70 6m 39 ±20 75 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR422DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 40 70 6,6m 22,2 ±20 48 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR424DP-T1-GE3 SIR424DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 30 70 7,4m 41,7 ±20 35 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR426DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 30 70 10,5m 26,7 ±20 31 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR438DP-T1-GE3 SIR438DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 25 60 80 2,3m 83 ±20 105 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR4406DP-T1-GE3 SIR4406DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 78 - 4,75m - -16...20 23,7 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR4409DP-T1-RE3 SIR4409DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -48,4 -200 9m 59,5 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIR440DP-T1-GE3 SIR440DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 60 100 1,55m 66,6 ±20 150 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR4411DP-T1-GE3 SIR4411DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -38,6 -150 11m 56,8 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIR450DP-T1-RE3 SIR450DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 45 91 300 1,8m 48 -16...20 34 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR4602LDP-T1-RE3 SIR4602LDP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 52,1 150 12,5m 43 ±20 29 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR4604LDP-T1-GE3 SIR4604LDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 51 100 12,4m 41,6 ±20 28 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR4606DP-T1-GE3 SIR4606DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 16 40 22,5m 31,2 ±20 13,5 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR4608DP-T1-GE3 SIR4608DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 42,8 100 15m 39 ±20 18 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR460DP-T1-GE3 SIR460DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 40 70 6,1m 48 ±20 54 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR462DP-T1-GE3 SIR462DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 30 70 10m 41,7 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR464DP-T1-GE3 SIR464DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 50 70 3,8m 69 ±20 95 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 40 70 5,1m 54 ±20 65 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR470DP-T1-GE3 SIR470DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 60 100 2,3m 66,6 ±20 155 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR474DP-T1-GE3 SIR474DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 20 50 12m 29,8 ±20 27 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 350,8 500 680µ 104,1 - 180 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR500DP-T1-UE3 SIR500DP-T1-UE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 280,7 500 470µ 104,1 -12...16 54,3 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR5102DP-T1-RE3 SIR5102DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 110 300 5,6m 104 ±20 51 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR5108DP-T1-RE3 SIR5108DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 44,7 120 10,5m 65,7 ±20 11,2 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR510DP-T1-RE3 SIR510DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 126 300 4,2m 104 ±20 81 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR5110DP-T1-RE3 SIR5110DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 47,6 - 12,5m - ±20 12,8 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR5112DP-T1-RE3 SIR5112DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 40,7 - 14,9m - ±20 10,6 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR512DP-T1-BE3 SIR512DP-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 100 - 4,5m - ±20 41 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR512DP-T1-RE3 SIR512DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 80,7 300 4,5m 96,2 ±20 30,5 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR514DP-T1-BE3 SIR514DP-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 67,8 250 5,8m 83,3 ±20 23 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR514DP-T1-RE3 SIR514DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 67,8 250 5,8m 83,3 ±20 23 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR516DP-T1-BE3 SIR516DP-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 63,7 - 8m - ±20 23,6 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR516DP-T1-RE3 SIR516DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 63,7 200 9m 71,4 ±20 27 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR5211DP-T1-GE3 SIR5211DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -105 - 3,2m 56,8 ±12 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIR5607DP-T1-RE3 SIR5607DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -90,9 - 7m 104 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIR5607DP-T1-UE3 SIR5607DP-T1-UE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -72,7 -250 7m 104 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIR5623DP-T1-RE3 SIR5623DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -37,1 - 24m 4,8 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIR5708DP-T1-RE3 SIR5708DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 33,8 80 27m 65,7 ±20 20 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR570DP-T1-BE3 SIR570DP-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 61,9 200 7,9m 104 ±20 35,1 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR570DP-T1-RE3 SIR570DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 77,4 200 8,5m 104 ±20 71 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR5712DP-T1-GE3 SIR5712DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 14,9 25 55,5m 40 ±20 5,8 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR572DP-T1-BE3 SIR572DP-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 47,8 180 10,8m 92,5 ±20 27 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR572DP-T1-RE3 SIR572DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 59,7 180 11,5m 92,5 ±20 54 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR574DP-T1-BE3 SIR574DP-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 38,4 150 13,5m 78 ±20 23,6 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR574DP-T1-RE3 SIR574DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 48,1 150 14,3m 78 ±20 48 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR576DP-T1-BE3 SIR576DP-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 33,8 120 16m 71,4 ±20 19 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR576DP-T1-RE3 SIR576DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 42,2 120 17m 71,4 ±20 38 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR578DP-T1-BE3 SIR578DP-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 56,1 200 8,8m 104 ±20 24,5 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR578DP-T1-RE3 SIR578DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 70,2 200 10m 104 ±20 49 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR5802DP-T1-RE3 SIR5802DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 137,5 300 4m 104 ±20 60 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR5808DP-T1-RE3 SIR5808DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 53,5 150 7,35m 65,7 ±20 11,8 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR580DP-T1-BE3 SIR580DP-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 146 - 2,7m - ±20 50,6 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR580DP-T1-RE3 SIR580DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 146 300 3,2m 104 ±20 76 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR5810DP-T1-RE3 SIR5810DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 42,6 100 10m 56,8 ±20 9,2 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR5812DP-T1-RE3 SIR5812DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 36,2 70 13,5m 50 ±20 7,5 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR582DP-T1-BE3 SIR582DP-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 93 300 3,4m 92,5 ±20 33,5 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR582DP-T1-RE3 SIR582DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 116 300 3,9m 92,5 ±20 67 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR584DP-T1-BE3 SIR584DP-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 100 - 3,9m - ±20 36,7 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR584DP-T1-RE3 SIR584DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 100 250 4,7m 83,3 ±20 56 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR586DP-T1-BE3 SIR586DP-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 62,7 200 5,8m 71,4 ±20 19,1 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR586DP-T1-RE3 SIR586DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 62,7 200 5,3m 71,4 ±20 19,1 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR588DP-T1-RE3 SIR588DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 47,6 150 7,2m 59,5 ±20 14,2 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR606BDP-T1-RE3 SIR606BDP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 38,7 80 20,5m 62,5 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR606DP-T1-GE3 SIR606DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 37 100 20m 44,5 ±20 36,5 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR608DP-T1-RE3 SIR608DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 45 208 400 1,8m 104 - 167 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR610DP-T1-RE3 SIR610DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 35,4 80 33,4m 104 ±20 38 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR616DP-T1-GE3 SIR616DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 20,2 50 53,5m 52 ±20 36 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR618DP-T1-GE3 SIR618DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 14,2 30 99m 48 ±20 21,5 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR622DP-T1-GE3 SIR622DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 51,6 100 20,4m 104 ±20 41 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR622DP-T1-RE3 SIR622DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 51,6 100 20,4m 104 ±20 41 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR624DP-T1-GE3 SIR624DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 18,6 50 64m 52 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR624DP-T1-RE3 SIR624DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 18,6 50 64m 52 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR626ADP-T1-RE3 SIR626ADP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 165 300 3,4m 104 ±20 83 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR626DP-T1-RE3 SIR626DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 34,2 - 2,6m 4 ±20 102 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR626LDP-T1-RE3 SIR626LDP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 186 400 2,1m 104 ±20 135 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR626LDP-T1-UE3 SIR626LDP-T1-UE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 186 - 1,5m - ±20 89 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR632DP-T1-RE3 SIR632DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 29 50 41m 69,5 ±20 21 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR638ADP-T1-RE3 SIR638ADP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 100 400 1,16m 104 - 165 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR638DP-T1-GE3 SIR638DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 100 400 1,16m 104 - 204 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR638DP-T1-RE3 SIR638DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 100 400 1,16m 104 - 204 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR640ADP-T1-GE3 SIR640ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 100 350 2,5m 104 ±20 90 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR662DP-T1-GE3 SIR662DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 100 350 2,7m 66,6 ±20 96 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR664DP-T1-GE3 SIR664DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 60 150 9,5m 50 ±20 40 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR668ADP-T1-RE3 SIR668ADP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 93,6 200 7m 104 ±20 81 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR668DP-T1-RE3 SIR668DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 95 200 5,05m 104 ±20 108 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR670DP-T1-GE3 SIR670DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 60 200 7,8m 56,8 ±20 63 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR680ADP-T1-RE3 SIR680ADP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 125 300 3,5m 104 ±20 83 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR680DP-T1-RE3 SIR680DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 100 200 3,4m 104 ±20 105 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR680LDP-T1-RE3 SIR680LDP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 130 300 3,55m 104 ±20 135 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR680LDP-T1-UE3 SIR680LDP-T1-UE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 130 - 2,8m - ±20 90 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR681DP-T1-RE3 SIR681DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -80 -71,9 -125 16,7m 104 ±20 105 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR688DP-T1-GE3 SIR688DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 60 100 6m 83 ±20 66 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR690DP-T1-GE3 SIR690DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 34,4 80 39m 104 ±20 48 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR690DP-T1-RE3 SIR690DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 34,4 80 39m 104 ±20 48 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR692DP-T1-RE3 SIR692DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 24,2 50 67m 104 ±20 40 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR696DP-T1-GE3 SIR696DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 24,2 50 67m 104 ±20 40 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR698DP-T1-GE3 SIR698DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 7,5 10 230m 23 ±20 8 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR770DP-T1-GE3 SIR770DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 + Schottky 30 8 35 25m 17,8 ±20 21 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR800ADP-T1-GE3 SIR800ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 177 150 4,6m 62,5 - 53 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR800ADP-T1-RE3 SIR800ADP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 177 150 4,6m 62,5 - 53 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR800DP-T1-GE3 SIR800DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 50 80 3,4m 69 ±12 133 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR800DP-T1-RE3 SIR800DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 50 80 3,4m 69 ±12 133 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR804DP-T1-GE3 SIR804DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 60 100 10,3m 104 ±20 76 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR818DP-T1-GE3 SIR818DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 50 80 3,3m 69 ±20 95 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR820DP-T1-GE3 SIR820DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 40 70 6m 27,5 ±20 75 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR826ADP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 60 100 5,5m 66,6 ±20 86 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR826BDP-T1-RE3 SIR826BDP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 80,8 200 6,2m 83 ±20 69 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR826DP-T1-GE3 SIR826DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 60 100 4,8m 66,6 ±20 90 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR826DP-T1-RE3 SIR826DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 60 - - 104 - - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR826LDP-T1-RE3 SIR826LDP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 86 200 6,2m 83 ±20 91 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR836DP-T1-GE3 SIR836DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 21 50 19m 10 ±20 18 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR846ADP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 60 200 9,5m 83 ±20 66 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR846BDP-T1-RE3 SIR846BDP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 65,8 150 9m 83,3 ±20 52 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR846DP-T1-GE3 SIR846DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 60 100 8,5m 104 ±20 72 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR862DP-T1-GE3 SIR862DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 25 50 70 3,5m 69 ±20 90 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR870ADP-T1-GE3 SIR870ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 60 300 6,6m 66,6 ±20 80 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR870ADP-T1-RE3 SIR870ADP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 60 300 10,5m 104 ±20 80 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR870BDP-T1-RE3 SIR870BDP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 81 200 7,7m 100 ±20 110 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR870DP-T1-GE3 SIR870DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 60 100 7,8m 104 ±20 84 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR871DP-T1-GE3 SIR871DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -48 -300 28m 89 ±20 90 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR872ADP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 53,7 100 18m 66,6 ±20 47 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR872ADP-T1-RE3 SIR872ADP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 53,7 100 23m 104 ±20 47 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR872DP-T1-GE3 SIR872DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 53,7 100 20m 104 ±20 64 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -150 -37 50 47,5m 66,6 ±20 48 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR876ADP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 40 80 14,5m 62,5 ±20 49 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR876BDP-T1-RE3 SIR876BDP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 51,4 120 12,3m 71,4 ±20 65 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR878BDP-T1-RE3 SIR878BDP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 12 80 14,4m 40 ±20 38 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR880ADP-T1-GE3 SIR880ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 60 100 8,9m 83 ±20 72 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR880DP-T1-GE3 SIR880DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 60 100 8,5m 104 ±20 74 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR882ADP-T1-GE3 SIR882ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 60 80 11,5m 83 ±20 60 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR882BDP-T1-RE3 SIR882BDP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 67,5 200 9,5m 83,3 ±20 81 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIR882DP-T1-GE3 SIR882DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 60 80 11,5m 83 ±20 58 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 100 400 1,35m 66,6 -16...20 220 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA00DP-T1-RE3 SIRA00DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 100 400 830µ 104 -16...20 220 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA01DP-T1-GE3 SIRA01DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -20,8 -150 8,2m 40 -20...16 112 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA02DP-T1-GE3 SIRA02DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 50 100 2,7m 45,7 -16...20 117 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA04DP-T1-GE3 SIRA04DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 40 80 3,1m 40 -16...20 77 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA06DDP-T1-UE3 SIRA06DDP-T1-UE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 100 240 2,2m 59 -16...20 14,4 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA06DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 40 80 3,5m 40 -16...20 77 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA10BDP-T1-GE3 SIRA10BDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 60 150 5m 28 -16...20 36,2 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA10DDP-T1-GE3 SIRA10DDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 77 150 3,1m 43 -16...20 24,1 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 60 140 5m 26 -16...20 51 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA12BDP-T1-GE3 SIRA12BDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 59 150 6m 24 -16...20 32 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA12DDP-T1-GE3 SIRA12DDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 65 150 3,6m 38 -16...20 9,2 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 25 80 6m 20 -16...20 45 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA14BDP-T1-GE3 SIRA14BDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 52 130 7,02m 23 -16...20 22 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA14DDP-T1-GE3 SIRA14DDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 52 160 5,38m 36 -16...20 14 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA14DP-T1-GE3 SIRA14DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 46 130 8,5m 20 -16...20 29 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA18ADP-T1-GE3 SIRA18ADP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 24,5 70 13,5m 9,4 -16...20 21,5 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA18BDP-T1-GE3 SIRA18BDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 32 90 10,5m 11 -16...20 19 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA18DDP-T1-GE3 SIRA18DDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 32 90 6,83m 17 -16...20 6,2 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA18DP-T1-GE3 SIRA18DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 26,3 70 12m 9,4 -16...20 21,5 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA18DP-T1-RE3 SIRA18DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 33 70 - 14,7 -16...20 21,5 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA20BDP-T1-GE3 SIRA20BDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 25 268 350 820µ 67 -12...16 186 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA20DP-T1-RE3 SIRA20DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 25 100 500 820µ 66,6 -12...16 200 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA24DP-T1-GE3 SIRA24DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 25 60 150 2,4m 40 -16...20 55 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA28BDP-T1-GE3 SIRA28BDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 30 90 12m 11 -16...20 14 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA32DP-T1-RE3 SIRA32DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 25 148 500 1,83m 42 -12...16 83 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA36DP-T1-GE3 SIRA36DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 40 250 4,2m 28,5 -16...20 56 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA50ADP-T1-RE3 SIRA50ADP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 175 400 1,6m 64 -16...20 150 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA50DP-T1-RE3 SIRA50DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 100 400 1,45m 64 -16...20 194 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA52ADP-T1-RE3 SIRA52ADP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 105 200 2,3m 30,7 -16...20 100 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA52DP-T1-GE3 SIRA52DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 60 150 2,3m 30,7 -16...20 150 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA54DP-T1-GE3 SIRA54DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 60 150 3,2m 23,5 -16...20 104 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA58ADP-T1-RE3 SIRA58ADP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 87,3 150 3,95m 36,3 -16...20 61 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA58DP-T1-GE3 SIRA58DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 87,3 150 3,6m 36,3 -16...20 75 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA60DDP-T1-UE3 SIRA60DDP-T1-UE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 193 500 900µ 78 -16...20 39,1 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA60DP-T1-GE3 SIRA60DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 100 400 1,35m 36 -16...20 125 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA60DP-T1-RE3 SIRA60DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 45 400 940µ 57 -16...20 38 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA60DP-T1-UE3 SIRA60DP-T1-UE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 45 400 940µ 57 -16...20 83 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA62DDP-T1-UE3 SIRA62DDP-T1-UE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 153 400 1,22m 71 -16...20 20,8 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA62DP-T1-RE3 SIRA62DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 80 300 1,85m 42 -12...16 93 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA64DP-T1-GE3 SIRA64DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 60 100 2,86m 17,8 -16...20 65 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA64DP-T1-RE3 SIRA64DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 30 100 2,1m 45 -16...20 19,7 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA72DP-T1-GE3 SIRA72DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 60 150 4,8m 36,3 -16...20 63 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA74DP-T1-GE3 SIRA74DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 64,2 150 6,1m 29,6 -16...20 41 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA80DP-T1-RE3 SIRA80DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 268 500 930µ 66,6 -16...20 188 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA84BDP-T1-GE3 SIRA84BDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 56 150 7,1m 23 -16...20 32 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA84DP-T1-GE3 SIRA84DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 57,8 130 7,4m 22,2 -16...20 38 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA88BDP-T1-GE3 SIRA88BDP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 32 90 10,5m 11 -16...20 19 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA88DP-T1-GE3 SIRA88DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 36,4 100 10m 16 -16...20 25,5 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA90DP-T1-GE3 SIRA90DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 100 400 1,15m 66,6 -16...20 153 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA90DP-T1-RE3 SIRA90DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 100 400 1,15m 66,6 -16...20 153 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA96DP-T1-GE3 SIRA96DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 12 65 12m 22,2 -16...20 31 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRA99DP-T1-GE3 SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -156 -400 2,65m 66,6 -20...16 260 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRB40DP-T1-GE3 SIRB40DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 40 100 4,2m 29,6 -16...20 93 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRC06DP-T1-GE3 SIRC06DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET + Schottky 30 60 100 4m 32 -16...20 58 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRC10DP-T1-GE3 SIRC10DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET + Schottky 30 60 150 5,2m 27,5 -16...20 36 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRC16DP-T1-GE3 SIRC16DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET + Schottky 25 60 250 1,4m 34,7 -16...20 105 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRC18DP-T1-GE3 SIRC18DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET + Schottky 30 60 250 1,54m 34,7 -16...20 111 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRS4300DP-T1-RE3 SIRS4300DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 544 800 400µ 278 -16...20 84 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRS4301DP-T1-GE3 SIRS4301DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -182 -350 1,5m 132 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIRS4401DP-T1-GE3 SIRS4401DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -158 -350 2,2m 132 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIRS4600DP-T1-RE3 SIRS4600DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 287 500 1,15m 278 ±20 81 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRS5100DP-T1-GE3 SIRS5100DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 193 400 2,5m 278 ±20 51 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRS510DPW-T1-RE3 SIRS510DPW-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 120 200 3,8m 171 ±20 32 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRS5700DP-T1-RE3 SIRS5700DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 144 - 5,6m 8,3 ±20 73 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRS5800DP-T1-GE3 SIRS5800DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 212 500 1,8m 240 ±20 61 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRS580DPW-T1-RE3 SIRS580DPW-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 152 350 2,5m 171 ±20 38,5 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRS700DP-T1-GE3 SIRS700DP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 102 350 3,5m 132 ±20 86 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIRS700DP-T1-RE3 SIRS700DP-T1-RE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 102 350 4,3m 84 ±20 130 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS106DN-T1-GE3 SIS106DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 16 40 22,5m 15 ±20 13,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS108DN-T1-GE3 SIS108DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 14,7 30 44m 15 ±20 13 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS110DN-T1-GE3 SIS110DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 11,4 20 70m 15 ±20 13 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS126DN-T1-GE3 SIS126DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 36,1 100 12,5m 33,3 ±20 32 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS128LDN-T1-GE3 SIS128LDN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 26,9 70 20,3m 25 ±20 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS176LDN-T1-GE3 SIS176LDN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 70 33,8 100 12,5m 25 ±12 19 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS178LDN-T1-GE3 SIS178LDN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 70 36,2 100 13,5m 25 ±20 28,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS184DN-T1-GE3 SIS184DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 52,2 100 7m 33,3 ±20 32 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS322DNT-T1-GE3 SIS322DNT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 30,6 70 12m 12,7 -16...20 21,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS402DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 35 70 8m 33 ±20 12 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS406DN-T1-GE3 SIS406DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 12,2 50 14,5m 2,3 ±25 28 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS407ADN-T1-GE3 SIS407ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -18 -70 9m 25 ±8 168 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS407DN-T1-GE3 SIS407DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -25 -40 9,5m 21 ±8 93,8 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS410DN-T1-GE3 SIS410DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 35 60 6,3m 33 ±20 41 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 12 30 24m 10 ±20 12 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -18 -70 13,2m 33 ±20 110 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS415DNT-T1-GE3 SIS415DNT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -35 -80 9,5m 33 ±12 180 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS427EDN-T1-GE3 SIS427EDN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -44,3 -110 21,3m 33 ±25 66 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS429DNT-T1-GE3 SIS429DNT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -20 -50 34m 17,8 ±20 50 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 17,6 60 7,6m 33 ±20 40 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS435DNT-T1-GE3 SIS435DNT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -30 -80 14m 25 ±8 180 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS438DN-T1-GE3 SIS438DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 16 32 12,5m 17,5 ±20 23 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS4406DN-T1-GE3 SIS4406DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 62,8 - 4,75m - -16...20 23,7 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -35 -80 11,7m 33 ±20 135 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS444DN-T1-GE3 SIS444DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 35 70 4,3m 33 ±20 102 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS447DN-T1-GE3 SIS447DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -18 -100 12,5m 33 ±12 181 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS454DN-T1-GE3 SIS454DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 35 100 5,4m 33 ±20 53 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS4604LDN-T1-GE3 SIS4604LDN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 36,7 100 12,4m 21,6 ±20 28 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS4608LDN-T1-GE3 SIS4608LDN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 28,9 100 15,3m 17,4 ±20 23 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS468DN-T1-GE3 SIS468DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 29,2 60 32m 33,3 ±20 28 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS472ADN-T1-GE3 SIS472ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 24 60 10,5m 18 ±20 44 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS472BDN-T1-GE3 SIS472BDN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 30,6 70 12,4m 12,7 -16...20 21,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS472DN-T1-GE3 SIS472DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 20 50 12,4m 18 ±20 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS476DN-T1-GE3 SIS476DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 40 80 3,5m 43 -16...20 77 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS488DN-T1-GE3 SIS488DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 40 100 7,5m 33 ±20 32 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS5712DN-T1-GE3 SIS5712DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 18 - 55,5m - ±20 7,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS590DN-T1-GE3 SIS590DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 100 - - - - ±20 - PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIS606BDN-T1-GE3 SIS606BDN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 28,2 80 20,5m 33,3 ±20 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS698DN-T1-GE3 SIS698DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 5,5 10 230m 12,7 ±20 8 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS780DN-T1-GE3 SIS780DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET + Schottky 30 18 50 17,5m 17,7 ±20 24,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS782DN-T1-GE3 SIS782DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 16 - 9,5m 41 ±20 30,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS822DNT-T1-GE3 SIS822DNT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 12 30 30m 10 ±20 12 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS862ADN-T1-GE3 SIS862ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 41,6 100 11m 25 ±20 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 40 100 12,5m 52 ±20 20,8 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS888DN-T1-GE3 SIS888DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 16 50 85m 33 ±20 14,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - ThunderFET - - -
SIS890ADN-T1-GE3 SIS890ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 19,8 40 29m 25 ±20 29 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS890DN-T1-GE3 SIS890DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 30 60 23,5m 33 ±20 29 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS892ADN-T1-GE3 SIS892ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 28 - 47m 52 ±20 6,1 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 27 50 42m 43 ±20 21,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -6 -40 40m 14,8 ±8 42 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS9122DN-T1-GE3 SIS9122DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 100 5,7 8 167m 11,4 ±20 6 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIS932EDN-T1-GE3 SIS932EDN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 6 40 26m 14,8 ±12 14 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS9446DN-T1-GE3 SIS9446DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 34 60 12m - -16...20 4,7 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIS990DN-T1-GE3 SIS990DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 100 9,7 20 105m 16 ±20 8 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISA01DN-T1-GE3 SISA01DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -60 -150 8,2m 33 -20...16 84 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISA04DN-T1-GE3 SISA04DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 40 80 3,1m 43 -16...20 77 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISA10DN-T1-GE3 SISA10DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 30 80 5m 25 -16...20 51 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISA12ADN-T1-GE3 SISA12ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 25 80 4,3m 18 - 45 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISA14BDN-T1-GE3 SISA14BDN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 58 130 7,02m 29 -16...20 22 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 20 80 8,5m 17 -16...20 29 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISA18ADN-T1-GE3 SISA18ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 30,6 70 12m 12,7 -16...20 21,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISA24DN-T1-GE3 SISA24DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 25 60 150 2,4m 33 -16...20 55 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISA35DN-T1-GE3 SISA35DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -16 -50 30m 15 ±20 42 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISA40DN-T1-GE3 SISA40DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 129 150 42m 33 -8...12 53 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISA72ADN-T1-GE3 SISA72ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 74 150 4,66m 33,3 -16...20 50 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISA72DN-T1-GE3 SISA72DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 60 150 4,8m 33,3 -16...20 63 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISA88DN-T1-GE3 SISA88DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 32,4 100 10m 12,7 -16...20 25,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISA96DN-T1-GE3 SISA96DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 12 65 12m 17 -16...20 31 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISB46DN-T1-GE3 SISB46DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 27,3 70 15,8m 14,8 -16...20 22 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISC06DN-T1-GE3 SISC06DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET + Schottky 30 40 100 4m 29,6 -16...20 58 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISD5110DN-T1-UE3 SISD5110DN-T1-UE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 55 - 9,5m - - - PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISD5300DN-T1-GE3 SISD5300DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 198 - 870µ 5,4 ±16 27 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISD5806DN-T1-UE3 SISD5806DN-T1-UE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 51 150 6,9m 57 ±20 - PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISF00DN-T1-GE3 SISF00DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 60 120 7m 44,4 -16...20 53 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISF02DN-T1-GE3 SISF02DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 25 60 140 5,6m 44,4 -12...16 56 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISF04DN-T1-GE3 SISF04DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 86 190 6m 44,4 -12...16 60 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - drain commun
SISF06DN-T1-GE3 SISF06DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 81 190 6,95m 44,4 -16...20 45 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISF20DN-T1-GE3 SISF20DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 60 41 100 18,5m 44,4 ±20 33 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISH101DN-T1-GE3 SISH101DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -35 -80 13m 33 ±25 102 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISH103DN-T1-GE3 SISH103DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -54 - 8,9m 41,6 ±25 - PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SISH106DN-T1-GE3 SISH106DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 15,6 60 9,8m 2 ±12 27 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISH108DN-T1-GE3 SISH108DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 17,6 60 6,1m 2 ±16 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISH110DN-T1-GE3 SISH110DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 16,9 60 7,8m 2 ±20 21 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISH112DN-T1-GE3 SISH112DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 14,2 60 8,2m 2 ±12 27 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISH114ADN-T1-GE3 SISH114ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 35 60 9,8m 25 ±20 32 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISH116DN-T1-GE3 SISH116DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 13,1 60 10m 2 ±20 23 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISH129DN-T1-GE3 SISH129DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -35 -60 20m 33,3 ±20 71 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISH402DN-T1-GE3 SISH402DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 35 70 8m 33 ±20 42 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISH407DN-T1-GE3 SISH407DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -25 -40 19,5m 21 ±8 93,8 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISH410DN-T1-GE3 SISH410DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 35 60 6,3m 33 ±20 41 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISH434DN-T1-GE3 SISH434DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 35 60 9,2m 33 ±20 40 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISH472DN-T1-GE3 SISH472DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 20 50 12,4m 18 ±20 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISH536DN-T1-GE3 SISH536DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 54 200 4,6m 17 -12...16 25 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISH615ADN-T1-GE3 SISH615ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -35 -80 9,8m 33 ±12 183 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISH617DN-T1-GE3 SISH617DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -35 -60 22,2m 33 ±25 59 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISH625DN-T1-GE3 SISH625DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -35 -80 11m 33 ±20 126 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISH892BDN-T1-GE3 SISH892BDN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 16 40 34,7m 18,6 ±20 26,5 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISHA04DN-T1-GE3 SISHA04DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 40 80 3,1m 43 -16...20 77 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISHA10DN-T1-GE3 SISHA10DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 30 80 5m 25 -16...20 51 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISHA12ADN-T1-GE3 SISHA12ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 25 80 6m 18 -16...20 45 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISHA14DN-T1-GE3 SISHA14DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 20 80 8,5m 17 -16...20 29 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS02DN-T1-GE3 SISS02DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 25 80 300 1,83m 42 -12...16 83 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS04DN-T1-GE3 SISS04DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 80 300 1,85m 42 -12...16 93 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS05DN-T1-GE3 SISS05DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -86,6 -300 5,8m 42 -20...16 115 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS06DN-T1-GE3 SISS06DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 138,1 300 2,03m 42 -16...20 77 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS08DN-T1-GE3 SISS08DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 25 156,4 300 1,87m 42 -16...20 82 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS10ADN-T1-BE3 SISS10ADN-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 86,8 150 2,65m 56,8 -16...20 40,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS10ADN-T1-GE3 SISS10ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 86,8 150 3,95m 36 -16...20 61 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS10DN-T1-GE3 SISS10DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 60 150 3,6m 36 -16...20 75 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS12DN-T1-GE3 SISS12DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 60 200 2,74m 42 -16...20 89 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS176LDN-T1-UE3 SISS176LDN-T1-UE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 70 42,3 - 10,9m - ±12 12,6 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS178LDN-T1-UE3 SISS178LDN-T1-UE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 70 45,3 - 9,5m - ±20 18,7 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS22DN-T1-GE3 SISS22DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 72,5 150 5m 42 ±20 44 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS22LDN-T1-GE3 SISS22LDN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 74 150 5,1m 42 ±20 56 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS23DN-T1-GE3 SISS23DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -50 -200 4,5m 36 ±8 300 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS26DN-T1-GE3 SISS26DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 60 150 7,8m 36 ±20 37 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS26LDN-T1-GE3 SISS26LDN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 65 150 6,2m 36 ±20 48 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS26LDN-T1-UE3 SISS26LDN-T1-UE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 65 150 6,2m 36 ±20 48 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS27ADN-T1-GE3 SISS27ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -50 -200 8,1m 36 ±20 117 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS27DN-T1-GE3 SISS27DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -50 -200 9m 36 ±20 140 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS28DN-T1-GE3 SISS28DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 25 60 150 2,24m 36 -12...16 75 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS30ADN-T1-GE3 SISS30ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 43,5 120 10,5m 36 ±20 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS30DN-T1-GE3 SISS30DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 43,5 120 10,3m 36 ±20 40 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS30LDN-T1-GE3 SISS30LDN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 44 120 12,2m 36 ±20 50 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS30LDN-T1-UE3 SISS30LDN-T1-UE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 55,5 - 8,5m - ±20 32,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS32ADN-T1-GE3 SISS32ADN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 50,3 120 8,7m 42 ±20 36 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS32DN-T1-GE3 SISS32DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 50,3 150 8,7m 42 ±20 42 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS32LDN-T1-BE3 SISS32LDN-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 50,3 150 9,5m 42 ±20 57 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS32LDN-T1-GE3 SISS32LDN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 50,3 150 9,5m 42 ±20 57 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS40DN-T1-GE3 SISS40DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 29 60 26m 33 ±20 24 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS42DN-T1-GE3 SISS42DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 32,4 80 17m 36 ±20 38 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS42LDN-T1-GE3 SISS42LDN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 31,2 80 18m 36 ±20 48 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS4402DN-T1-UE3 SISS4402DN-T1-UE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 128 - 2,2m - -16...20 46,7 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS4409DN-T1-GE3 SISS4409DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -59,2 - 9m 56,8 ±20 - PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SISS4410DN-T1-GE3 SISS4410DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 36 - 9m - - 5,3 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS46DN-T1-GE3 SISS46DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 36,2 100 14,6m 42 ±20 42 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS50DN-T1-GE3 SISS50DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 45 86 300 4,1m 42 -16...20 70 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS5108DN-T1-GE3 SISS5108DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 55,9 120 12,4m 65,7 ±20 23 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS5110DN-T1-GE3 SISS5110DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 46,3 - 12,6m 4,8 ±20 12,8 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS5112DN-T1-GE3 SISS5112DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 32,6 70 14,9m 52 ±20 8 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS52DN-T1-GE3 SISS52DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 162 - 1,2m 57 -12...16 65 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS54DN-T1-GE3 SISS54DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 148,5 300 1,5m 42 -12...16 72 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS5708DN-T1-BE3 SISS5708DN-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 27 - 23m - ±20 12,8 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS5708DN-T1-GE3 SISS5708DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 27 80 23m 65,7 ±20 9,7 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS5808DN-T1-GE3 SISS5808DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 66,6 150 11m 65,7 ±20 24 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS5810DN-T1-GE3 SISS5810DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 51 - 10m - ±20 12,2 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS5812DN-T1-GE3 SISS5812DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 42,8 - 13,5m - ±20 10 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS588DN-T1-BE3 SISS588DN-T1-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 46,5 150 8m 56,8 ±20 14,2 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS588DN-T1-GE3 SISS588DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 46,5 150 9,3m 36,3 ±20 28,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS60DN-T1-GE3 SISS60DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET + Schottky 30 145,4 200 2,01m 42,1 -12...16 85,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS61DN-T1-GE3 SISS61DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -89,6 -200 9,8m 42,1 ±8 231 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS63DN-T1-GE3 SISS63DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -102 -200 7m 42,1 ±12 236 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS64DN-T1-GE3 SISS64DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET + Schottky 30 40 100 2,86m 36 -16...20 68 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS65DN-T1-GE3 SISS65DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 75,2 -120 7,5m 42,1 ±20 138 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS66DN-T1-GE3 SISS66DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET + Schottky 30 142,6 200 2,19m 42,1 -16...20 85,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS67DN-T1-GE3 SISS67DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -60 -120 9,3m 42,1 ±25 111 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS70DN-T1-GE3 SISS70DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 125 24,8 50 29,8m 42,1 ±20 15,3 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - ThunderFET, TrenchFET® - - -
SISS71DN-T1-GE3 SISS71DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -23 -40 59m 36 ±20 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SISS72DN-T1-GE3 SISS72DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 20,4 50 42m 42,1 ±20 22 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - ThunderFET, TrenchFET® - - -
SISS73DN-T1-GE3 SISS73DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -150 -12,9 -30 125m 42,1 ±20 22 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - ThunderFET, TrenchFET® - - -
SISS76LDN-T1-GE3 SISS76LDN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 70 54 120 6,9m 36 ±12 33,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS78LDN-T1-GE3 SISS78LDN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 70 53,3 120 7,8m 36 ±20 50 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS80DN-T1-GE3 SISS80DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 169 300 3m 42 -8...12 122 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SISS92DN-T1-GE3 SISS92DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 9,9 20 190m 42,1 ±20 16 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - ThunderFET, TrenchFET® - - -
SISS94DN-T1-GE3 SISS94DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 15,6 25 78m 42,1 ±20 21 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - ThunderFET, TrenchFET® - - -
SISS98DN-T1-GE3 SISS98DN-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 11,2 30 110m 36 ±20 18,2 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - ThunderFET - - -
SIUD401ED-T1-GE3 SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -0,5 -1 3,5 1,25 ±12 2 PowerPAK® 0806-3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIUD402ED-T1-GE3 SIUD402ED-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 1 1,4 1,8 1,25 ±8 1,2 PowerPAK® 0806-3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIUD403ED-T1-GE3 SIUD403ED-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -0,5 -0,8 4,4 1,25 ±8 1,7 PowerPAK® 0806-3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIUD406ED-T1-GE3 SIUD406ED-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 0,5 0,8 1,85 1,25 ±8 0,6 PowerPAK® 0806-3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIUD412ED-T1-GE3 SIUD412ED-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 12 0,5 1,5 2,5 1,25 ±5 0,71 PowerPAK® 0806-3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ200DT-T1-GE3 SIZ200DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 61 130 7,7m/7,3m 33 - 30/28 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ240DT-T1-GE3 SIZ240DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 48 100 13,3m/12,25m 33 - 22/23 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ250DT-T1-GE3 SIZ250DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 60 38 80 18,87m/18,11m 33 ±20 21 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ254DT-T1-GE3 SIZ254DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 70 9,4 60 16,1m 33 ±20 6,1 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ256DT-T1-GE3 SIZ256DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 70 31,8 60 20m 33 ±12 27 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ260DT-T1-GE3 SIZ260DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 80 24,7 60 31m 33 ±20 27 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ270DT-T1-GE3 SIZ270DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 100 19,5 40 54,1m/51,7m 33 ±20 27 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ320DT-T1-GE3 SIZ320DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 25 30/40 80...120 12,7m/6,58m 16,7/31 - 15/26,7 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ322DT-T1-GE3 SIZ322DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 25 30 100 9m 16,7 - 20,1 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ340ADT-T1-GE3 SIZ340ADT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 33,4/69,7 100...150 14,4m/6,2m 16,7/31 - 27,9/12,2 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ340BDT-T1-GE3 SIZ340BDT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 36/69,3 100...150 14,03m/6,7m 16,7/31 - 23,5/12,6 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ340DDT-T1-GE3 SIZ340DDT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 - - - - - - PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ340DT-T1-GE3 SIZ340DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 30/40 100...150 13,7m/7m 16,7/31 - 19/35 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ342ADT-T1-GE3 SIZ342ADT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 33,4 100 14,4m 16,7 - 12,2 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ342BDT-T1-GE3 SIZ342BDT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 26,3 100 9,65m 16,7 -16...20 8,4 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - asymétrique
SIZ342DDT-T1-GE3 SIZ342DDT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 26,9 100 - 16,7 -16...20 3,7 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - asymétrique
SIZ342DT-T1-GE3 SIZ342DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 30 100 15,3m 16,7 - 20 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ346DT-T1-GE3 SIZ346DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 17/30 25...100 15,3m/37m 16/16,7 ±20 10/20 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ348DT-T1-GE3 SIZ348DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 30 100 10,19m 16,7 - 18,2 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ350DT-T1-GE3 SIZ350DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 30 100 9,44m 16,7 - 20,3 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ902DT-T1-GE3 SIZ902DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 16 50...80 14,5m/8,3m 29/66 ±20 21/65 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ904DT-T1-GE3 SIZ904DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 12/16 30...40 30m/17m 20/33 ±20 12/23 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ918DT-T1-GE3 SIZ918DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 16/28 50...110 14,5m/4,5m 29/100 ±20 21/105 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ926DT-T1-GE3 SIZ926DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 25 40/60 100...170 7,9m/3,35m 20,2/40 - 19/41 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ980BDT-T1-GE3 SIZ980BDT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 + Schottky 30 54,8/197 90...130 7,12m/1,72m 20/66 - 18/79 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ980DT-T1-GE3 SIZ980DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 + Schottky 30 20/60 90...130 10m/2,2m 20/66 - 18/77 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZ988DT-T1-GE3 SIZ988DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 - - - - -16...20 - PowerPAIR® 6x5 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIZ998BDT-T1-GE3 SIZ998BDT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 - - - - - - PowerPAIR® 6x5 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIZ998DT-T1-GE3 SIZ998DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 + Schottky 30 20/60 90...130 10m/3,8m 20,2/32,9 - 18/44,3 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZF300DT-T1-GE3 SIZF300DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 + Schottky 30 75/141 150...200 7m/2,57m 48/74 - 22/62 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZF4412DT-T1-GE3 SIZF4412DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 61,7 150 5,3m 56,8 -16...20 8 PowerPAIR® 6x5 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - asymétrique
SIZF4800LDT-T1-GE3 SIZF4800LDT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 80 8 40 19m 56,8 ±20 15 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZF640DT-T1-GE3 SIZF640DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 127 300 1,37m 62,5 -16...20 - PowerPAIR® 6x5 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - asymétrique
SIZF906ADT-T1-GE3 SIZF906ADT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 + Schottky 30 60 80...100 5,3m/1,58m 38/83 - 49/200 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZF906BDT-T1-GE3 SIZF906BDT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 + Schottky 30 - - - - - - PowerPAIR® 6x5 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIZF906DDT-T1-GE3 SIZF906DDT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 + Schottky 30 - - - - - - PowerPAIR® 6x5 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SIZF906DT-T1-GE3 SIZF906DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 + Schottky 30 60 80...100 5,3m/1,58m 38/83 - 49/200 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZF914DT-T1-GE3 SIZF914DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 + Schottky 25 40/60 130...110 6,2m/1,5m 26,6/60 - 21/98 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZF916DT-T1-GE3 SIZF916DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 + Schottky 30 40/60 130...110 6,8m/1,75m 26,6/60 - 22/95 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZF918DT-T1-GE3 SIZF918DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 + Schottky 30 40/60 130...100 6,8m/2,7m 26,6/50 - 22/56 PowerPAIR® 3x3 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SIZF928DT-T1-GE3 SIZF928DT-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 - 150...400 - - -12...16 - PowerPAIR® 6x5 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - asymétrique
SQ1421EDH-T1-GE3 SQ1421EDH-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -1 - 290m 0,5 ±20 3,6 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - - - ESD -
SQ1431EH-T1-GE3 SQ1431EH-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -3 -12 300m 3 ±20 6,5 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ1464EEH-T1-GE3 SQ1464EEH-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 0,44 - 1,41 0,43 ±8 4,1 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQ1470AEH-T1-GE3 SQ1470AEH-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 1,7 6,7 115m 3,3 ±12 5,2 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ1539EH-T1-GE3 SQ1539EH-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 30/-30 0,85/-0,85 - 1,8/380m 1,5 ±20 1,6/1,4 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ1563AEH-T1-GE3 SQ1563AEH-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 20 - - - 1,5 ±8 - SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ1902AEL-T1-GE3 SQ1902AEL-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 20 0,45 3 415m 0,43 ±12 1,2 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ1912AEEH-T1-GE3 SQ1912AEEH-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 20 0,8 3 200m 1,5 ±12 1,25 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ1922AEEH-T1-GE3 SQ1922AEEH-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 20 0,53 3,3 300m 1,5 ±12 0,9 SC70-6, SOT363 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ2301CES-T1-GE3 SQ2301CES-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -3,9 - 120m 3 ±8 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ2301ES-T1-BE3 SQ2301ES-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -2,2 -15 120m 3 ±8 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ2301ES-T1-GE3 SQ2301ES-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -2,2 - 120m 1 ±8 8 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ2303CES-T1-GE3 SQ2303CES-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -2,5 - 170m 1,9 ±20 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ2303ES-T1-GE3 SQ2303ES-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -2,5 -10 370m 1,9 ±20 6,8 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ2308CES-T1-BE3 SQ2308CES-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 2,3 - 150m 2 ±20 3,5 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQ2308CES-T1-GE3 SQ2308CES-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 2 9 325m 2 ±20 3,5 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ2308FES-T1-GE3 SQ2308FES-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 1,3 9 150m 2 -20...20 5,3 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQ2309CES-T1-BE3 SQ2309CES-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -1 -6,8 335m 2 ±20 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ2309ES-T1-GE3 SQ2309ES-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -1,7 -6,8 704m 2 ±20 8,5 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ2310CES-T1-GE3 SQ2310CES-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 3,5 24 30m 2 ±8 4,95 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQ2315CES-T1-GE3 SQ2315CES-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -5 - 50m 2 ±8 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ2315ES-T1-BE3 SQ2315ES-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -3 -20 50m 2 ±8 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ2315ES-T1-GE3 SQ2315ES-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -5 -20 75m 0,67 ±8 13 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - industrie automobile - -
SQ2318CES-T1-GE3 SQ2318CES-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 4 28 63m 1 ±20 13 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - industrie automobile - -
SQ2319ADS-T1-BE3 SQ2319ADS-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -4,6 - 75m 2,5 ±20 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ2319CES-T1-GE3 SQ2319CES-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -2,6 -18 145m 1 ±20 16 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - industrie automobile - -
SQ2325ES-T1-GE3 SQ2325ES-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -150 -1 -2 4,4 1 ±20 10 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - industrie automobile - -
SQ2337CEST1GE3 SQ2337CEST1GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -80 -2,2 - 290m 3 ±20 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ2348CES-T1-BE3 SQ2348CES-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 8 - 24m 3 - - SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ2348CES-T1-GE3 SQ2348CES-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 8 - 24m 3 ±20 8,15 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQ2351CES-T1-GE3 SQ2351CES-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -3,2 - 115m 2 ±12 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ2351ES-T1-GE3 SQ2351ES-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -1,8 - 115m 2 ±12 5,5 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ2361CEES-T1-BE3 SQ2361CEES-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -1,6 -11 170m 2 ±20 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ2361CES-T1-BE3 SQ2361CES-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -2,8 - 177m 2 ±20 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ2361CES-T1-GE3 SQ2361CES-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -2,8 - 177m 2 ±20 - SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ2362CES-T1-GE3 SQ2362CES-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 4,3 - 68m 3 ±20 8,1 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQ2364EES-T1-GE3 SQ2364EES-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 1,3 - 245m 1 ±8 2 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - - ESD -
SQ2389ES-T1-GE3 SQ2389ES-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -4,1 -16 169m 1 ±20 12 SOT23 SMD rouleau, bande - - - - industrie automobile - -
SQ2398ES-T1-BE3 SQ2398ES-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 1,6 6,6 300m 2 ±20 3,4 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQ2398ES-T1-GE3 SQ2398ES-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 1,6 2,5 720m 2 ±20 3,4 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ3410EV-T1-GE3 SQ3410EV-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 6,8 32 17,5m 5 ±20 14 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQ3418AEEV-T1-GE3 SQ3418AEEV-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 5 32 26m 5 ±20 8,2 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQ3418EV-T1-GE3 SQ3418EV-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 5 32 26m 5 ±20 12,7 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQ3419AEEV-T1-BE3 SQ3419AEEV-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -4 -27 61m 5 ±12 - SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ3419AEEV-T1-GE3 SQ3419AEEV-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -6,9 - 48m 5 ±12 - SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ3419CEV-T1-GE3 SQ3419CEV-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -6,9 - 58m 5 ±20 - SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ3425CEV-T1-GE3 SQ3425CEV-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -7,4 - 60m 5 ±12 - SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ3426EV-T1-GE3 SQ3426EV-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 7 29 71m 5 ±20 6,3 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ3427AEEV-T1-GE3 SQ3427AEEV-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -5,3 -21 178m 1,6 ±20 22 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile ESD -
SQ3427CEV-T1-GE3 SQ3427CEV-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -5,3 - 95m 5 ±20 - SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ3427EV-T1-GE3 SQ3427EV-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -5,3 -21 178m 5 ±20 22 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ3457EV-T1-BE3 SQ3457EV-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -6,8 -27 100m 5 ±20 21 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ3457EV-T1-GE3 SQ3457EV-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -6,8 -27 100m 5 ±20 21 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ3461EV-T1-GE3 SQ3461EV-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -6,6 - 25m 1,67 ±8 28 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ3481EV-T1-BE3 SQ3481EV-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -7,5 -30 70m 4 ±20 23,5 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ3493EV-T1-GE3 SQ3493EV-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -8 -32 34m 5 ±12 34 SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ3495EV-T1-GE3 SQ3495EV-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -7 -32 21m 5 ±12 - SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ3989EV-T1-GE3 SQ3989EV-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -2,5 - 140m 1,67 ±20 - SC74, TSOP6 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ4050EY-T1-BE3 SQ4050EY-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 19 - 6,3m 6 ±20 34 SO8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQ4050EY-T1-GE3 SQ4050EY-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 19 75 15m 6 ±20 51 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ4064EY-T1-BE3 SQ4064EY-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 6,9 25 19,8m 6,8 ±20 29 SO8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQ4064EY-T1-GE3 SQ4064EY-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 6,9 25 16,5m 6,8 ±20 29 SO8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQ4080EY-T1-GE3 SQ4080EY-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 18 72 70m 7,1 ±20 25 SO8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQ4153EY-T1-BE3 SQ4153EY-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -14 -100 8,32m 7,1 ±8 - SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ4153EY-T1-GE3 SQ4153EY-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -14 - 8,32m 2,3 ±8 151 SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ4182EY-T1-BE3 SQ4182EY-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 18 100 3,8m 7,1 ±20 72 SO8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQ4184EY-T1-GE3 SQ4184EY-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 16,9 84 4,6m 7,1 ±20 110 SO8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQ4282EY-T1-BE3 SQ4282EY-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 8 32 21m 3,9 ±20 47 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ4282EY-T1-GE3 SQ4282EY-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 8 32 12,3m 3,9 ±20 - SO8 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SQ4284EY-T1-BE3 SQ4284EY-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 7,4 - 13,5m 3,9 ±20 30 SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ4284EY-T1-GE3 SQ4284EY-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 7,4 - 13,5m 3,9 ±20 30 SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ4401CEY-T1-GE3 SQ4401CEY-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -17,3 - 14m 7,14 ±20 - SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ4410EY-T1-GE3 SQ4410EY-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 9 60 9m 5 ±20 53 SO8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQ4431EY-T1-BE3 SQ4431EY-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -10,8 - 22m 6 ±20 - SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ4431EY-T1-GE3 SQ4431EY-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -10,8 - 22m 6 ±20 - SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ4435EY-T1-GE3 SQ4435EY-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -15 - 13m 6,8 ±20 - SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ4470EY-T1-GE3 SQ4470EY-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 9 67 12m 7,1 ±20 45 SO8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQ4483BEEY-T1-GE3 SQ4483BEEY-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -22 - 7m 7 ±20 - SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ4483EY-T1-GE3 SQ4483EY-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -30 - 7m 7 ±20 - SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ4532AEY-T1-BE3 SQ4532AEY-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 30 - - - 3,3 ±20 - SO8 SMD - - - - - - - -
SQ4532AEY-T1-GE3 SQ4532AEY-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 30 - - - 3,3 ±20 - SOIC8 SMD - - - - - - - -
SQ4840CEY-T1-GE3 SQ4840CEY-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 12 82 6,2m 7,1 ±20 44,8 SO8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQ4917CEY-T1-GE3 SQ4917CEY-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -60 -8 -32 48m 5 ±20 - SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQ4937EY-T1-GE3 SQ4937EY-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -30 -5 -20 75m 3,3 ±20 - SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ4940AEY-T1-GE3 SQ4940AEY-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 5,3 32 29m 1,3 ±20 43 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQ4940CEY-T1-GE3 SQ4940CEY-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 8 - 24m 4 ±20 11,2 SO8 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SQ4949EY-T1-GE3 SQ4949EY-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -30 -4,3 - - - ±30 - SO8 SMD - - - - - - - -
SQ4961EY-T1-GE3 SQ4961EY-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -60 -4,4 -18 176m 3,3 ±20 40 SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ7414CENW-T1-GE3 SQ7414CENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 18 72 50m 62 ±20 25 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQ9407EY-T1-BE3 SQ9407EY-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -4,6 - 115m 3,75 ±20 - SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQA401EEJ-T1-GE3 SQA401EEJ-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -1,55 - 113m 4,5 ±8 5,3 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQA401EJ-T1-GE3 SQA401EJ-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -3,75 -12 125m 13,6 ±12 - SC70-6 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQA403CEJW-T1-GE3 SQA403CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -10 - 24,4m 13,6 ±20 - SC70-6 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQA405CEJW-T1-GE3 SQA405CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -9 -36 72,7m 13,6 ±20 34 - SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQA410CEJW-T1-GE3 SQA410CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 7,8 - 45,4m 13,6 ±8 5,1 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQA410EJ-T1-GE3 SQA410EJ-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 7,8 24 28m 13,6 ±8 8 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQA411CEJW-T1-GE3 SQA411CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -6,46 -20 326,1m 13,6 ±20 15,5 - SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQA413CEJW-T1-GE3 SQA413CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -7,5 -30 58,6m 13,6 ±12 16 - SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQA440CEJW-T1-GE3 SQA440CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 9 36 14,4m 13,6 ±20 11,4 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQA442EJ-T1-GE3 SQA442EJ-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 9 - 32m 13,6 ±20 9,7 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQA444CEJW-T1-GE3 SQA444CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 9 - 39m 13,6 ±20 6 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQA446CEJW-T1-GE3 SQA446CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 9 - 17,5m 13,6 ±20 6,5 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQA448CEJW-T1-GE3 SQA448CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 9 36 39m 13,6 ±20 6 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQA450CEJW-T1-GE3 SQA450CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 9 36 19m 13,6 ±20 12 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQA460CEJW-T1-GE3 SQA460CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 5,84 26 57m 13,6 ±20 10 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQA470CEJW-T1-GE3 SQA470CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 2,25 - 65m 13,6 ±12 4,6 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQA470EEJ-T1-GE3 SQA470EEJ-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 2,25 - 56m 13,6 ±12 4,1 PowerPAK® SC70 SMD rouleau, bande - - - - - ESD -
SQA470EJ-T1-GE3 SQA470EJ-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 2,25 9 65m 13,6 ±12 6 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQA600CEJW-T1-GE3 SQA600CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 9 - 56,7m 13,6 ±20 9 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQAA42CEJW-T1-GE3 SQAA42CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 8,8 40 30m 13,6 ±20 12 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQD07N25-350H-GE3 SQD07N25-350H_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 4 15 350m 71 ±30 29 DPAK, TO252 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQD100N04-3M6-GE3 SQD100N04-3M6_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 100 - 3m 136 ±20 105 DPAK, TO252 SMD - - - - - industrie automobile - -
SQD100N04-3M6L-GE3 SQD100N04-3M6L-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 100 400 7m 136 ±20 130 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQD10N30-330H-GE3 SQD10N30-330H_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 300 5 16 330m 107 ±30 31 DPAK, TO252 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQD19P06-60L-GE3 SQD19P06-60L_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -11 - 55m 15 ±20 27 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SQD23N06-31L-GE3 SQD23N06-31L_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 13 90 31m 37 ±20 16 DPAK, TO252 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQD25N06-22L-GE3 SQD25N06-22L_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 20 100 22m 62 ±20 33 DPAK, TO252 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQD25N15-52-GE3 SQD25N15-52_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 16 - 52m 107 ±20 34 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SQD30N05-20L-GE3 SQD30N05-20L_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 55 30 120 43m 50 ±20 18 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQD40031EL-GE3 SQD40031EL_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -94 - 3,2m 45 ±20 186 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SQD40052EL-GE3 SQD40052EL_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 30 120 10,7m 62 ±20 52 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQD40061EL-T4-GE3 SQD40061EL-T4_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -100 - 5,1m 107 ±20 - DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SQD40N06-14L-GE3 SQD40N06-14L_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 29 160 14m 75 ±20 34 DPAK, TO252 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQD40N10-25-GE3 SQD40N10-25_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 26 160 25m 136 ±20 70 DPAK, TO252 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQD45P03-12-GE3 SQD45P03-12_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -37 - 10m 23 ±20 55,3 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SQD50N04-5M6-GE3 SQD50N04-5M6_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 50 - 4,6m 71 ±20 85 DPAK, TO252 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQD50N05-11L-GE3 SQD50N05-11L-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 50 32 - 11m 75 ±20 34,6 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SQD50N10-8M9L-GE3 SQD50N10-8M9L_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 49 200 8,9m 136 ±20 70 DPAK, TO252 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQD50P03-07-GE3 SQD50P03-07_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -50 - 5m 136 ±20 - DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SQD50P04-13L-GE3 SQD50P04-13L_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -39 -200 13m 136 ±20 - DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SQD50P06-15L-GE3 SQD50P06-15L_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -50 -200 32m 45 ±20 150 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - industrie automobile - -
SQD50P08-28-GE3 SQD50P08-28_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -80 -28 -190 28m 45 ±20 145 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - industrie automobile - -
SQD90P04-9M4L-GE3 SQD90P04-9M4L_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -90 - 7,5m 136 ±20 - DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SQJ110EP-T1-GE3 SQJ110EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 98 224 6,3m 500 ±20 75 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ114ELP-T1-GE3 SQJ114ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 33 126 12,1m 115 ±20 50 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ116EP-T1-GE3 SQJ116EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 21 59 23m 88 ±20 33 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ118ELP-T1-GE3 SQJ118ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 36 - 395m 75 ±10 60 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ118EP-T1-GE3 SQJ118EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 38 - - 500 - - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ120ELP-T1-GE3 SQJ120ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 206 - 1,74m 130 ±20 74 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ120EP-T1-GE3 SQJ120EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 202 - 1,8m 130 ±20 58 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ122ELP-T1-GE3 SQJ122ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 58 350 - 60 ±20 33 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ122EP-T1-GE3 SQJ122EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 98 - 3,5m 60 ±20 27 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ126EP-T1-GE3 SQJ126EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 500 776 2m 500 ±20 152 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ128ELP-T1-GE3 SQJ128ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 437 - 1,16m 500 ±20 99 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ131ELP-T1-GE3 SQJ131ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -300 - 3m 500 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ136ELP-T1-GE3 SQJ136ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 350 600 1,12m 500 ±20 107 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ138ELP-T1-GE3 SQJ138ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 182 534 1,5m 500 ±20 78 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ138EP-T1-GE3 SQJ138EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 195 434 1,8m 312 ±20 58 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ140EP-T1-GE3 SQJ140EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 154 385 2,1m 263 ±20 49,2 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ141ELP-T1-GE3 SQJ141ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -134 -322 4,8m 500 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ142ELP-T1-GE3 SQJ142ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 175 - 2,8m 190 ±20 55 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ142EP-T1-GE3 SQJ142EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 97 315 3,6m 191 ±20 45 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ144EP-T1-GE3 SQJ144EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 75 238 4,6m 148 ±20 36 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ146ELP-T1-GE3 SQJ146ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 88 - 5,8m 75 ±20 35 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ146EP-T1-GE3 SQJ146EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 43 200 7m 75 ±20 27 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ146EP-T1-JE3 SQJ146EP-T1_JE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 43 200 7m 75 ±20 18 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ148EP-T1-GE3 SQJ148EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 14 40 27m 45 ±20 20 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ152ELP-T1-GE3 SQJ152ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 123 - 5m 136 ±20 34 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ152EP-T1-GE3 SQJ152EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 66 189 5,1m 136 ±20 27 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ154EP-T1-GE3 SQJ154EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 140 970 2,5m 214 ±20 43 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ158EP-T1-GE3 SQJ158EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 13 - 33m 45 ±20 17 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ161ELP-T1-GE3 SQJ161ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -118 - 8,8m 245 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ162EP-T1-GE3 SQJ162EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 166 - 5m 250 ±20 51 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ164ELP-T1-GE3 SQJ164ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 75 130 33m 187 ±20 57 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ166ELP-T1-GE3 SQJ166ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 67 - 9,7m 89 ±20 19 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ170ELP-T1-GE3 SQJ170ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 63 66 34m 136 ±20 12 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ174EP-T1-GE3 SQJ174EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 169 335 2,9m 500 ±20 54 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ182EP-T1-GE3 SQJ182EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 210 - 5m 395 ±20 64 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ185ELP-T1-GE3 SQJ185ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -80 -62 - 19,5m 145 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ186ELP-T1-GE3 SQJ186ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 38 112 125m 135 ±20 45 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ186EP-T1-GE3 SQJ186EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 60 - 15m 135 ±20 24 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ200EP-T1-GE3 SQJ200EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 20 - - - - ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ200EP-T1-JE3 SQJ200EP-T1_JE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 20 - - - - ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ202EP-T1-GE3 SQJ202EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 12 - - - - ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ204EP-T1-GE3 SQJ204EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 12 - - - - ±12 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ208EP-T1-GE3 SQJ208EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 - - - - - - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ244EP-T1-GE3 SQJ244EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 - - - - ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ262EP-T1-GE3 SQJ262EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 60 - - - - ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ401EP-T1-GE3 SQJ401EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -32 - 5m 83 ±8 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ402EP-T1-GE3 SQJ402EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 32 - 11m 83 ±20 34 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ403EP-T1-GE3 SQJ403EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -30 - 7m 68 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ407EP-T1-GE3 SQJ407EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -56 -155 4,4m 68 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ409EP-T1-BE3 SQJ409EP-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -60 -150 12,6m 68 ±20 260 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ409EP-T2-GE3 SQJ409EP-T2_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -60 - 7m 68 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ410EP-T1-GE3 SQJ410EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 32 - 3,5m 83 ±20 110 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ411EP-T1-GE3 SQJ411EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -12 -60 - 4,8m 68 ±8 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ414EP-T1-GE3 SQJ414EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 25 90 12m 45 ±20 15 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ415EP-T1-BE3 SQJ415EP-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -23 -120 14m 45 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ420EP-T1-GE3 SQJ420EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 26,8 110 10m 45 ±20 41 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ422EP-T1-BE3 SQJ422EP-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 75 300 8,9m 83 ±20 100 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ422EP-T1-GE3 SQJ422EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 62 300 3,4m 83 ±20 67 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ423EP-T1-BE3 SQJ423EP-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -55 - 14m 68 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ423EP-T1-GE3 SQJ423EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -31 -100 14m 68 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ431AEP-T1-BE3 SQJ431AEP-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -9,4 -60 763m 68 ±20 85 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ431EP-T1-GE3 SQJ431EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -200 -12 -40 527m 27 ±20 106 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - industrie automobile - -
SQJ433EP-T1-GE3 SQJ433EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -75 - 6,4m 83 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ443AEP-T1-GE3 SQJ443AEP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -24 - 8,1m 27 ±10 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ443EP-T1-GE3 SQJ443EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -23 - 29m 28 ±20 38 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ443EP-T2-GE3 SQJ443EP-T2_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -40 - 29m 83 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ444EP-T1-GE3 SQJ444EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 60 150 3,2m 68 ±20 51 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ446EP-T1-GE3 SQJ446EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 35 200 3,7m 46 ±20 48 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ454EP-T1-BE3 SQJ454EP-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 7,5 30 145m 68 ±20 56 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ456EP-T1-GE3 SQJ456EP-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 32 - 21m 83 ±20 63 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ457EP-T1-BE3 SQJ457EP-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -36 - 25m 68 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ457EP-T1-GE3 SQJ457EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -36 -100 50,4m 22 ±20 100 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - industrie automobile - -
SQJ459EP-T1-BE3 SQJ459EP-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -52 -200 31m 83 ±20 108 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ459EP-T1-GE3 SQJ459EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -52 -200 31m 27 ±20 108 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - industrie automobile - -
SQJ460AEP-T1-GE3 SQJ460AEP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 33,4 180 8,7m 68 ±20 71 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ461EP-T1-GE3 SQJ461EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -30 -120 32m 27 ±20 140 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - industrie automobile - -
SQJ463EP-T1-GE3 SQJ463EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -30 -120 18m 28 ±20 150 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - industrie automobile - -
SQJ465EP-T1-GE3 SQJ465EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -8 - 85m 15 ±20 26,5 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ474EP-T1-GE3 SQJ474EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 15 65 30m 45 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ476EP-T1-GE3 SQJ476EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 13 - 38m 45 ±20 10 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ479EP-T1-BE3 SQJ479EP-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -80 -32 - 33m 68 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ481EP-T1-BE3 SQJ481EP-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -80 -16 - 80m 45 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ481EP-T1-GE3 SQJ481EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -80 -9,2 - 80m 15 ±20 33 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ486EP-T1-GE3 SQJ486EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 75 17 - 26m 56 ±20 22 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ488EP-T1-BE3 SQJ488EP-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 24 170 21m 83 ±20 18 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ488EP-T1-GE3 SQJ488EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 24 170 21m 83 ±20 18 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ500AEP-T1-BE3 SQJ500AEP-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 40 - - - 48 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ500AEP-T1-GE3 SQJ500AEP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 40 - - - 48 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ504EP-T1-BE3 SQJ504EP-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 40 - - - 34 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ504EP-T1-GE3 SQJ504EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 40 - - - 34 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ560EP-T1-GE3 SQJ560EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N/P-MOSFET 60 - - - 34 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ840EP-T1-GE3 SQJ840EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 30 - 7,5m 46 ±20 38 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ848EP-T1-GE3 SQJ848EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 47 - 7,5m 68 - - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ858AEP-T1-GE3 SQJ858AEP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 33 - 6,3m 48 ±20 36 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJ858EP-T1-GE3 SQJ858EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 43 200 6m 68 ±20 39 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ868EP-T1-BE3 SQJ868EP-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 58 - - 48 - - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ868EP-T1-GE3 SQJ868EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 58 230 15m 48 ±20 55 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ886EP-T1-GE3 SQJ886EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 60 - 3,6m 55 ±20 65 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJ914EP-T1-GE3 SQJ914EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 30 19 90 12m 27 ±20 15 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ942EP-T1-GE3 SQJ942EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 - 60...180 - - ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ951EP-T1-BE3 SQJ951EP-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -30 -28 -120 14m 56 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ963EP-T1-GE3 SQJ963EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -60 -8 -32 85m 27 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJ974EP-T1-GE3 SQJ974EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 100 17 - 25,5m 16 ±20 15 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJA02EP-T1-GE3 SQJA02EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 60 - 4m 68 ±20 80 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJA04EP-T1-GE3 SQJA04EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 75 - 6,2m 68 ±20 35 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJA06EP-T1-GE3 SQJA06EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 57 - 7,2m 55 ±20 27 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJA16EP-T1-GE3 SQJA16EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 278 575 6,5m 500 ±20 84 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJA34EP-T1-GE3 SQJA34EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 54 140 4,3m 68 ±20 50 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJA36EP-T1-GE3 SQJA36EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 350 - 1,24m 500 ±20 86 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJA36EP-T1-JE3 SQJA36EP-T1_JE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 350 - 1,24m 500 ±20 86 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJA37EP-T1-GE3 SQJA37EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -30 -120 9,2m 45 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJA38EP-T1-GE3 SQJA38EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 60 - 6,7m 68 ±20 48,2 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJA42EP-T1-GE3 SQJA42EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 20 80 9,4m 27 ±20 33 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJA46EP-T1-GE3 SQJA46EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 60 150 3m 68 ±20 105 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJA60EP-T1-BE3 SQJA60EP-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 24,6 84 12,5m 45 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJA61EP-T1-GE3 SQJA61EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -54,5 - 12,1m 68 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJA62EP-T1-GE3 SQJA62EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 48 140 3,7m 68 ±20 55 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJA64EP-T1-GE3 SQJA64EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 15 - 25,9m 45 ±20 7,6 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJA66EP-T1-GE3 SQJA66EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 75 - 3m 68 ±20 64,9 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJA70EP-T1-GE3 SQJA70EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 8,5 18 95m 45 ±20 7 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJA76EP-T1-GE3 SQJA76EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 65,6 200 2,4m 68 ±20 100 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJA78EP-T1-GE3 SQJA78EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 41,5 288 5,3m 68 ±20 62 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJA81EP-T1-GE3 SQJA81EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -80 -46 - 17,3m 68 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJA82EP-T1-BE3 SQJA82EP-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 36 120 8,2m 68 ±20 40 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJA82EP-T1-GE3 SQJA82EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 36 120 8,2m 68 ±20 60 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJA84EP-T1-BE3 SQJA84EP-T1_BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 46 - - 55 - - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJA86EP-T1-GE3 SQJA86EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 20 84 19m 48 ±20 20 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJA92EP-T1-GE3 SQJA92EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 33 150 9,5m 68 ±20 45 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJA96EP-T1-GE3 SQJA96EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 19,4 80 21,5 48 ±20 25 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJB00EP-T1-GE3 SQJB00EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 60 25 84 10,5m 48 ±20 20 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJB02ELP-T1-GE3 SQJB02ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 30 - 7,5m 27 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJB04ELP-T1-GE3 SQJB04ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 22 120 11m 27 ±20 20 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJB44EP-T1-JE3 SQJB44EP-T1_JE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 30 120 5,2m 48 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJB48EP-T1-JE3 SQJB48EP-T1_JE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 30 - 5,2m 48 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJB70EP-T1-GE3 SQJB70EP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 100 6,5 - 95m 9 ±20 4 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJQ100EL-T1-GE3 SQJQ100EL-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 200 - 900µ 150 ±20 220 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJQ100E-T1-GE3 SQJQ100E-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 200 - 900µ 150 ±20 220 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJQ114EL-T1-GE3 SQJQ114EL-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 136 - 5,5m 277 ±20 102 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJQ116EL-T1-GE3 SQJQ116EL-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 35 212 9,2m 91 ±20 70 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJQ130EL-T1-GE3 SQJQ130EL-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 445 445 900µ 600 ±20 455 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJQ131EL-T1-GE3 SQJQ131EL-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -280 - 1,4m 600 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJQ140ER-T1-GE3 SQJQ140ER-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 238 1653 650µ 214 ±20 192 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJQ140E-T1-GE3 SQJQ140E-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 701 - 530µ 600 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJQ140E-T1-JE3 SQJQ140E-T1_JE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 701 - 530µ 600 ±20 192 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJQ141EL-T1-GE3 SQJQ141EL-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -390 - 2m 600 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJQ142ER-T1-GE3 SQJQ142ER-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 345 - 1,24m 277 ±20 92 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJQ142E-T1-GE3 SQJQ142E-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 460 - 1m 500 ±20 92 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJQ144AER-T1-GE3 SQJQ144AER-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 330 1800 900µ 600 ±20 116 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJQ144AE-T1-GE3 SQJQ144AE-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 575 - 900µ 600 ±20 116 PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJQ144AE-T1-JE3 SQJQ144AE-T1_JE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 575 - 900µ 600 ±20 116 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJQ146E-T1-GE3 SQJQ146E-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 281 1166 700µ 300 ±20 - PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJQ148ER-T1-GE3 SQJQ148ER-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 214 670 1,5m 394 ±20 68 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJQ148E-T1-GE3 SQJQ148E-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 190 750 1,6m 325 ±20 69 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJQ148E-T1-JE3 SQJQ148E-T1_JE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 375 - 1,3m 325 ±20 69 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJQ160EL-T1-GE3 SQJQ160EL-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 461 - 800µ 348 - - PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJQ160ER-T1-GE3 SQJQ160ER-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 363 - 800µ 214 - - PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJQ160E-T1-GE3 SQJQ160E-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 347 655 850µ 600 ±20 183 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJQ181EL-T1-GE3 SQJQ181EL-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -80 -175 - 5,5m 348 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJQ184ER-T1-GE3 SQJQ184ER-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 250 1200 1,4m 600 ±20 183 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJQ184E-T1-GE3 SQJQ184E-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 430 1200 3,3m 600 ±20 272 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQJQ186ER-T1-GE3 SQJQ186ER-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 329 - 2,3m 600 ±20 123 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJQ186E-T1-GE3 SQJQ186E-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 141 770 1,9m 357 ±20 123 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJQ402E-T1-GE3 SQJQ402E-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 127 300 1,7m 150 ±20 169 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJQ404E-T1-GE3 SQJQ404E-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 200 - 1,72m 150 ±20 175 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJQ466E-T1-GE3 SQJQ466E-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 118 500 1,7m 150 ±20 135 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJQ510E-T1-GE3 SQJQ510E-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 165 793 1,86m 348 ±20 86 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQJQ900E-T1-GE3 SQJQ900E-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 60 - 3,9m 25 ±20 85 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJQ904E-T1-GE3 SQJQ904E-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 100 - - - - - PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJQ906EL-T1-GE3 SQJQ906EL-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 160 - - - - - PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJQ906E-T1-GE3 SQJQ906E-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 95 - - - - - PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJQ936EL-T1-GE3 SQJQ936EL-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 100 - - - - - PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJQ960EL-T1-GE3 SQJQ960EL-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 60 36 - 9m 24 ±20 19 PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQJQ980EL-T1-GE3 SQJQ980EL-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 80 36 - - - - - PowerPAK® 8x8L SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQM100N04-2M7-GE3 SQM100N04-2M7_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 98 - 2,7m 157 ±20 95,5 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQM100P10-19L-GE3 SQM100P10-19L_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -53 - 19m 125 ±20 220 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQM110N05-06L-GE3 SQM110N05-06L_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 55 64 443 6m 157 ±20 110 D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQM120N04-1M7L-GE3 SQM120N04-1M7L_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 120 - 1,4m 375 ±20 - D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQM120N04-1M9-GE3 SQM120N04-1M9_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 120 480 1,9m 300 ±20 180 D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQM120N06-3M5L-GE3 SQM120N06-3M5L_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 120 - 3,5m 375 ±20 220 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQM120N10-09-GE3 SQM120N10-09_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 73 480 7,9m 375 ±20 120 D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQM120N10-3M8-GE3 SQM120N10-3M8_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 120 - 3,8m 375 ±20 125 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQM120P06-07L-GE3 SQM120P06-07L_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -120 -480 13m 125 ±20 270 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - industrie automobile - -
SQM35N30-97-GE3 SQM35N30-97_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 300 20 75 97m 375 ±20 86 D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQM40022EM-GE3 SQM40022EM_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 125 300 1,63m 150 ±20 106 TO263-7 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQM40061EL-GE3 SQM40061EL_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -72 -300 5,1m 150 ±20 - D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQM50020EL-GE3 SQM50020EL_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 120 300 2m 375 ±20 200 D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQM50N04-4M0L-GE3 SQM50N04-4M0L_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 50 - 4m 150 - - D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQM60N20-35-GE3 SQM60N20-35_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 35 100 35m 375 ±20 135 D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQM70060EL-GE3 SQM70060EL_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 67 180 5,9m 166 ±20 66 D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQRS140ELP-T1-GE3 SQRS140ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 291 1342 0,6m 266 ±20 196 PowerPAK® SO8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQRS152ELP-T1-GE3 SQRS152ELP-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 58 - 5m 35 ±20 34 PowerPAK® SO8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS110ENW-T1-GE3 SQS110ENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 57 - 13,2m 119 ±20 34 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS121ELNW-T1-GE3 SQS121ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -20 -114 - 5m 119 ±12 - PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQS124ELNW-T1-GE3 SQS124ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 62 298 3m 79 ±20 36 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS140ELNW-T1-GE3 SQS140ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 88 350 2,53m 119 ±20 80 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS140ENW-T1-GE3 SQS140ENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 87 350 2,53m 119 ±20 38 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS141ELNW-T1-GE3 SQS141ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -79 -227 19m 119 ±20 141 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQS142ENW-T1-GE3 SQS142ENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 110 271 9,5m 113 ±20 35 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQS146ELNW-T1-GE3 SQS146ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 54 203 5,2m 91 ±20 26 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS146ENW-T1-GE3 SQS146ENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 88 - 6m 91 ±20 17 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS150ELNW-T1-GE3 SQS150ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 83 368 2,8m 117 ±20 40 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS150ENW-T1-GE3 SQS150ENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 78 368 3,2m 117 ±20 61 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS164ELNW-T1-GE3 SQS164ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 47 192 7,4m 104 ±20 27 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS166ELNW-T1-GE3 SQS166ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 41 156 8,9m 91 ±20 32 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS174ELNW-T1-GE3 SQS174ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 72 50 219 5,5m 103 ±20 46 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS180ELNW-T1-GE3 SQS180ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 47 189 7,1m 119 ±20 45 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS180ENW-T1-GE3 SQS180ENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 41 205 8,67m 119 ±20 56 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS181ELNW-T1-GE3 SQS181ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -80 -44 - 31m 119 ±20 - PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQS201CENW-T1-GE3 SQS201CENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -11,4 -46 80m 62,5 ±20 - PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQS407ENW-T1-GE3 SQS407ENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -16 - 10,8m 62,5 ±20 - PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQS414CENW-T1-GE3 SQS414CENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 15,5 55 23m 33 ±20 14 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS420EN-T1-GE3 SQS420EN-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 20 8 32 23,5m 18 ±8 14 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS423ENW-T1-GE3 SQS423ENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -30 -12 -64 21m 62,5 ±20 - PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SQS460ENW-T1-GE3 SQS460ENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 8 32 36m 39 ±20 13 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS482EN-T1-GE3 SQS482EN-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 16,4 64 8,5m 62 ±20 26 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS482ENW-T1-GE3 SQS482ENW-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 16 - 7m 62 ±20 26 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS484ENW-T1-GE3 SQS484ENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 16 64 6,5m 62,5 ±20 22 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS486CENW-T1-GE3 SQS486CENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 18 - 5,1m 62,5 ±20 35,2 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS488CENW-T1-GE3 SQS488CENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 16 64 7,9m 39,47 ±20 4 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS660CENW-T1-GE3 SQS660CENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 18 72 11,2m 62,5 ±20 17,4 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS840CENW-T1-GE3 SQS840CENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 12 - 20m 33 ±20 15 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS840EN-T1-GE3 SQS840EN-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 12 48 13,8m 33 ±20 15 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS850EN-T1-GE3 SQS850EN-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 12 48 21,5m 33 ±20 41 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQS940ELNW-T1-GE3 SQS940ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 6 - - - - - PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - - - - -
SQS944ENW-T1-GE3 SQS944ENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 40 6 24 25m 27,8 ±20 7,6 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SQS965ELNW-T1-GE3 SQS965ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET x2 -60 - - - - - - PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - - - - -
SQS966ENW-T1-GE3 SQS966ENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET x2 60 6 - - - - - PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - - - - -
SQSA80ENW-T1-GE3 SQSA80ENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 18 72 21m 62,5 ±20 17 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® industrie automobile - -
SQSA82CENW-T1-GE3 SQSA82CENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 12 35 97,1m 27 ±20 9,6 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQSA84CENW-T1-GE3 SQSA84CENW-T1_GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 16 54 73m 27 ±20 22 PowerPAK® 1212-8 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SQW33N65EF-GE3 SQW33N65EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 24 95 95m 375 ±30 115 TO247AD THT - - - - - industrie automobile - -
SQW44N65EF-GE3 SQW44N65EF-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 650 34 146 63m 500 ±30 177 TO247AD THT - - - - - industrie automobile - -
SUD08P06-155L-GE3 SUD08P06-155L-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -8,2 -18 350m 20,8 ±20 19 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -8,8 -15 195m 32,1 ±20 34,8 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD15N15-95-E3 SUD15N15-95-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 15 25 250m 62 ±20 25 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 11 - 90m 136 ±20 34 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD19P06-60-E3 SUD19P06-60-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -18,3 -30 120m 38,5 ±20 40 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD19P06-60-GE3 SUD19P06-60-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -8,19 - 60m 2,3 ±20 26 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD19P06-60L-E3 SUD19P06-60L-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -19 -30 129m 46 ±20 40 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD20N10-66L-BE3 SUD20N10-66L-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 13,6 25 66m 41,7 ±20 19,8 DPAK, TO252 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SUD20N10-66L-GE3 SUD20N10-66L-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 16,9 25 80m 41,7 ±20 30 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 17,1 - 45m 31,25 ±20 17 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD23N06-31-T4-GE3 SUD23N06-31-T4-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 17,1 50 31m 31,25 ±20 17 DPAK, TO252 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SUD25N15-52-E3 SUD25N15-52-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 25 50 145m 136 ±20 40 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD35N10-26P-BE3 SUD35N10-26P-BE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 35 40 37,5m 83 ±20 47 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD35N10-26P-GE3 SUD35N10-26P-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 35 40 37,5m 83 ±20 47 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD40151EL-GE3 SUD40151EL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -42 -100 17,5m 50 ±20 112 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD40N08-16-E3 SUD40N08-16-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 40 60 37m 136 ±20 60 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD40N10-25-E3 SUD40N10-25-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 40 70 63m 136 ±20 60 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 14 100 8,8m 30,8 ±20 56 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD50P04-08-BE3 SUD50P04-08-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -50 - 8,1m 73,5 ±20 - DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -50 -100 8,1m 73,5 ±20 159 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD50P04-09L-E3 SUD50P04-09L-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -50 -100 17m 136 ±20 150 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD50P06-15-BE3 SUD50P06-15-BE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -27,5 -80 15m 113 ±20 - DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -50 -80 28m 113 ±20 165 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD50P06-15L-E3 SUD50P06-15L-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -50 -80 30m 136 ±20 165 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD50P06-15L-T4-E3 SUD50P06-15L-T4-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -39 -80 12m 136 ±20 - DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - - - - -
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -80 -50 -40 25,2m 95 ±20 160 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -37,1 -40 43m 95 ±20 160 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD50P10-43L-GE3 SUD50P10-43L-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -36,4 -40 43m 72,7 ±20 160 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD70090E-GE3 SUD70090E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 50 120 9,3m 125 ±20 50 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD80460E-GE3 SUD80460E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 42 40 44,7m 65,2 ±20 16 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUD90330E-GE3 SUD90330E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 35,8 70 42,2m 125 ±20 32 DPAK, TO252 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUG80050E-GE3 SUG80050E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 100 300 6,3m 500 ±20 165 TO247 THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUG90090E-GE3 SUG90090E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 100 300 10,4m 395 ±20 129 TO247 THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUM10250E-GE3 SUM10250E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 63,5 - 31m 125 ±20 57,6 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM110N10-09-E3 SUM110N10-09-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 87 - 9,5m 375 ±20 110 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM110P04-04L-E3 SUM110P04-04L-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -110 -240 7,6m 375 ±20 350 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -40 -33 - 5m 375 ±20 280 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -110 -240 13,8m 375 ±20 345 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM110P06-08L-E3 SUM110P06-08L-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -110 -200 16m 272 ±20 240 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -80 -110 -120 11,2m 125 ±20 270 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM40010EL-GE3 SUM40010EL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 120 300 1,9m 375 ±20 230 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM40012EL-GE3 SUM40012EL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 150 300 2,24m 150 ±20 195 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM40014M-GE3 SUM40014M-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 200 400 1,36m 375 ±20 275 TO263-7 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM45N25-58-E3 SUM45N25-58-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 45 90 163m 375 ±30 140 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM50010E-GE3 SUM50010E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 150 500 2,2m 375 ±20 212 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM50010EL-GE3 SUM50010EL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 150 500 1,73m 375 ±20 192 D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SUM50020E-GE3 SUM50020E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 120 300 2,4m 375 ±20 128 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM50020EL-GE3 SUM50020EL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 120 300 2,6m 375 ±20 126 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM55P06-19L-E3 SUM55P06-19L-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -31 - 41m 125 ±20 115 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 150 500 2,47m 375 ±20 227 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM60030E-GE3 SUM60030E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 0,005 500 3,2m 375 ±20 94 D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SUM60061EL-GE3 SUM60061EL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -80 -150 -250 8,6m 375 ±20 218 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM60N10-17-E3 SUM60N10-17-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 60 100 41m 150 ±20 100 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM65N20-30-E3 SUM65N20-30-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 65 140 84m 375 ±20 130 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM70030E-GE3 SUM70030E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 150 500 3,48m 375 ±20 214 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM70030M-GE3 SUM70030M-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 150 500 3,7m 375 ±20 214 TO263-7 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM70040E-GE3 SUM70040E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 120 - 4m 125 ±20 76 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM70040M-GE3 SUM70040M-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 120 480 4,6m 375 ±20 120 TO263-7 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM70042E-GE3 SUM70042E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 150 200 4,5m 278 ±20 110 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM70042M-GE3 SUM70042M-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 0,005 500 3,83m 375 ±20 84 D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SUM70060E-GE3 SUM70060E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 131 240 6,2m 375 ±20 81 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM70090E-GE3 SUM70090E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 50 120 9,3m 125 ±20 50 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM70101EL-GE3 SUM70101EL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -120 -240 15m 375 ±20 190 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM80090E-GE3 SUM80090E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 128 240 9m 125 ±20 95 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM85N15-19-E3 SUM85N15-19-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 85 180 50m 375 ±20 110 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM90100E-GE3 SUM90100E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 150 250 12,9m 375 ±20 110 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM90140E-GE3 SUM90140E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 75 - 17m 125 ±20 64 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM90142E-GE3 SUM90142E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 90 240 16,5m 375 ±20 87 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM90220E-GE3 SUM90220E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 64 100 23,5m 230 ±20 48 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM90330E-GE3 SUM90330E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 35,1 70 42,2m 125 ±20 32 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM90N03-2M2P-E3 SUM90N03-2M2P-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 30 90 200 2,7m 250 ±20 257 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM90N10-8M2P-E3 SUM90N10-8M2P-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 90 240 17m 300 ±20 150 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -90 -90 19m 125 ±20 326 D2PAK, TO263 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
SUP10250E-GE3 SUP10250E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 250 36,3 - 32,5m 125 ±20 88 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP40010EL-GE3 SUP40010EL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 120 300 2,1m 375 ±20 230 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP40012EL-GE3 SUP40012EL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 40 150 300 2,36m 150 ±20 195 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP50010E-GE3 SUP50010E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 150 500 2,5m 375 ±20 212 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP50020E-GE3 SUP50020E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 120 300 2,7m 375 ±20 128 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP50020EL-GE3 SUP50020EL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 120 300 2,8m 375 ±20 126 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP53P06-20-E3 SUP53P06-20-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -46,8 - 25m 66,7 ±20 76 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP57N20-33 SUP57N20-33-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 33 - 93m 300 ±20 130 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP60020E-GE3 SUP60020E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 150 500 2,8m 375 ±20 227 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP60030E-GE3 SUP60030E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 80 120 250 3,6m 375 ±20 141 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP60061EL-GE3 SUP60061EL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -80 -150 -250 5,8m 375 ±20 - TO220AB THT tube - - - - - - -
SUP70030E-GE3 SUP70030E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 150 500 3,84m 375 ±20 214 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP70040E-GE3 SUP70040E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 120 480 4,6m 375 ±20 120 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP70042E-GE3 SUP70042E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 150 200 4,5m 278 ±20 110 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP70060E-GE3 SUP70060E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 131 240 6,4m 200 ±20 81 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP70090E-GE3 SUP70090E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 50 120 9,3m 125 ±20 50 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP70101EL-GE3 SUP70101EL-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -100 -120 -240 15m 375 ±20 190 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP80090E-GE3 SUP80090E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 74 - 9,4m 125 ±20 63 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 60 - 10,5m 250 ±20 105 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 100 85 240 22m 250 ±20 160 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP85N15-21-E3 SUP85N15-21-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 150 85 180 55m 300 ±20 110 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP90100E-GE3 SUP90100E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 150 250 12,4m 375 ±20 110 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP90140E-GE3 SUP90140E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 90 240 18m 375 ±20 96 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP90142E-GE3 SUP90142E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 90 240 16,9m 375 ±20 87 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP90220E-GE3 SUP90220E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 64 100 23,5m 230 ±20 48 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP90330E-GE3 SUP90330E-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 200 35,8 70 42,2m 125 ±20 32 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP90N06-6M0P-E3 SUP90N06-6M0P-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 60 90 240 10m 272 ±20 120 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
SUP90P06-09L-E3 SUP90P06-09L-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -67 - 11,8m 250 ±20 240 TO220AB THT tube - - - TrenchFET® - - -
TN2404K-T1-E3 TN2404K-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 240 0,16 - 4 0,23 ±20 4,87 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
TN2404K-T1-GE3 TN2404K-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi N-MOSFET 240 0,16 - 4 0,23 ±20 4,87 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - - -
TP0610K-T1-E3 TP0610K-T1-E3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -0,115 -0,8 9 0,14 ±20 1,7 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - ESD -
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 VISHAY unipolaire enrichi P-MOSFET -60 -0,115 -0,8 9 0,14 ±20 1,7 SOT23 SMD rouleau, bande - - - TrenchFET® - ESD -
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