Transistors SiC, LITTELFUSE

Transistors SiC, LITTELFUSE, LSIC1MO120E0160, LSIC1MO120E0120, LSIC1MO120T0160-TU |FR|
Fabricant
Polarisationunipolaire
La technologieSiC
TransistorN-MOSFET
Genre de canalenrichi
Référence Uds Id Idm Rds(on) Puissance de dissipation QG Boîtier Montage Emballage Caractéristiques Tension entrée-source
[kV] [A] [A] [Ω] [W] [nC] [V]
LSIC1MO120E0160 1,2 14 44 160m 125 57 TO247-3 THT tube - -5...20
LSIC1MO120E0120 1,2 18 60 120m 139 80 TO247-3 THT tube - -5...20
LSIC1MO120T0160-TU 1,2 22 - 160m - 57 TO263-7 SMD tube sortie Kelvin -
LSIC1MO120E0080 1,2 25 80 80m 179 95 TO247-3 THT tube - -5...20
LSIC1MO120T0120-TU 1,2 27 - 120m - 80 TO263-7 SMD tube sortie Kelvin -
LSIC1MO120T0080-TU 1,2 39 - 80m - 95 TO263-7 SMD tube sortie Kelvin -
LSIC1MO120G0040 1,2 50 130 40m 357 175 TO247-4 THT tube sortie Kelvin -5...20
LSIC1MO120G0025 1,2 70 200 25m 500 265 TO247-4 THT tube sortie Kelvin -5...20
LSIC1MO170E1000 1,7 3,5 15 1 54 15 TO247-3 THT tube - -5...20
LSIC1MO170E0750 1,7 4,4 11 750m 60 13 TO247-3 THT tube - -5...20
LSIC1MO170T0750 1,7 4,5 11 750m 65 11 TO263-7 SMD tube sortie Kelvin -5...20