Module MOSFET de la MICROCHIP TECHNOLOGY (MICROSEMI)

Module MOSFET de la MICROCHIP TECHNOLOGY (MICROSEMI), APTM10DUM02G, APTM120DU15G, APTM20DUM04G |RO|
ProducătorMICROCHIP TECHNOLOGY
Tip modul semiconductorcu tranzistor MOSFET
Simbol Polarizare Structura Uds Id Idm Ugs Rds(on) Putere disipată Carcasă Montare mec. Montare electr. Tehnologie Topologie Canal Subtip ambalaj
[V] [A] [A] [V] [Ω] [W]
APTM10DUM02G - tranzistor/tranzistor, sursă comună 100 370 1900 ±30 2,5m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 5® MOSFET x2 - -
APTM120DU15G - tranzistor/tranzistor, sursă comună 1,2k 45 240 ±30 175m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® MOSFET x2 - -
APTM20DUM04G - tranzistor/tranzistor, sursă comună 200 278 1488 ±30 5m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® MOSFET x2 - -
APTM20DUM05G - tranzistor/tranzistor, sursă comună 200 237 1268 ±30 6m 1136 SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® MOSFET x2 - -
APTM20DUM08TG - tranzistor/tranzistor, sursă comună 200 155 832 ±30 10m 781 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® MOSFET x2, Termistor NTC - -
APTC60AM24T1G - tranzistor/tranzistor 600 70 260 ±20 24m 462 SP1 înşurubare Press-in PCB CoolMOS semipunte MOSFET, Termistor NTC - -
APTC60AM45T1G - tranzistor/tranzistor 600 38 130 ±20 45m 250 SP1 înşurubare Press-in PCB CoolMOS semipunte MOSFET, Termistor NTC - -
APTC60HM24T3G - tranzistor/tranzistor 600 70 260 ±20 24m 462 SP3F înşurubare Press-in PCB SJ-MOSFET punte H, Termistor NTC - -
APTC60HM45T1G - tranzistor/tranzistor 600 38 130 ±20 45m 250 SP1 înşurubare Press-in PCB CoolMOS, SJ-MOSFET punte H, Termistor NTC - -
APTC60TAM24TPG - tranzistor/tranzistor 600 70 260 ±20 24m 462 SP6P înşurubare Press-in PCB CoolMOS, SJ-MOSFET semipunte MOSFET x3, Termistor NTC - -
APTC80H29T3G - tranzistor/tranzistor 800 11 60 ±30 290m 156 SP3 înşurubare Press-in PCB SJ-MOSFET punte H, Termistor NTC - -
APTM08TAM04PG - tranzistor/tranzistor 75 90 250 ±30 4,5m 138 SP6P înşurubare Press-in PCB - semipunte MOSFET x3 - -
APTM100A18FTG - tranzistor/tranzistor 1k 33 172 ±30 210m 780 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® semipunte MOSFET, Termistor NTC - -
APTM100AM90FG - tranzistor/tranzistor 1k 59 312 ±30 105m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® semipunte MOSFET - -
APTM100H18FG - tranzistor/tranzistor 1k 33 172 ±30 210m 780 SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® punte H - -
APTM100H35FT3G - tranzistor/tranzistor 1k 17 88 ±30 420m 390 SP3 înşurubare Press-in PCB FREDFET, POWER MOS 7® punte H, Termistor NTC - -
APTM100H35FTG - tranzistor/tranzistor 1k 17 88 ±30 420m 390 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® punte H, Termistor NTC - -
APTM100H45FT3G - tranzistor/tranzistor 1k 14 72 ±30 540m 357 SP3 înşurubare Press-in PCB FREDFET, POWER MOS 7® punte H, Termistor NTC - -
APTM100H46FT3G - tranzistor/tranzistor 1k 14 120 ±30 552m 357 SP3 înşurubare Press-in PCB POWER MOS 8® punte H, Termistor NTC - -
APTM100TA35FPG - tranzistor/tranzistor 1k 17 88 ±30 420m 390 SP6P înşurubare Press-in PCB FREDFET, POWER MOS 7® semipunte MOSFET x3 - -
APTM10AM02FG - tranzistor/tranzistor 100 370 1900 ±30 2,5m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 5® semipunte MOSFET - -
APTM10AM05FTG - tranzistor/tranzistor 100 207 1100 ±30 5m 780 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 5® semipunte MOSFET, Termistor NTC - -
APTM10HM05FG - tranzistor/tranzistor 100 207 1100 ±30 5m 780 SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 5® punte H - -
APTM10HM09FT3G - tranzistor/tranzistor 100 100 430 ±30 10m 390 SP3F înşurubare Press-in PCB FREDFET, POWER MOS 5® punte H, Termistor NTC - -
APTM10HM19FT3G - tranzistor/tranzistor 100 50 300 ±30 21m 208 SP3F înşurubare Press-in PCB FREDFET, POWER MOS 5® punte H, Termistor NTC - -
APTM10TAM09FPG - tranzistor/tranzistor 100 100 430 ±30 10m 390 SP6P înşurubare Press-in PCB FREDFET, POWER MOS 5® semipunte MOSFET x3 - -
APTM10TAM19FPG - tranzistor/tranzistor 100 50 300 ±30 21m 208 SP6P înşurubare Press-in PCB FREDFET, POWER MOS 5® semipunte MOSFET x3 - -
APTM120A15FG - tranzistor/tranzistor 1,2k 45 240 ±30 175m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® semipunte MOSFET - -
APTM120A29FTG - tranzistor/tranzistor 1,2k 25 136 ±30 348m 780 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® semipunte MOSFET, Termistor NTC - -
APTM120H140FT1G - tranzistor/tranzistor 1,2k 6 50 ±30 1,68 208 SP1 înşurubare Press-in PCB POWER MOS 8® punte H, Termistor NTC - -
APTM120H29FG - tranzistor/tranzistor 1,2k 25 136 ±30 348m 780 SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® punte H - -
APTM20AM04FG - tranzistor/tranzistor 200 278 1488 ±30 5m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® semipunte MOSFET - -
APTM20AM05FG - tranzistor/tranzistor 200 237 1268 ±30 6m 1136 SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® semipunte MOSFET - -
APTM20HM08FG - tranzistor/tranzistor 200 155 832 ±30 10m 781 SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® punte H - -
APTM20HM10FG - tranzistor/tranzistor 200 131 700 ±30 12m 694 SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® punte H - -
APTM20HM16FTG - tranzistor/tranzistor 200 77 416 ±30 19m 390 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® punte H, Termistor NTC - -
APTM20HM20FTG - tranzistor/tranzistor 200 66 356 ±30 24m 357 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® punte H, Termistor NTC - -
APTM20TAM16FPG - tranzistor/tranzistor 200 77 416 ±30 19m 390 SP6P înşurubare Press-in PCB FREDFET, POWER MOS 7® semipunte MOSFET x3 - -
APTM50AM17FG - tranzistor/tranzistor 500 135 720 ±30 20m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® semipunte MOSFET - -
APTM50AM19FG - tranzistor/tranzistor 500 122 652 ±30 22,5m 1136 SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® semipunte MOSFET - -
APTM50AM35FTG - tranzistor/tranzistor 500 74 396 ±30 39m 781 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® semipunte MOSFET, Termistor NTC - -
APTM50AM38FTG - tranzistor/tranzistor 500 67 360 ±30 45m 694 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® semipunte MOSFET, Termistor NTC - -
APTM50H10FT3G - tranzistor/tranzistor 500 28 140 ±30 120m 312 SP3 înşurubare Press-in PCB FREDFET, POWER MOS 7® punte H, Termistor NTC - -
APTM50H14FT3G - tranzistor/tranzistor 500 18 105 ±30 168m 208 SP3F înşurubare Press-in PCB FREDFET, POWER MOS 7® punte H, Termistor NTC - -
APTM50H15FT1G - tranzistor/tranzistor 500 19 135 ±30 156m 208 SP1 înşurubare Press-in PCB FREDFET, POWER MOS 8® punte H, Termistor NTC - -
APTM50HM35FG - tranzistor/tranzistor 500 74 396 ±30 39m 781 SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® punte H - -
APTM50HM38FG - tranzistor/tranzistor 500 67 360 ±30 45m 694 SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® punte H - -
APTM50HM65FT3G - tranzistor/tranzistor 500 38 204 ±30 78m 390 SP3F înşurubare Press-in PCB FREDFET, POWER MOS 7® punte H, Termistor NTC - -
APTM50HM65FTG - tranzistor/tranzistor 500 38 204 ±30 78m 390 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® punte H, Termistor NTC - -
APTM50HM75FT3G - tranzistor/tranzistor 500 34 184 ±30 90m 357 SP3 înşurubare Press-in PCB FREDFET, POWER MOS 7® punte H, Termistor NTC - -
APTM50HM75FTG - tranzistor/tranzistor 500 34 184 ±30 90m 357 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® punte H, Termistor NTC - -
APTM50TAM65FPG - tranzistor/tranzistor 500 38 204 ±30 78m 390 SP6P înşurubare Press-in PCB FREDFET, POWER MOS 7® semipunte MOSFET x3 - -
APTM60A11FT1G - tranzistor/tranzistor 600 30 245 ±30 110m 390 SP1 înşurubare Press-in PCB FREDFET, POWER MOS 8® semipunte MOSFET, Termistor NTC - -
APTM60H23FT1G - tranzistor/tranzistor 600 15 125 ±30 230m 208 SP1 înşurubare Press-in PCB FREDFET, POWER MOS 8® punte H, Termistor NTC - -
MSCM20AM058G - tranzistor/tranzistor 200 250 - - 5m - LP8 înşurubare - SiC semipunte MOSFET - -
MSCM20XM10T3XG - tranzistor/tranzistor 200 84 - - 10m - SP3X înşurubare - SiC punte trifazată MOSFET - -
MSCM20XM16F4G - tranzistor/tranzistor 200 77 - - 16m - SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare SiC punte trifazată MOSFET - -
MSCSM70AM025CD3AG - tranzistor/tranzistor 700 538 - - 2,5m - D3 înşurubare FASTON terminali, înşurubare SiC semipunte MOSFET - -
APL502J unipolar mono-tranzistor 500 52 208 ±30 90m 568 ISOTOP înşurubare înşurubare Linear - îmbogăţit tub
APL602J unipolar mono-tranzistor 600 43 172 ±30 125m 565 ISOTOP înşurubare înşurubare Linear - îmbogăţit tub
APT10021JFLL unipolar mono-tranzistor 1k 37 148 ±30 210m 694 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT10021JLL unipolar mono-tranzistor 1k 37 148 ±30 210m 694 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT10025JVFR unipolar mono-tranzistor 1k 34 136 ±30 250m 700 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT10025JVR unipolar mono-tranzistor 1k 34 136 ±30 250m 700 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT10026JFLL unipolar mono-tranzistor 1k 30 120 ±30 280m 595 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT10026JLL unipolar mono-tranzistor 1k 30 120 ±30 260m 595 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT10035JFLL unipolar mono-tranzistor 1k 25 100 ±30 370m 520 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT10035JLL unipolar mono-tranzistor 1k 25 100 ±30 350m 520 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT10045JFLL unipolar mono-tranzistor 1k 21 84 ±30 460m 460 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT10045JLL unipolar mono-tranzistor 1k 21 84 ±30 450m 460 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT10050JVFR unipolar mono-tranzistor 1k 19 76 ±30 500m 450 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT100F50J unipolar mono-tranzistor 500 65 490 ±30 36m 960 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT100M50J unipolar mono-tranzistor 500 65 490 ±30 36m 960 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT10M07JVFR unipolar mono-tranzistor 100 225 900 ±30 7m 700 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT10M11JVFR unipolar mono-tranzistor 100 144 576 ±30 11m 450 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT12031JFLL unipolar mono-tranzistor 1,2k 30 120 ±30 330m 690 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT12040JVR unipolar mono-tranzistor 1,2k 26 - ±30 400m 700 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT12057JFLL unipolar mono-tranzistor 1,2k 19 76 ±30 570m 520 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT12067JFLL unipolar mono-tranzistor 1,2k 17 68 ±30 670m 463 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT12080JVFR unipolar mono-tranzistor 1,2k 15 60 ±30 800m 450 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT17F120J unipolar mono-tranzistor 1,2k 12 104 ±30 580m 545 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT19F100J unipolar mono-tranzistor 1k 13 120 ±30 440m 460 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT19M120J unipolar mono-tranzistor 1,2k 12 104 ±30 530m 545 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT20M11JFLL unipolar mono-tranzistor 200 176 704 ±30 11m 694 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT20M11JLL unipolar mono-tranzistor 200 176 704 ±30 11m 694 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT20M11JVFR unipolar mono-tranzistor 200 175 700 ±30 11m 700 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT20M11JVR unipolar mono-tranzistor 200 175 700 ±30 11m 700 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS V® - îmbogăţit tub
APT20M20JFLL unipolar mono-tranzistor 200 104 416 ±30 20m 463 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT20M20JLL unipolar mono-tranzistor 200 104 416 ±30 20m 463 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT20M22JVR unipolar mono-tranzistor 200 97 388 ±30 22m 450 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT21M100J unipolar mono-tranzistor 1k 13 120 ±30 380m 462 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT22F100J unipolar mono-tranzistor 1k 15 140 ±30 380m 545 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT25M100J unipolar mono-tranzistor 1k 16 140 ±30 330m 545 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT29F80J unipolar mono-tranzistor 800 19 173 ±30 210m 543 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT30M19JVFR unipolar mono-tranzistor 300 130 520 ±30 19m 700 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS V® - îmbogăţit tub
APT30M19JVR unipolar mono-tranzistor 300 130 520 ±30 19m 700 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT30M30JLL unipolar mono-tranzistor 300 88 352 ±30 30m 520 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT30M36JFLL unipolar mono-tranzistor 300 76 304 ±30 36m 463 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT30M36JLL unipolar mono-tranzistor 300 76 304 ±30 36m 463 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT30M40JVFR unipolar mono-tranzistor 300 70 280 ±30 40m 450 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT30M40JVR unipolar mono-tranzistor 300 70 280 ±30 40m 450 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT32F120J unipolar mono-tranzistor 1,2k 21 195 ±30 320m 960 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT32M80J unipolar mono-tranzistor 800 20 173 ±30 190m 543 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT34M120J unipolar mono-tranzistor 1,2k 22 195 ±30 290m 960 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT38F50J unipolar mono-tranzistor 500 24 175 ±30 100m 355 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT38M50J unipolar mono-tranzistor 500 24 175 ±30 100m 357 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT39F60J unipolar mono-tranzistor 600 26 210 ±30 110m 480 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT39M60J unipolar mono-tranzistor 600 26 210 ±30 110m 480 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT40M35JVR unipolar mono-tranzistor 400 93 - ±30 35m 700 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT40M70JVR unipolar mono-tranzistor 400 53 - ±30 70m 450 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT41F100J unipolar mono-tranzistor 1k 42 260 ±30 200m 960 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT45M100J unipolar mono-tranzistor 1k 28 260 ±30 180m 960 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT47F60J unipolar mono-tranzistor 600 31 245 ±30 90m 540 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT47M60J unipolar mono-tranzistor 600 31 245 ±30 90m 540 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT5010JFLL unipolar mono-tranzistor 500 41 164 ±30 100m 378 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT5010JLL unipolar mono-tranzistor 500 41 164 ±30 100m 378 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT5010JVFR unipolar mono-tranzistor 500 44 176 ±30 100m 450 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT5010JVR unipolar mono-tranzistor 500 44 176 ±30 100m 450 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT50M38JFLL unipolar mono-tranzistor 500 88 352 ±30 38m 694 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT50M38JLL unipolar mono-tranzistor 500 88 352 ±30 38m 694 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT50M50JFLL unipolar mono-tranzistor 500 71 284 ±30 50m 595 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT50M50JLL unipolar mono-tranzistor 500 71 284 ±30 50m 595 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT50M50JVFR unipolar mono-tranzistor 500 77 308 ±30 50m 700 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT50M50JVR unipolar mono-tranzistor 500 77 308 ±30 50m 700 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT50M65JFLL unipolar mono-tranzistor 500 58 232 ±30 65m 520 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT50M65JLL unipolar mono-tranzistor 500 58 232 ±30 65m 520 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT50M75JFLL unipolar mono-tranzistor 500 51 204 ±30 75m 460 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT50M75JLL unipolar mono-tranzistor 500 51 204 ±30 75m 460 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT50M85JVFR unipolar mono-tranzistor 500 50 200 ±30 85m 500 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT50M85JVR unipolar mono-tranzistor 500 50 200 ±30 85m 500 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT51F50J unipolar mono-tranzistor 500 32 230 ±30 75m 480 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT51M50J unipolar mono-tranzistor 500 32 230 ±30 75m 480 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT53F80J unipolar mono-tranzistor 800 36 325 ±30 110m 960 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT58F50J unipolar mono-tranzistor 500 37 270 ±30 65m 540 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT58M50J unipolar mono-tranzistor 500 37 270 ±30 65m 540 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT58M80J unipolar mono-tranzistor 800 60 325 ±30 100m 960 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT6010JFLL unipolar mono-tranzistor 600 47 188 ±30 100m 520 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT6010JLL unipolar mono-tranzistor 600 47 188 ±30 100m 520 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT6013JFLL unipolar mono-tranzistor 600 39 156 ±30 130m 460 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT6013JLL unipolar mono-tranzistor 600 39 156 ±30 130m 460 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT6017JFLL unipolar mono-tranzistor 600 31 124 ±30 170m 375 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT60M60JFLL unipolar mono-tranzistor 600 70 280 ±30 60m 694 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT60M60JLL unipolar mono-tranzistor 600 70 280 ±30 60m 694 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT60M75JFLL unipolar mono-tranzistor 600 58 232 ±30 75m 595 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT60M75JLL unipolar mono-tranzistor 600 58 232 ±30 75m 595 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT60M75JVR unipolar mono-tranzistor 600 62 248 ±30 75m 700 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT8011JFLL unipolar mono-tranzistor 800 51 204 ±30 125m 694 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT8011JLL unipolar mono-tranzistor 800 51 204 ±30 110m 694 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT8014JFLL unipolar mono-tranzistor 800 42 168 ±30 160m 595 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT8014JLL unipolar mono-tranzistor 800 42 168 ±30 140m 595 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT8015JVFR unipolar mono-tranzistor 800 44 176 ±30 150m 700 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT8015JVR unipolar mono-tranzistor 800 44 176 ±30 150m 700 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT8020JFLL unipolar mono-tranzistor 800 33 132 ±30 220m 520 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT8020JLL unipolar mono-tranzistor 800 33 132 ±30 200m 520 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT8024JFLL unipolar mono-tranzistor 800 29 116 ±30 260m 460 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT8024JLL unipolar mono-tranzistor 800 29 116 ±30 240m 460 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® - îmbogăţit tub
APT8030JVFR unipolar mono-tranzistor 800 25 100 ±30 300m 450 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® - îmbogăţit tub
APT80F60J unipolar mono-tranzistor 600 52 447 ±30 55m 961 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APT80M60J unipolar mono-tranzistor 600 52 445 ±30 55m 960 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® - îmbogăţit tub
APTM100UM45FAG unipolar mono-tranzistor 1k 160 860 ±30 52m 5k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® - - -
APTM100UM60FAG unipolar mono-tranzistor 1k 97 516 ±30 70m 2272 SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® - - -
APTM100UM65DAG unipolar mono-tranzistor 1k 110 580 ±30 78m 3,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® - - -
APTM10UM01FAG unipolar mono-tranzistor 100 640 2200 ±30 1,6m 2,5k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 5® - - -
APTM10UM02FAG unipolar mono-tranzistor 100 429 1900 ±30 2,5m 1,66k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 5® - - -
APTM120UM70FAG unipolar mono-tranzistor 1,2k 126 684 ±30 80m 5k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® - - -
APTM50UM09FAG unipolar mono-tranzistor 500 371 1988 ±30 10m 5k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® - - -
MSC015SMA070J unipolar mono-tranzistor 700 - - - - - SOT227B înşurubare înşurubare SiC - - tub
MSC017SMA120J unipolar mono-tranzistor 1,2k 62 280 -10...23 22m 278 SOT227B înşurubare înşurubare SiC - - tub
MSC025SMA120J unipolar mono-tranzistor 1,2k 54 275 - 31m 278 SOT227B înşurubare înşurubare SiC - - tub
MSC035SMA070J unipolar mono-tranzistor 700 - - - - - SOT227B înşurubare înşurubare SiC - - -
MSC040SMA120J unipolar mono-tranzistor 1,2k 37 105 - 50m 208 SOT227B înşurubare înşurubare SiC - - tub
MSC080SMA120J unipolar mono-tranzistor 1,2k 24 111 -10...23 100m 165 SOT227B înşurubare înşurubare SiC - - tub
MSC080SMA120JS15 unipolar mono-tranzistor 1,2k 24 111 -10...23 100m 165 SOT227B înşurubare înşurubare SiC - - tub
APT10M11JVRU2 - diodă/tranzistor 100 106 576 ±30 11m 450 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® boost chopper - -
APT10M11JVRU3 - diodă/tranzistor 100 106 576 ±30 11m 450 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® buck chopper - -
APT20M120JCU2 - diodă/tranzistor 200 15 104 ±30 672m 543 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® boost chopper - -
APT20M120JCU3 - diodă/tranzistor 200 15 104 ±30 672m 543 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® buck chopper - -
APT20M22JVRU2 - diodă/tranzistor 200 72 388 ±30 22m 450 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® boost chopper - -
APT20M22JVRU3 - diodă/tranzistor 200 72 388 ±30 22m 450 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® buck chopper - -
APT26M100JCU2 - diodă/tranzistor 1k 20 140 ±30 396m 543 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® boost chopper - -
APT26M100JCU3 - diodă/tranzistor 1k 20 140 ±30 396m 543 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® buck chopper - -
APT5010JLLU2 - diodă/tranzistor 500 30 164 ±30 100m 378 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® boost chopper - -
APT5010JLLU3 - diodă/tranzistor 500 30 164 ±30 100m 378 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® buck chopper - -
APT5010JVRU2 - diodă/tranzistor 500 33 176 ±30 100m 450 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® boost chopper - -
APT5010JVRU3 - diodă/tranzistor 500 33 176 ±30 100m 450 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 5® buck chopper - -
APT50M75JLLU2 - diodă/tranzistor 500 39 204 ±30 75m 290 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® boost chopper - -
APT50M75JLLU3 - diodă/tranzistor 500 39 204 ±30 75m 290 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 7® buck chopper - -
APT50N60JCCU2 - diodă/tranzistor 600 38 130 ±20 45m 290 ISOTOP înşurubare înşurubare CoolMOS boost chopper - -
APT58M50JCU2 - diodă/tranzistor 500 43 270 ±30 65m 543 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® boost chopper - -
APT58M50JU2 - diodă/tranzistor 500 43 270 ±30 65m 543 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® boost chopper - -
APT58M50JU3 - diodă/tranzistor 500 43 270 ±30 65m 543 ISOTOP înşurubare înşurubare POWER MOS 8® buck chopper - -
APTC60AM35SCTG - diodă/tranzistor 600 72 288 ±30 35m 416 SP4 înşurubare FASTON terminali CoolMOS - - -
APTC60AM45B1G - diodă/tranzistor 600 38 130 ±20 45m 250 SP1 înşurubare Press-in PCB CoolMOS boost chopper, semipunte MOSFET - -
APTC60BBM24T3G - diodă/tranzistor 600 70 260 ±20 24m 462 SP3F înşurubare Press-in PCB CoolMOS buck-boost chopper, Termistor NTC - -
APTC60DDAM24T3G - diodă/tranzistor 600 70 260 ±20 24m 462 SP3 înşurubare Press-in PCB SJ-MOSFET boost chopper x2, Termistor NTC - -
APTC60DDAM45T1G - diodă/tranzistor 600 38 130 ±20 45m 250 SP1 înşurubare Press-in PCB CoolMOS, SJ-MOSFET boost chopper x2, Termistor NTC - -
APTC60DHM24T3G - diodă/tranzistor 600 70 260 ±20 24m 462 SP3F înşurubare Press-in PCB SJ-MOSFET punte asimetrică, Termistor NTC - -
APTC60DSKM24T3G - diodă/tranzistor 600 70 260 ±20 24m 462 SP3F înşurubare Press-in PCB SJ-MOSFET boost chopper x2, Termistor NTC - -
APTC60HM70BT3G - diodă/tranzistor 600 29 160 ±20 70m 250 SP3F înşurubare Press-in PCB CoolMOS boost chopper, Termistor NTC - -
APTC60SKM24T1G - diodă/tranzistor 600 70 260 ±20 24m 462 SP1 înşurubare Press-in PCB CoolMOS, SJ-MOSFET buck chopper, Termistor NTC - -
APTC60VDAM24T3G - diodă/tranzistor 600 70 260 ±20 24m 462 SP3F înşurubare Press-in PCB SJ-MOSFET boost chopper x2, Termistor NTC - -
APTC60VDAM45T1G - diodă/tranzistor 600 38 130 ±20 45m 250 SP1 înşurubare Press-in PCB CoolMOS, SJ-MOSFET boost chopper x2, Termistor NTC - -
APTCV60HM45BT3G - diodă/tranzistor 600 38 130 ±20 45m 250 SP3F înşurubare Press-in PCB CoolMOS, Field Stop, Trench boost chopper, punte H, Termistor NTC - -
APTM100A13DG - diodă/tranzistor 1k 49 240 ±30 156m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® semipunte MOSFET + diode serie - -
APTM100A13SG - diodă/tranzistor 1k 49 240 ±30 156m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® semipunte MOSFET + diode serie + diode paralel - -
APTM100A23STG - diodă/tranzistor 1k 27 144 ±30 270m 694 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® semipunte MOSFET + diode serie + diode paralel, Termistor NTC - -
APTM100DA18TG - diodă/tranzistor 1k 33 172 ±30 210m 780 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® boost chopper, Termistor NTC - -
APTM100DAM90G - diodă/tranzistor 1k 59 312 ±30 105m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® boost chopper - -
APTM100DSK35T3G - diodă/tranzistor 1k 17 88 ±30 420m 390 SP3 înşurubare Press-in PCB POWER MOS 7® buck chopper x2, Termistor NTC - -
APTM100H45STG - diodă/tranzistor 1k 14 72 ±30 540m 357 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® punte H + diode paralel + diode serie, Termistor NTC - -
APTM100SK33T1G - diodă/tranzistor 1k 17 140 ±30 396m 390 SP1 înşurubare Press-in PCB POWER MOS 8® buck chopper, Termistor NTC - -
APTM100UM45DAG - diodă/tranzistor 1k 160 860 ±30 52m 5k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® tranzistor individual + diodă în serie - -
APTM100UM65SAG - diodă/tranzistor 1k 110 580 ±30 78m 3,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® tranzistor individual + diodă serie + diodă paralel - -
APTM10DAM02G - diodă/tranzistor 100 370 1900 ±30 2,5m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 5® boost chopper - -
APTM10DAM05TG - diodă/tranzistor 100 207 1100 ±30 5m 780 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 5® boost chopper, Termistor NTC - -
APTM10DHM05G - diodă/tranzistor 100 207 1100 ±30 5m 780 SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 5® punte asimetrică - -
APTM10DSKM09T3G - diodă/tranzistor 100 100 430 ±30 10m 390 SP3 înşurubare Press-in PCB POWER MOS 5® buck chopper x2, Termistor NTC - -
APTM10DSKM19T3G - diodă/tranzistor 100 50 300 ±30 21m 208 SP3 înşurubare Press-in PCB POWER MOS 5® buck chopper x2, Termistor NTC - -
APTM10SKM02G - diodă/tranzistor 100 370 1900 ±30 2,5m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 5® buck chopper - -
APTM10SKM05TG - diodă/tranzistor 100 207 1100 ±30 5m 780 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 5® buck chopper, Termistor NTC - -
APTM120A20DG - diodă/tranzistor 1,2k 37 200 ±30 240m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® semipunte MOSFET + diode serie - -
APTM120A20SG - diodă/tranzistor 1,2k 37 200 ±30 240m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® semipunte MOSFET + diode serie + diode paralel - -
APTM120DA30T1G - diodă/tranzistor 1,2k 23 195 ±30 360m 657 SP1 înşurubare Press-in PCB POWER MOS 8® boost chopper, Termistor NTC - -
APTM120U10SAG - diodă/tranzistor 1,2k 86 464 ±30 120m 3,29k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® tranzistor individual + diodă serie + diodă paralel - -
APTM120UM70DAG - diodă/tranzistor 1,2k 126 684 ±30 80m 5k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® tranzistor individual + diodă în serie - -
APTM20AM06SG - diodă/tranzistor 200 225 1200 ±30 7,2m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® semipunte MOSFET + diode serie + diode paralel - -
APTM20AM08FTG - diodă/tranzistor 200 155 832 ±30 10m 781 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® semipunte MOSFET, Termistor NTC - -
APTM20AM10FTG - diodă/tranzistor 200 131 700 ±30 12m 694 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® semipunte MOSFET, Termistor NTC - -
APTM20AM10STG - diodă/tranzistor 200 131 700 ±30 12m 694 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® semipunte MOSFET + diode serie + diode paralel, Termistor NTC - -
APTM20DAM04G - diodă/tranzistor 200 278 1488 ±30 5m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® boost chopper - -
APTM20DAM05G - diodă/tranzistor 200 237 1268 ±30 6m 1136 SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® boost chopper - -
APTM20DAM08TG - diodă/tranzistor 200 155 832 ±30 10m 781 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® boost chopper, Termistor NTC - -
APTM20HM20STG - diodă/tranzistor 200 66 356 ±30 24m 357 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® punte H + diode paralel + diode serie, Termistor NTC - -
APTM20SKM04G - diodă/tranzistor 200 278 1488 ±30 5m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® buck chopper - -
APTM20SKM08TG - diodă/tranzistor 200 155 832 ±30 10m 781 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® buck chopper, Termistor NTC - -
APTM20UM03FAG - diodă/tranzistor 200 434 2320 ±30 3,6m 2,27k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare FREDFET, POWER MOS 7® tranzistor individual + diodă serie + diodă paralel - -
APTM20UM04SAG - diodă/tranzistor 200 310 1670 ±30 5m 1,56k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® tranzistor individual + diodă serie + diodă paralel - -
APTM50AM24SG - diodă/tranzistor 500 110 600 ±30 28m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® semipunte MOSFET + diode serie + diode paralel - -
APTM50AM38STG - diodă/tranzistor 500 67 360 ±30 45m 694 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® semipunte MOSFET + diode serie + diode paralel, Termistor NTC - -
APTM50DAM17G - diodă/tranzistor 500 135 720 ±30 20m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® boost chopper - -
APTM50DAM19G - diodă/tranzistor 500 122 652 ±30 22,5m 1136 SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® boost chopper - -
APTM50DHM38G - diodă/tranzistor 500 67 360 ±30 45m 694 SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® punte asimetrică - -
APTM50HM75STG - diodă/tranzistor 500 34 184 ±30 90m 357 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® punte H + diode paralel + diode serie, Termistor NTC - -
APTM50SKM17G - diodă/tranzistor 500 135 720 ±30 20m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® buck chopper - -
APTM50SKM19G - diodă/tranzistor 500 122 652 ±30 22,5m 1136 SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® buck chopper - -
APTM50UM13SAG - diodă/tranzistor 500 250 1340 ±30 15m 3,29k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7® tranzistor individual + diodă serie + diodă paralel - -
MSCC60AM23C4AG - diodă SiC/tiristor/tranzistor 600 81 - - 23m - SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare SiC Vienna Rectifier - -
MSCC60VRM45TAPG - diodă SiC/tiristor/tranzistor 600 40 - - 45m - SP6P înşurubare Press-in PCB SiC Vienna Rectifier - -
MSCSM70VM10C4AG - diodă SiC/tiristor/tranzistor 700 189 476 - 9,5m 674 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare SiC Vienna Rectifier - -
MSCSM70VM19C3AG - diodă SiC/tiristor/tranzistor 700 98 250 - 19m 365 SP3F înşurubare Press-in PCB SiC Vienna Rectifier - -
APTC60AM24SCTG - diodă SiC/tranzistor 600 70 260 ±20 24m 462 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare CoolMOS, SiC semipunte MOSFET, Termistor NTC - -
APTC60AM45BC1G - diodă SiC/tranzistor 600 38 130 ±20 45m 250 SP1 înşurubare Press-in PCB CoolMOS, SiC boost chopper, semipunte MOSFET - -
APTC60HM45SCTG - diodă SiC/tranzistor 600 38 130 ±20 45m 250 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare CoolMOS, SiC, SJ-MOSFET punte H, Termistor NTC - -
APTC60SKM24CT1G - diodă SiC/tranzistor 600 70 260 ±20 24m 462 SP1 înşurubare Press-in PCB SiC, SJ-MOSFET buck chopper, Termistor NTC - -
APTC60TAM21SCTPAG - diodă SiC/tranzistor 600 87 400 ±20 21m 625 SP6P înşurubare Press-in PCB CoolMOS, SiC semipunte MOSFET x3, Termistor NTC - -
APTCV60HM45BC20T3G - diodă SiC/tranzistor 600 38 130 ±20 45m 250 SP3F înşurubare Press-in PCB CoolMOS, Field Stop, SiC, Trench boost chopper, punte H, Termistor NTC - -
APTM100A13SCG - diodă SiC/tranzistor 1k 49 240 ±30 156m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7®, SiC semipunte MOSFET + diode serie + diode paralel - -
APTM100H45SCTG - diodă SiC/tranzistor 1k 14 72 ±30 540m 357 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7®, SiC punte H + diode paralel, Termistor NTC - -
APTM100TA35SCTPG - diodă SiC/tranzistor 1k 17 88 ±30 420m 390 SP6P înşurubare Press-in PCB POWER MOS 7®, SiC Termistor NTC - -
APTM100UM65SCAVG - diodă SiC/tranzistor 1k 110 580 ±30 78m 3,25k SP6 înşurubare înşurubare POWER MOS 7®, SiC tranzistor individual + diodă serie + diodă paralel - -
APTM120DA30CT1G - diodă SiC/tranzistor 1,2k 23 195 ±30 360m 657 SP1 înşurubare Press-in PCB POWER MOS 8®, SiC boost chopper, Termistor NTC - -
APTM120U10SCAVG - diodă SiC/tranzistor 1,2k 86 464 ±30 120m 3,29k SP6 înşurubare înşurubare POWER MOS 7®, SiC tranzistor individual + diodă serie + diodă paralel - -
APTM50AM24SCG - diodă SiC/tranzistor 500 110 600 ±30 28m 1,25k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7®, SiC semipunte MOSFET + diode serie + diode paralel - -
APTM50AM38SCTG - diodă SiC/tranzistor 500 67 360 ±30 45m 694 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7®, SiC semipunte MOSFET + diode serie + diode paralel, Termistor NTC - -
APTM50HM75SCTG - diodă SiC/tranzistor 500 34 184 ±30 90m 357 SP4 înşurubare FASTON terminali, înşurubare POWER MOS 7®, SiC punte H + diode paralel + diode serie, Termistor NTC - -
MSC035SMA170J - diodă SiC/tranzistor 1,7k 40 200 - 45m 270 SOT227 înşurubare înşurubare SiC - - -
MSC100SM70JCU2 - diodă SiC/tranzistor 700 98 250 - 19m 365 SOT227B înşurubare înşurubare SiC boost chopper - -
MSC100SM70JCU3 - diodă SiC/tranzistor 700 98 250 - 19m 365 SOT227B înşurubare înşurubare SiC buck chopper - -
MSC130SM120JCU2 - diodă SiC/tranzistor 1,2k 138 350 - 16m 745 SOT227B înşurubare înşurubare SiC boost chopper - -
MSC130SM120JCU3 - diodă SiC/tranzistor 1,2k 138 350 - 16m 745 SOT227B înşurubare înşurubare SiC buck chopper - -
MSC40SM120JCU2 - diodă SiC/tranzistor 1,2k 44 110 - 50m 245 SOT227B înşurubare înşurubare SiC boost chopper - -
MSC40SM120JCU3 - diodă SiC/tranzistor 1,2k 44 110 - 50m 245 SOT227B înşurubare înşurubare SiC buck chopper - -
MSC70SM120JCU2 - diodă SiC/tranzistor 1,2k 71 180 - 31m 395 SOT227B înşurubare înşurubare SiC boost chopper - -
MSC70SM120JCU3 - diodă SiC/tranzistor 1,2k 71 180 - 31m 395 SOT227B înşurubare înşurubare SiC buck chopper - -
MSCSM120AM027CD3AG - diodă SiC/tranzistor 1,2k 584 1400 - 3,5m 2,97k D3 înşurubare FASTON terminali, înşurubare SiC semipunte MOSFET + diode paralel - -
MSCSM120AM027CT6AG - diodă SiC/tranzistor 1,2k 584 1400 - 3,5m 2,97k SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare SiC semipunte MOSFET + diode paralel, Termistor NTC - -
MSCSM120AM042CD3AG - diodă SiC/tranzistor 1,2k 395 990 - 5,2m 2031 D3 înşurubare FASTON terminali, înşurubare SiC semipunte MOSFET + diode paralel - -
MSCSM120AM042CT6AG - diodă SiC/tranzistor 1,2k 395 990 - 5,2m 2031 SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare SiC semipunte MOSFET + diode paralel, Termistor NTC - -
MSCSM120AM08CT3AG - diodă SiC/tranzistor 1,2k 268 675 - 7,8m 1409 SP3F înşurubare Press-in PCB SiC semipunte MOSFET + diode paralel, Termistor NTC - -
MSCSM120AM11CT3AG - diodă SiC/tranzistor 1,2k 202 500 - 10,4m 1067 SP3F înşurubare Press-in PCB SiC semipunte MOSFET + diode paralel, Termistor NTC - -
MSCSM120AM16CT1AG - diodă SiC/tranzistor 1,2k 138 350 - 16m 745 SP1F înşurubare Press-in PCB SiC semipunte MOSFET + diode paralel, Termistor NTC - -
MSCSM120AM31CT1AG - diodă SiC/tranzistor 1,2k 71 180 - 31m 395 SP1F înşurubare Press-in PCB SiC semipunte MOSFET + diode paralel, Termistor NTC - -
MSCSM120AM50CT1AG - diodă SiC/tranzistor 1,2k 44 110 - 50m 245 SP1F înşurubare Press-in PCB SiC semipunte MOSFET + diode paralel, Termistor NTC - -
MSCSM120DAM11CT3AG - diodă SiC/tranzistor 1,2k 202 500 - 10,4m 1067 SP3F înşurubare Press-in PCB SiC boost chopper, Termistor NTC - -
MSCSM120HM16CT3AG - diodă SiC/tranzistor 1,2k 138 350 - 16m 745 SP3F înşurubare Press-in PCB SiC punte H + diode paralel, Termistor NTC - -
MSCSM120HM31CT3AG - diodă SiC/tranzistor 1,2k 71 180 - 31m 395 SP3F înşurubare Press-in PCB SiC punte H + diode paralel, Termistor NTC - -
MSCSM120HM50CT3AG - diodă SiC/tranzistor 1,2k 44 110 - 50m 245 SP3F înşurubare Press-in PCB SiC punte H + diode paralel, Termistor NTC - -
MSCSM120SKM11CT3AG - diodă SiC/tranzistor 1,2k 202 500 - 10,4m 1067 SP3F înşurubare Press-in PCB SiC buck chopper, Termistor NTC - -
MSCSM120TAM11CTPAG - diodă SiC/tranzistor 1,2k 200 500 - 10,4m 1042 SP6P înşurubare Press-in PCB SiC semipunte MOSFET x3 + diode paralel, Termistor NTC - -
MSCSM120TAM16CTPAG - diodă SiC/tranzistor 1,2k 136 350 - 16m 728 SP6P înşurubare Press-in PCB SiC semipunte MOSFET x3 + diode paralel, Termistor NTC - -
MSCSM120TAM31CT3AG - diodă SiC/tranzistor 1,2k 71 180 - 31m 395 SP3F înşurubare Press-in PCB SiC punte trifazată MOSFET, Termistor NTC - -
MSCSM70AM025CT6AG - diodă SiC/tranzistor 700 538 - - 2,5m - SP6C înşurubare FASTON terminali, înşurubare SiC semipunte MOSFET - -
MSCSM70AM07CT3AG - diodă SiC/tranzistor 700 281 700 - 6,4m 988 SP3F înşurubare Press-in PCB SiC semipunte MOSFET + diode paralel, Termistor NTC - -
MSCSM70AM10CT3AG - diodă SiC/tranzistor 700 192 482 - 9,5m 690 SP3F înşurubare Press-in PCB SiC semipunte MOSFET + diode paralel, Termistor NTC - -
MSCSM70AM19CT1AG - diodă SiC/tranzistor 700 98 250 - 19m 365 SP1F înşurubare Press-in PCB SiC semipunte MOSFET + diode paralel, Termistor NTC - -
MSCSM70HM19CT3AG - diodă SiC/tranzistor 700 98 250 - 19m 365 SP3F înşurubare Press-in PCB SiC semipunte MOSFET + diode paralel, Termistor NTC - -
MSCSM70TAM05TPAG - diodă SiC/tranzistor 700 278 700 - 6,4m 966 SP6P înşurubare Press-in PCB SiC semipunte MOSFET x3, Termistor NTC - -
MSCSM70TAM10CTPAG - diodă SiC/tranzistor 700 189 476 - 9,5m 674 SP6P înşurubare Press-in PCB SiC semipunte MOSFET x3 + diode paralel, Termistor NTC - -
MSCSM70TAM19CT3AG - diodă SiC/tranzistor 700 98 250 - 19m 365 SP3F înşurubare Press-in PCB SiC punte trifazată MOSFET, Termistor NTC - -
logo icon

Transfer Multisort Elektronik S.R.L.

B-dul Regele Carol I, nr 36, Apartament 10
300180 Timişoara, România
RO25222010
Nr. de ordine în registrul comerţului: J35/488/03.03.2009

Contactaţi-ne:
Tel.: +40 356467401
Fax.: +40 356467400
E-mail: [email protected]

Product Information Management: www.parcat.eu