Модули IGBT фирмы ST MICROELECTRONICS

Модули IGBT фирмы ST MICROELECTRONICS, A1C15S12M3, A1P35S12M3, A1P50S65M2, A2C50S65M2 |RU|
Код Производитель Тип полупроводникового модуля Конструкция Urmax Ic Icm Uge Pd Корпус Мех. монтаж Электр. монтаж Топология Применение
[В] [А] [А] [В] [Вт]
A1C15S12M3 STMicroelectronics IGBT диод/транзистор 1,2к 15 30 ±20 142,8 ACEPACK1 винтами Press-in PCB boost chopper, 3-фазный диодный мост, полумост IGBT x3, термистор NTC инвертор, двигатели
A1P35S12M3 STMicroelectronics IGBT транзистор/транзистор 1,2к 35 70 ±20 250 ACEPACK1 винтами Press-in PCB полумост IGBT x3, термистор NTC инвертор, двигатели
A1P50S65M2 STMicroelectronics IGBT транзистор/транзистор 650 50 100 ±20 208 ACEPACK1 винтами Press-in PCB полумост IGBT x3, термистор NTC инвертор, двигатели
A2C50S65M2 STMicroelectronics IGBT диод/транзистор 650 50 100 ±20 208 ACEPACK2 винтами Press-in PCB boost chopper, 3-фазный диодный мост, полумост IGBT x3, термистор NTC инвертор, двигатели
STGE200NB60S STMicroelectronics IGBT одиночный транзистор 600 150 400 ±20 600 ISOTOP винтами винтами - -
STGSH80HB65DAG STMicroelectronics IGBT транзистор/транзистор 650 68 269 ±20 250 ACEPACK SMIT - SMT полумост IGBT -